IRFP3710
IRFP3710,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-247AC封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=25.0mOhms,Id=51A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFS7530
IRFS7530,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=60V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=2.0mOhms,Id=295A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF2804S
IRF2804S,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=40V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=2.3mOhms,Id=280A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF3808S
IRF3808S,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=75V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=7.0mOhms,Id=105A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF7862
IRF7862,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=3.3mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFR3708
IRFR3708,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=30V,VGs=12V,RDS(on) Max 10V=12.5mOhms,Id=61A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFI4227
IRFI4227,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220 FullPak (Iso)封装,参数为:VBrds=200V,VGs=30V,RDS(on) Max 10V=22.0mOhms,Id=26A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFH7191
IRFH7191,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 B/E封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=8mOhms,Id=80A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFH5206
IRFH5206,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 B/E封装,参数为:VBrds=60V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=6.7mOhms,Id=89A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRLR7821
IRLR7821,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=10.0mOhms,Id=65A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MMBF5459
MMBF5459,场效应晶体管,品牌:Fairchild,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大门源电压:-25 V; 最大漏极栅极电压:25 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562
IRFB7440
IRFB7440,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=40V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=2.5mOhms,Id=208A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BF861B,235
BF861B,235,场效应晶体管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:25 V; 最大门源电压:25 V; 最大漏极栅极电压:25 V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83...
IRFR3505
IRFR3505,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=13.0mOhms,Id=71A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFP2907
IRFP2907,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-247AC封装,参数为:VBrds=75V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=4.5mOhms,Id=209A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFH5006
IRFH5006,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 B/E封装,参数为:VBrds=60V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=4.1mOhms,Id=100A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFS7530-7P
IRFS7530-7P,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak 7-Lead封装,参数为:VBrds=60V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=1.4mOhms,Id=240A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
ATF-38143-TR2G
ATF-38143-TR2G,场效应晶体管,品牌:Avago,封装:SOT-343-4,参数:配置:Single Dual Source; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:4.5 V; 最大连续漏极电流:145 mA; 最大门源电压:-4 V; 最大漏极栅极电压:-4 V; 工作温度:-65 to 160 ℃; 安装...
TF252TH-5-TL-H
TF252TH-5-TL-H,场效应晶体管,品牌:ON,封装:VTFP-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大连续漏极电流:1 mA; 最大漏极栅极电压:-20 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562
IRFB31N20D
IRFB31N20D,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=200V,VGs=30V,RDS(on) Max 10V=82.0mOhms,Id=31A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562