BFG67,235
BFG67,235,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:10 V; 最大DC直流集电极电流:0.05 A; 最小DC直流电流增益:60@15mA@5V; 最大工作频率:8000(Typ) MHz; 最大集电极基极电压:20 V; 工作温度:-65 to...
NSBC115EDXV6T1G
NSBC115EDXV6T1G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SOT-563-6,参数:配置:Dual; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:80@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. ...
MMSTA05-7-F
MMSTA05-7-F,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-323-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:100@10mA@1V|100@100mA@1V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发...
MJD31CT4
MJD31CT4,功率晶体管,品牌:ST Micro,封装:TO-252-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:100 V; 最大DC直流集电极电流:3 A; 最小DC直流电流增益:20@500mA@10V|3@0.5A@10V; 最大集电极发射极饱和电压:1.2@375mA@3A V; 最大...
DMB54D0UV-7
DMB54D0UV-7,N沟道增强型MOSFETPNP晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-563-6,参数:分类:N-Channel Enhancement Mode MOSFET Plus PNP Transistor; 引脚数目:6; 工作温度:-55 to 150 ℃; 所属系列:DMB54D0UV; 安装...
BC141-10
BC141-10,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-39-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:63@100mA@1V; 最大集电极发射极饱和电压:1@0.1A@1A V; 最大集电极基极电压...
FCX1053ATA
FCX1053ATA,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-89-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:75 V; 最大DC直流集电极电流:3 A; 最小DC直流电流增益:270@10mA@2V|300@500mA@2V|300@1A@2V|40@4.5A@2V; 最大工作频率:140...
ULN2003AIPWE4
ULN2003AIPWE4,三极管,达林顿管,品牌:TI,封装:TSSOP-16,参数:配置:Array 7; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最大集电极发射极饱和电压:1.1@100mA|1.3@200mA|1.6@350mA V; 安装方式:Surface M...
RN2405(T5L,M)
RN2405(T5L,M),数字晶体管,品牌:Toshiba,封装:S-Mini-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:80@10mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mou...
MC1413DG
MC1413DG,三极管,达林顿管,品牌:ON,封装:SOIC-16,参数:配置:Array 7; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:1000@350mA@2V; 最大集电极发射极饱和电压:1.6@500uA@350mA|1.3@350uA@2...
DDTA114ECAQ-7-F
DDTA114ECAQ-7-F,数字晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:30@5mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mou...
MMUN2140LT1G
MMUN2140LT1G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:120@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报...
PBSS4041SP,115
PBSS4041SP,115,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SO-8,参数:类型:PNP; 引脚数量:8; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:5.9 A; 最小DC直流电流增益:200@500mA@2V|180@1A@2V|150@2A@2V|120@4A@2V|80@6A@2V; 最大工作频...
PUMD18,115
PUMD18,115,数字晶体管,品牌:NXP,封装:TSSOP-6,参数:配置:Dual; 类型:NPN|PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:50@10mA@5V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报...
BC847CDW1T1G
BC847CDW1T1G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SC-88-6,参数:类型:NPN; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:420@2mA@5V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.25@0.5mA@1...
ULN2802A
ULN2802A,三极管,达林顿管,品牌:STMicroelectronics,封装:PDIP-18,参数:配置:Octal Common Emitter; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最大集电极发射极饱和电压:1.1@250uA@100mA|1.3@350u...
MJE3055T
MJE3055T,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-220-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:10 A; 最小DC直流电流增益:20@4A@4V|5@10A@4V; 最大工作频率:2(Min) MHz; 最大集电极发射极...
PMP4201Y,135
PMP4201Y,135,功率晶体管,品牌:NXP,封装:TSSOP-6,参数:类型:NPN; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:200@2mA@5V; 最大工作频率:250(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.2@0.5mA@1...
MSB92AS1WT1G
MSB92AS1WT1G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SC-70-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:300 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:120@1mA@10V|40@10mA@10V|25@30mA@10V; 最大工作频率:50(Min) MHz; ...
FJX3007RTF
FJX3007RTF,数字晶体管,品牌:Fairchild,封装:SOT-323-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:68@5mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Moun...