1N6047, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 17V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 47 A; 最大反向漏电流: 5 uA;...
P4SMA440AHE3_A/I, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Directional 376V 400W,品牌:Vishay,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 0...
SMCG90AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 90V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:SMCG,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 10.3 A; 最大反向漏电流: 1...
5KP36A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 36V 5KW,品牌:Vishay,封装:2Case P600,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 最大峰值脉冲电流: 86.1 A; 最大反向漏电流: 2...
SMCJ28CA-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 28V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:SMC,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 33 A; 最大反向漏电流: 1 uA;...
CD214A-T16CALF, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 16V 400W,品牌:Bourns,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400(Min) W; 最大峰值脉冲电流: 15.3 A; 最大反向漏电...
ICT-15, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 15V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 60 A; 最大反向漏电流: 2 u...
1.5KE180CAHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 154V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 6.1 A; 最大反向漏电流:...
1.5KE36CAHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 30.8V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 30.1 A; 最大反向漏电流...
SMC3K75CA-M3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Directional 75V 3KW,品牌:Vishay,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 3000 W; 最大峰值脉冲电流: 24.8 A; ...
SMBG75AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 75V 600W,品牌:Vishay,封装:SMBG,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 5 A; 最大反向漏电流: 1 uA; ...
BZW04-10-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 10.2V 400W,品牌:Vishay,封装:DO-204AL,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 24 A; 最大反向漏电流...
1N6116US, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 20.6V 500W,品牌:Microsemi,封装:E-MELF-2,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 13.4 A; 最大反向漏电流...
SMCJ6066AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 110V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 5.8 A; 最大反向...
1N6139US, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 5.7V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:2G-MELF,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 133.9 A; 最大反向漏电...
1N6108US, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 9.1V 500W,品牌:Microsemi,封装:E-MELF-2,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 29.6 A; 最大反向漏电流:...
USB50403CE3/TR7, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 3.3V 500W,品牌:Microsemi,封装:4SOT-143,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 5 A; 最大反向...
SMBJ28CAE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 28V 600W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 13.2 A; 最大反向漏电流...
TPD4EUSB30DQAR,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:TI,封装:SON-10,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:10; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:8 V; 每芯片单元数目:4; ESD保护电压:±9@Air Gap/±8@Contact Disc kV; 最...
CD214C-T10CALF, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 10V 1.5KW,品牌:Bourns,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500(Min) W; 最大峰值脉冲电流: 88.2 A;...
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