1V5KE12A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 10.2V 1.5KW,品牌:Fairchild,封装:DO-201AE,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 90 A; 最大反向漏...
SMCG60AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 60V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:SMCG,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 15.5 A; 最大反向漏电流: 1...
SA64CA-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 64V 500W,品牌:Vishay,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 4.9 A; 最大反向漏电流: 1 uA; ...
1.5KE82A-B, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 70.1V 1.5KW,品牌:Diodes,封装:DO-201,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 13.3 A; 最大反向漏电...
5KP160AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 160V 5KW,品牌:Vishay,封装:2Case P600,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 最大峰值脉冲电流: 19.3 A; 最大反向漏...
SZ1.5SMC33AT3G, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 28.2V 1.5KW,品牌:ON,封装:SMC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 33 A; 最大反向漏电流: 5 ...
TPD4E004DRYRG4,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:TI,封装:USON-6,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:6; 方向类型:Uni-Directional; 每芯片单元数目:4; ESD保护电压:±12@Air Gap/±8@Contact Disc/±15@HBM kV; 最大漏电流...
P6KE350A-B, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 300V 600W,品牌:Diodes,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 1.25 A; 最大反向漏电流: 5...
SMB10J33A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 33V 1KW,品牌:Vishay,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1000 W; 最大峰值脉冲电流: 18.8 A; 最大反向漏电流: 1 ...
5KP58E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 58V 5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case 5A,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 最大峰值脉冲电流: 49 A; 最大反向漏电流: 1...
IP4285CZ9-TBB,115,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:NXP,封装:XSON-9,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:9; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:4.2(Typ) V; 每芯片单元数目:4; ESD保护电压:±12@Contact Disc kV; 最...
SMCJ6047A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 18V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 49 A; 最大反向漏电流:...
P4KE130CAHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 111V 400W,品牌:Vishay,封装:DO-204AL,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 2.2 A; 最大反向漏电流:...
SMCJ6.5E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 6.5V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 122 A; 最大反向...
SMCJ70CA-TR, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 70V 1.5KW,品牌:ST,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 69 A; 最大反向漏电流: 0.2 ...
5KP6.0AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 6V 5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case 5A,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 最大峰值脉冲电流: 485 A; 最大反向漏电流:...
SMBJ45A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 45V 600W,品牌:Vishay,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 8.3 A; 最大反向漏电流: 1 uA;...
SESD0402Q2UG-0020-090,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:TE,封装:DFN-3,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:3; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:9.2 V; 每芯片单元数目:2; ESD保护电压:20@Air Gap/20@Contact Dis...
SMBJ33CE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 33V 600W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 10.2 A; 最大反向漏电流:...
DZQA6V8AXV5-7, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Quad Uni-Dir 4.3V 20W,品牌:Diodes,封装:5SOT-553,参数:配置: Quad; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 20 W; 最大峰值脉冲电流: 1.6 A; 最大反向漏电流: 1 ...
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