PMBT3904M,315,功率晶体管,品牌:NXP,封装:DFN-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:0.2 A; 最小DC直流电流增益:60@0.1mA@1V|80@1mA@1V|100@10mA@1V|60@50mA@1V|30@100mA@1V; ...
FJA4310OTU,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-3P(N)-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:140 V; 最大DC直流集电极电流:10 A; 最小DC直流电流增益:70@3A@4V; 最大工作频率:30(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@0.5...
3DA5200C,晶体管,三极管,TO-3P封装,参数为:Pcm=3000mW,Ic=15000mA,BVcbo=120V,BVceo=120V,BVebo=5V,hfe(Min)=55,hfe(Max)=160,Vce(sat)=3V,fr=30+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BFR181W H6327,功率晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-323-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:12 V; 最大DC直流集电极电流:0.02 A; 最小DC直流电流增益:70@5mA@8V; 最大工作频率:8000(Typ) MHz; 最大集电极基极电压:20 V;...
DMMT3906-7-F,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-26-6,参数:类型:PNP; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:0.2 A; 最小DC直流电流增益:60@100uA@1V|80@1mA@1V|100@10mA@1V|60@50mA@1V|30@100mA...
DDTC114YCA-7-F,数字晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:68@5mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Moun...
RN1427TE85LF,数字晶体管,品牌:Toshiba,封装:S-Mini-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:800 mA; 最小DC直流电流增益:90@100mA@1V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mou...
SSTA13T116,三极管,达林顿管,品牌:Rohm,封装:SMT-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:30 V; 峰值DC直流集电极电流:0.3 A; 最小DC直流电流增益:5000@10mA@5V|10000@100mA@5V; 最大集电极发射极饱和电压:1.5@0.1mA@10...
BFT93,215,功率晶体管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:12 V; 最大DC直流集电极电流:0.035 A; 最小DC直流电流增益:20@30mA@5V; 最大工作频率:5000(Typ) MHz; 最大集电极基极电压:15 V; 工作温度:...
TIP120TU,三极管,达林顿管,品牌:Fairchild,封装:TO-220AB-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:60 V; 峰值DC直流集电极电流:5 A; 最小DC直流电流增益:1000@0.5A@3V|1000@3A@3V; 最大集电极发射极饱和电压:2@12mA@3A|...
SMMBTA13LT1G,三极管,达林顿管,品牌:ON,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:30 V; 峰值DC直流集电极电流:0.3 A; 最小DC直流电流增益:5000@10mA@5V|10000@100mA@5V; 最大集电极发射极饱和电压:1.5@0.1mA...
BCR133SH6327XTSA1,数字晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-363-6,参数:配置:Dual; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:30@5mA@5V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface ...
D45C11,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-220AB-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:80 V; 最大DC直流集电极电流:4 A; 最小DC直流电流增益:40@200mA@1V|20@1A@1V; 最大工作频率:32(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0...
2SA1048,晶体管,三极管,TO-92S封装,参数为:Pcm=200mW,Ic=150mA,BVcbo=50V,BVceo=50V,BVebo=5V,hfe(Min)=70,hfe(Max)=400,Vce(sat)=0.3V,fr=80MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BCR185E6433HTMA1,数字晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:70@5mA@5V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface ...
BC857A,215,功率晶体管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:125@2mA@5V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.3@0.5mA@...
MUN2134T1G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SC-59-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:80@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买...
KTD1146,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=625mW,Ic=5000mA,BVcbo=40V,BVceo=20V,BVebo=7V,hfe(Min)=120,hfe(Max)=700,Vce(sat)=0.4V,fr=20MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
3CG8551,晶体管,三极管,TO-92L封装,参数为:Pcm=750mW,Ic=2000mA,BVcbo=50V,BVceo=40V,BVebo=5V,hfe(Min)=100,hfe(Max)=320,Vce(sat)=1V,fr=150MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SA1357,晶体管,三极管,TO-126C封装,参数为:Pcm=1500mW,Ic=5000mA,BVcbo=35V,BVceo=20V,BVebo=8V,hfe(Min)=100,hfe(Max)=320,Vce(sat)=1V,fr=170+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
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