ESDALCL6-4P6A
ESDALCL6-4P6A,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:STMicroelectronics,封装:SOT-666-6,参数:类型:Diode Arrays; 配置:Quad; 引脚数量:6; 方向类型:Uni-Directional; 每芯片单元数目:4; 最大漏电流:0.01 uA; 电容值:2.5 pF;...
SMBJ5.0CAE3
SMBJ5.0CAE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 5V 600W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 65.2 A; 最大反向漏电流...
SMAJ45CAHE3
SMAJ45CAHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 45V 400W,品牌:Vishay,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 5.5 A; 最大反向漏电流: 1 uA; ...
SM6S26AHE3
SM6S26AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 26V 4.6KW,品牌:Vishay,封装:DO-218AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 4600 W; 最大峰值脉冲电流: 109 A; 最大反向漏电流...
CD143A-SR2.8
CD143A-SR2.8,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:Bourns,封装:SOT-143-4,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:4; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:8.5 V; 每芯片单元数目:2; ESD保护电压:±30@Air Gap/±30@Contact Di...
P4SMA16CA-E3
P4SMA16CA-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 13.6V 400W,品牌:Vishay,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 17.8 A; 最大反向漏电流: 1 ...
SMDA15C-7E3
SMDA15C-7E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Array 7 Bi-Dir 15V 300W,品牌:Microsemi,封装:SOIC-8,参数:配置: Array 7; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 300 W; 最大峰值脉冲电流: 5 A; 最大反向漏电流: ...
SMCJ9.0AE3
SMCJ9.0AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 9V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 97.4 A; 最大反向...
LC10A
LC10A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 10V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 88 A; 最大反向漏电流: 10 u...
1N6158
1N6158, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 35.8V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case G,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 23.2 A; 最大反向漏电流:...
SMCJ22CA-13-F
SMCJ22CA-13-F, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 22V 1.5KW,品牌:Diodes,封装:SMC,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 42.2 A; 最大反向漏电流: 5...
CD214C-T28CALF
CD214C-T28CALF, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 28V 1.5KW,品牌:Bourns,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500(Min) W; 最大峰值脉冲电流: 33 A; 最...
P4SMA170AHE3
P4SMA170AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 145V 400W,品牌:Vishay,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 1.3 A; 最大反向漏电流: 1 ...
SMLJ48CE3
SMLJ48CE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 48V 3KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 3000 W; 最大峰值脉冲电流: 35 A; 最大反向漏电流: 2...
RCLAMP0544M.TBT
RCLAMP0544M.TBT,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:Semtech,封装:MSOP-10,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:10; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:20 V; 每芯片单元数目:4; ESD保护电压:18@Air Gap/12@Contact Di...
SMCJ6065AE3
SMCJ6065AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 100V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 8.9 A; 最大反向...
SMBJ13CE3
SMBJ13CE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 13V 600W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 25.2 A; 最大反向漏电流:...
SMBJ13AE3
SMBJ13AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 13V 600W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 27.9 A; 最大反向漏电...
TPSMA27AHE3_A/I
TPSMA27AHE3_A/I, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Directional 23.1V 400W,品牌:Vishay,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 1...
JAN1N6461
JAN1N6461, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 5V 500W,品牌:Semtech,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 315 A; 最大反向漏电流: 3000...