DVIULC6-2P6
DVIULC6-2P6,ESD静电抑制器,品牌:STMicroelectronics,封装:SOT-666-6,参数:引脚数量:6; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:17 V; 每芯片单元数目:2; ESD保护电压:±15@Air Gap/±15@Contact Disc KV; 最大漏电流:...
1SMA40CAT3G
1SMA40CAT3G, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 40V 400W,品牌:ON,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 6.2 A; 最大反向漏电流: 2.5 uA; 最大...
1.5KE250CA-B
1.5KE250CA-B, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 214V 1.5KW,品牌:Diodes,封装:DO-201,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 5 A; 最大反向漏电流: 5...
PTVS64VS1UTR,115
PTVS64VS1UTR,115, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 64V 400W,品牌:NXP,封装:SOD-123W,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 3.9 A; 最大反向漏电...
SMCJLCE11AE3
SMCJLCE11AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 11V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 82 A; 最大反...
RCLAMP0503N.TCT
RCLAMP0503N.TCT, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 6.5V 100W,品牌:Semtech,封装:6SLP,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 100 W; 最大峰值脉冲电流: 3 A; 最大反向漏电流:...
PIP250
PIP250, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 354V 15KW,品牌:Microsemi,封装:2Case 11,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 15000 W; 最大峰值脉冲电流: 23 A; 最大反向漏电流: 2...
1N5663
1N5663, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 138V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 6.2 A; 最大反向漏电流: 5...
SMAJ36AE3
SMAJ36AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 36V 500W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 8.6 A; 最大反向漏电流...
MPT-8
MPT-8, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 8V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 100 A; 最大反向漏电流: 25 u...
SMBJ7.0CA-13-F
SMBJ7.0CA-13-F, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 7V 600W,品牌:Diodes,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 50 A; 最大反向漏电流: 400 u...
P4KA8.2AHE3
P4KA8.2AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 7.02V 400W,品牌:Vishay,封装:DO-204AL,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 33.1 A; 最大反向漏...
SMBJ100CA-13
SMBJ100CA-13, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 100V 600W,品牌:Diodes,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 3.7 A; 最大反向漏电流: 5 uA...
PESD15VS2UQ,115
PESD15VS2UQ,115,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:NXP,封装:SOT-663-3,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:3; 方向类型:Uni-Directional|Bi-Directional; 最大钳位电压:40 V; 每芯片单元数目:2; ESD保护电压:30@Contact D...
SMBG58AHE3
SMBG58AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 58V 600W,品牌:Vishay,封装:SMBG,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 6.4 A; 最大反向漏电流: 1 uA...
LC20
LC20, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 20V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 42 A; 最大反向漏电流: 10 uA...
SMCJ6.5CE3
SMCJ6.5CE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 6.5V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 122 A; 最大反向漏...
B72714D 160H 60
B72714D 160H 60,ESD静电抑制器,品牌:EPCOS(TDK),封装:SMD-8,参数:类型:CeraDiode; 引脚数量:8; 方向类型:Bi-Directional; 最大钳位电压:66 V; 每芯片单元数目:4; ESD保护电压:15@Air Gap/8@Contact Disc kV; 最大工作...
SMAJ85E3
SMAJ85E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 85V 500W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 3.3 A; 最大反向漏电流:...
CD214C-T8.0CALF
CD214C-T8.0CALF, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 8V 1.5KW,品牌:Bourns,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500(Min) W; 最大峰值脉冲电流: 110.3 A...