RN2301(T5LHITJ,F)
RN2301(T5LHITJ,F),数字晶体管,品牌:Toshiba,封装:USM-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:30@10mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mo...
PDTA123JT,215
PDTA123JT,215,数字晶体管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:100@10mA@5V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Moun...
2SA1318
2SA1318,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=500mW,Ic=200mA,BVcbo=60V,BVceo=50V,BVebo=6V,hfe(Min)=100,hfe(Max)=560,Vce(sat)=0.3V,fr=200+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BUJ103AD,118
BUJ103AD,118,功率晶体管,品牌:NXP,封装:DPAK-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:400 V; 最大DC直流集电极电流:4 A; 最小DC直流电流增益:10@1mA@5V|13@500mA@5V; 最大集电极发射极饱和电压:1@0.6A@3A V; 最大集电极基极电压:...
MPSL51
MPSL51,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=625mW,Ic=200mA,BVcbo=100V,BVceo=100V,BVebo=4V,hfe(Min)=40,hfe(Max)=250,Vce(sat)=0.3V,fr=60MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
SMMUN2111LT3G
SMMUN2111LT3G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:35@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询...
TPCP8J01(TE85L,F,M)
TPCP8J01(TE85L,F,M),硅P沟道MOS型和硅NPN外延型,品牌:Toshiba,封装:PS-8,参数:分类:Silicon P Channel Mos Type and Silicon NPN Epitaxial Type; 引脚数目:8; 工作温度:-55 to 150 ℃; 所属系列:TPCP8J0...
PBRP113ZT,215
PBRP113ZT,215,数字晶体管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:40 V; 峰值DC直流集电极电流:600 mA; 最小DC直流电流增益:190@50mA@5V|230@300mA@5V|190@600mA@5V; 工作温度:-55 t...
BC847AW,135
BC847AW,135,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SC-70-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:110@2mA@5V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.2@0.5mA@10...
KSA1156YSTSTU
KSA1156YSTSTU,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-126-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:400 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:100@100mA@5V; 最大集电极发射极饱和电压:1@10mA@100mA V; 最大集电极...
2SD1664
2SD1664,贴片晶体管,三极管,SOT-89-3L封装,参数为:Pcm=500mW,Ic=1000mA,BVcbo=40V,BVceo=32V,BVebo=5V,hfe(Min)=82,hfe(Max)=390,Vce(sat)=0.4V,fr=150+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-8389756...
FMY1AT148
FMY1AT148,功率晶体管,品牌:Rohm,封装:SMT-5,参数:类型:NPN|PNP; 引脚数量:5; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:0.15 A; 最小DC直流电流增益:120@1mA@6V; 最大工作频率:180(Typ)@NPN|140(Typ)@PNP MHz; 最大集电极发...
BCW60BE6327
BCW60BE6327,功率晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-23-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:32 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:20@10uA@5V|180@2mA@5V|70@50mA@1V; 最大工作频率:250(Typ) MH...
BLT81,115
BLT81,115,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-223-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:9.5 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:25@300mA@5V; 最大集电极基极电压:20 V; 工作温度:-65 to 175 ℃; 最大功率耗散:20...
ULQ2003D1
ULQ2003D1,三极管,达林顿管,品牌:STMicroelectronics,封装:SO-16,参数:配置:Array 7; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最大集电极发射极饱和电压:1.1@250uA@100mA|1.3@350uA@200mA|1.6@50...
DDTC115GUA-7-F
DDTC115GUA-7-F,数字晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-323-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:82@5mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mou...
DTA114YKA
DTA114YKA,PNP贴片数字晶体管,由ROHM原厂生产,SOT-23-3L封装,参数为:Pd=200mW,Io=100mA,Vcc=50V,Gi=68,Vo(on)=0.3V,R1=10K+欧姆,R2=47K+欧姆,fr=250+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BCR198E7874
BCR198E7874,数字晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:70@5mA@5V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount...
ZX5T3Z
ZX5T3Z,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-89-4,参数:类型:PNP; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:5.5 A; 最小DC直流电流增益:200@10mA@2V|200@500mA@2V|170@2A@2V|110@5.5A@2V; 最大工作频率:152(...
2N6109G
2N6109G,功率晶体管,品牌:ON,封装:TO-220AB-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:7 A; 最小DC直流电流增益:30@2.5A@4V|2.3@7A@4V; 最大工作频率:10(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:3.5@3A@...