• 登录
社交账号登录

SMBJ43CA-13-F

SMBJ43CA-13-F, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 43V 600W,品牌:Diodes,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 8.6 A; 最大反向漏电流: 5 uA...

EZAEG2A50AX

EZAEG2A50AX,ESD静电抑制器,品牌:Panasonic,封装:SMD-2,参数:引脚数量:2; 方向类型:Bi-Directional; 最大钳位电压:100 V; 每芯片单元数目:1; ESD保护电压:8@Contact Disc KV; 最大工作电压:500 V; 电容值:0.1 pF; 最低工作温度:...

5KP22CAE3

5KP22CAE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 22V 5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case 5A,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 最大峰值脉冲电流: 141 A; 最大反向漏电流: ...

SMCJ12AHE3

SMCJ12AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 12V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:SMC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 75.4 A; 最大反向漏电流: 5 ...

BZW04-7V8HE3

BZW04-7V8HE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 7.78V 400W,品牌:Vishay,封装:DO-204AL,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 30 A; 最大反向漏电...

P6KE9.1CA-E3

P6KE9.1CA-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 7.78V 600W,品牌:Vishay,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 44.8 A; 最大反向漏电流: ...

1SMB33CAT3G

1SMB33CAT3G, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 33V 600W,品牌:ON,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 11.3 A; 最大反向漏电流: 5 uA; 最大钳...

SMBJ36AHE3

SMBJ36AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 36V 600W,品牌:Vishay,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 10.3 A; 最大反向漏电流: 1 uA...

P6SMB39AHE3

P6SMB39AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 33.3V 600W,品牌:Vishay,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 11.1 A; 最大反向漏电流: 1...

TPSMP33HM3

TPSMP33HM3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 26.8V 400W,品牌:Vishay,封装:DO-220AA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 8.4 A; 最大反向漏电流...

LXES2TBCC4-028

LXES2TBCC4-028,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:Murata,封装:DFN-10,参数:类型:Diode Arrays; 配置:Quad; 引脚数量:10; 方向类型:Uni-Directional; 每芯片单元数目:4; ESD保护电压:±15@Air Gap|±10@Contact Disc kV...

1N6135AUS

1N6135AUS, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 121.6V 500W,品牌:Microsemi,封装:E-MELF-2,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 2.3 A; 最大反向漏电...

D1213A-04TS-7

D1213A-04TS-7,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:Diodes,封装:TSOT-26-6,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:6; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:10(Typ) V; 每芯片单元数目:4; ESD保护电压:±15@Air Gap/±8@Contac...

1N5643A

1N5643A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 23.1V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 40 A; 最大反向漏电流: ...

P6KE51CAHE3

P6KE51CAHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 43.6V 600W,品牌:Vishay,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 8.6 A; 最大反向漏电流: 1 ...

SMA5J11CA-E3

SMA5J11CA-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 11V 500W,品牌:Vishay,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 27.5 A; 最大反向漏电流: 1 uA...

CD214B-T170CALF

CD214B-T170CALF, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 170V 600W,品牌:Bourns,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 2.2 A; 最大反向漏电流: 5...

P6SMB15CAHE3

P6SMB15CAHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 12.8V 600W,品牌:Vishay,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 28.3 A; 最大反向漏电流: 1 ...

DVIULC6-2P6

DVIULC6-2P6,ESD静电抑制器,品牌:STMicroelectronics,封装:SOT-666-6,参数:引脚数量:6; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:17 V; 每芯片单元数目:2; ESD保护电压:±15@Air Gap/±15@Contact Disc KV; 最大漏电流:...

1N6289A-E3

1N6289A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 47.8V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 19.5 A; 最大反向漏电流...