KTA1659
KTA1659,晶体管,三极管,TO-220F封装,参数为:Pcm=2000mW,Ic=1500mA,BVcbo=160V,BVceo=160V,BVebo=5V,hfe(Min)=70,hfe(Max)=240,Vce(sat)=1.5V,fr=100+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
NSVMUN5131T1G
NSVMUN5131T1G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SOT-323-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:8@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报...
SBC807-40LT1G
SBC807-40LT1G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SOT-23-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:250@100mA@1V|40@500mA@1V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发射极饱...
ZTX849STZ
ZTX849STZ,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:E-Line-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:30 V; 最大DC直流集电极电流:5 A; 最小DC直流电流增益:100@10mA@1V|100@1A@1V|100@5A@1V|30@20A@1V; 最大工作频率:100(Typ)...
MUN5315DW1T1G
MUN5315DW1T1G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SOT-363-6,参数:配置:Dual; 类型:NPN|PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:160@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Moun...
2SA1357
2SA1357,晶体管,三极管,TO-126C封装,参数为:Pcm=1500mW,Ic=5000mA,BVcbo=35V,BVceo=20V,BVebo=8V,hfe(Min)=100,hfe(Max)=320,Vce(sat)=1V,fr=170+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
DTC114WSA
DTC114WSA,NPN数字晶体管,由ROHM原厂生产,TO-92S封装,参数为:Pd=300mW,Io=100mA,Vcc=50V,Gi=24,Vo(on)=0.3V,R1=10K+欧姆,R2=4.7K+欧姆,fr=250+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SA2126-E
2SA2126-E,功率晶体管,品牌:ON,封装:TP-3,参数:询报价及购买请致电:0755-83897562
BCX5110TA
BCX5110TA,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-89-4,参数:类型:PNP; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:25@5mA@2V|40@150mA@2V|25@500mA@2V|63@150mA@2V; 最大工作频率:150(...
BF421
BF421,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-92-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:300 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:50@25mA@20V; 最大工作频率:60(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0....
DTC123JET1G
DTC123JET1G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SOT-416-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:80@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 库存...
BSP19,115
BSP19,115,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-223-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:350 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:40@20mA@10V; 最大工作频率:70(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@4mA@50m...
ISL73127RHVF
ISL73127RHVF,功率晶体管,品牌:Intersil,封装:CFPAK-16,参数:类型:NPN|PNP; 引脚数量:16; 最小DC直流电流增益:130(Typ)@NPN|60(Typ)@PNP; 最大工作频率:8000(Typ)@NPN|5500(Typ)@PNP MHz; 工作温度:-55 to 125 ...
SBC856BLT1G
SBC856BLT1G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SOT-23-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:65 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:220@2mA@5V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.3@0.5mA@10...
BC846CMTF
BC846CMTF,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:SOT-23-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:65 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:420@2mA@5V; 最大工作频率:300(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.25@0....
TIPP117-R-S
TIPP117-R-S,三极管,达林顿管,品牌:Bourns,封装:TO-92-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:100 V; 峰值DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:1000@1A@4V|500@2A@4V; 最大集电极发射极饱和电压:2.5@8mA@2A V; 最...
2SD669
2SD669,晶体管,三极管,TO-126C封装,参数为:Pcm=1000mW,Ic=1500mA,BVcbo=180V,BVceo=120V,BVebo=5V,hfe(Min)=60,hfe(Max)=320,Vce(sat)=1V,fr=140+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SD1963T100R
2SD1963T100R,功率晶体管,品牌:Rohm,封装:MPT-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:20 V; 最大DC直流集电极电流:3 A; 最小DC直流电流增益:180@500mA@2V; 最大工作频率:150(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.45@0.15A@1...
BFG505/X,235
BFG505/X,235,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:15 V; 最大DC直流集电极电流:0.018 A; 最小DC直流电流增益:60@5mA@6V; 最大工作频率:9000(Typ) MHz; 最大集电极基极电压:20 V; 工作温度:-65...
RN1902FETE85LF
RN1902FETE85LF,数字晶体管,品牌:Toshiba,封装:ES-6,参数:配置:Dual; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:80@10mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 库...