IRG4BH20K-S
IRG4BH20K-S,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:Vces=1200V,Ic@100C=5.0A,Vce(ON)@25C typ=3.17V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRG4CC30FB
IRG4CC30FB,高速(1-8kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,Die(裸片)封装,参数为:Vces=600V,Vce(ON)@25C typ=1.59V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF6645
IRF6645,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET SJ封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=35.0mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
STGW45NC60VD
STGW45NC60VD,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:ST Micro,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:90 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-8389...