SMBJ120AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 120V 600W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 3.1 A; 最大反向漏...
PTVS20VS1UTR,115, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 20V 400W,品牌:NXP,封装:SOD-123W,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 12.3 A; 最大反向漏...
CD143A-SR05LC,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:Bourns,封装:SOT-143-4,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:4; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:20 V; 每芯片单元数目:2; ESD保护电压:±15@Air Gap/±8@Contact Dis...
SM1605C, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Octal Bi-Dir 5V 300W,品牌:Microsemi,封装:SOIC-16,参数:配置: Octal; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 300 W; 最大峰值脉冲电流: 5 A; 最大反向漏电流: 40 uA; 最...
SMLJ8.0A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 8V 3KW,品牌:Bourns,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 3000(Min) W; 最大峰值脉冲电流: 220.6 A; 最大反向漏...
PTVS10VS1UR,115, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 10V 400W,品牌:NXP,封装:SOD-123W,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 23.5 A; 最大反向漏电...
T5V0DLP-7B, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Dual Uni-Directional 5V 25W,品牌:Diodes,封装:3DFN,参数:配置: Dual; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 25 W; 最大峰值脉冲电流: 2 A; 最大反向漏电流: 0.25 ...
1N646-1, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 5V 500W,品牌:Microsemi,封装:2Case E,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 315 A; 最大反向漏电流: 30...
P6KE9.1A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 7.78V 600W,品牌:Vishay,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 44.8 A; 最大反向漏电流:...
SMLJ51CE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 51V 3KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 3000 W; 最大峰值脉冲电流: 37 A; 最大反向漏电流: 2...
SM6T56CA, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 47.6V 600W,品牌:ST,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 40 A; 最大反向漏电流: 0.2 uA; 最大钳位...
SMBJ7.0CA-13-F, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 7V 600W,品牌:Diodes,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 50 A; 最大反向漏电流: 400 u...
P6KE350A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 300V 600W,品牌:Vishay,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 1.2 A; 最大反向漏电流: 1...
MMAD1103/TR13,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:Microsemi,封装:SOIC-14,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:14; 方向类型:Uni-Directional; 每芯片单元数目:8; ESD保护电压:15@Air Gap/8@Contact Disc kV; 最大工作电压:...
1.5KE100AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 85.5V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 10.9 A; 最大反向漏...
JANTX1N6164, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 62.2V 1.5KW,品牌:Semtech,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 12.7 A; 最大反向漏电流...
SMLJ75CE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 75V 3KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 3000 W; 最大峰值脉冲电流: 22.4 A; 最大反向漏电流:...
SMCG6.5A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 6.5V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:SMCG,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 133.9 A; 最大反向漏电流...
ICTE5HE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 5V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 160 A; 最大反向漏电流: 300 ...
SMCJ15CA, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 15V 1.5KW,品牌:Fairchild,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 61.5 A; 最大反向漏电流...
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