1N6108AUS, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 9.1V 500W,品牌:Microsemi,封装:E-MELF-2,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 29.6 A; 最大反向漏电流...
1.5SMC16CA-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 13.6V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:SMC,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 66.7 A; 最大反向漏电流:...
1N6103US, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 5.7V 500W,品牌:Microsemi,封装:E-MELF-2,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 44.6 A; 最大反向漏电流:...
SMBG33CAHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 33V 600W,品牌:Vishay,封装:SMBG,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 11.3 A; 最大反向漏电流: 1 uA...
3KASMC10AHE3_A/I, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 10V 3000W,品牌:Vishay,封装:SMC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 3000 W; 最大峰值脉冲电流: 177 A; 最大反向漏电...
SMCJ17CAHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 17V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:SMC,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 54.3 A; 最大反向漏电流: 1 u...
TPSMP39AHM3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 33.3V 400W,品牌:Vishay,封装:DO-220AA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 7.4 A; 最大反向漏电...
SMCG110CAHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 110V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:SMCG,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 8.5 A; 最大反向漏电流: 1...
SMAJ15AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 15V 500W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 20.6 A; 最大反向漏电...
B72724D 200A 62,ESD静电抑制器,品牌:EPCOS(TDK),封装:SMD-8,参数:类型:CeraDiode; 引脚数量:8; 方向类型:Bi-Directional; 最大钳位电压:50 V; 每芯片单元数目:4; ESD保护电压:15@Air Gap/8@Contact Disc KV; 最大工作...
NUP1301ML3T1G,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:ON,封装:SOT-23-3,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:3; 方向类型:Uni-Directional; 每芯片单元数目:2; ESD保护电压:15@Air Gap/8@Contact Disc kV; 最大工作电压:70 V; 最...
1N6065A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 100V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 8.9 A; 最大反向漏电流: 5 ...
SMAJ6.5A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 6.5V 400W,品牌:Bourns,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400(Min) W; 最大峰值脉冲电流: 35.7 A; 最大反向漏电流: ...
1.5KE15CA-T, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 12.8V 1.5KW,品牌:Diodes,封装:DO-201,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 71 A; 最大反向漏电流: ...
1N6151A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 18.2V 1.5KW,品牌:Semtech,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 45 A; 最大反向漏电流: 5 uA...
LXES1TBBB2-013,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:Murata,封装:QFN-6,参数:类型:Diode Arrays; 配置:Dual; 引脚数量:6; 方向类型:Uni-Directional; 每芯片单元数目:2; ESD保护电压:±15@Air Gap|±12@Contact Disc kV; ...
SMCJ85AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 85V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 10.4 A; 最大反向...
ICT-8C, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 8V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 100 A; 最大反向漏电流: 25 uA...
5KASMC10AHM3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Directional 10V 5KW,品牌:Vishay,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 最大峰值脉冲电流: 294.1 ...
SMAJ26CAHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 26V 400W,品牌:Vishay,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 9.5 A; 最大反向漏电流: 1 uA; ...
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