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2SB649A

2SB649A,晶体管,三极管,TO-126C封装,参数为:Pcm=1000mW,Ic=1500mA,BVcbo=180V,BVceo=160V,BVebo=5V,hfe(Min)=60,hfe(Max)=200,Vce(sat)=1V,fr=140+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

  • 品牌:CN
  • 封装:TO-126C
  • 描述:晶体管,三极管
  • Description:Transistor

电气特性 Features

  • 类型: 开关二极管
  • Pd = 350mW
  • Io = 150mA
  • Vr = 75V
  • Vf = 1.25V
  • Ir = 1uA
  • Trr = 4ns
  • 内部电路图:
    2SB649A内部电路图

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  • 品牌:CN
  • 封装:TO-126C
  • 描述:晶体管,三极管
  • Description:Transistor

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