ISL9V3036S3ST
ISL9V3036S3ST,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Fairchild,封装:D2PAK-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:350 V; 最大连续集电极电流:21 A; 最大栅极发射极电压:±10 V; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83...
IRLML6401
IRLML6401,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,Micro 3/ SOT-23封装,参数为:VBrdss=-12V,VGs=8V,RDS(on) Max 4.5V=50.0mOhms,Qg Typ=10.0nC,Rth(JC)=100 (JA)K/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
STGWT40V60DLF
STGWT40V60DLF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:ST Micro,封装:TO-3P-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:80 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-55 to 175 ℃. ...
NGTB40N60FLWG
NGTB40N60FLWG,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:ON,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:80 A; 最大栅极发射极电压:±30 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-55 to 150 ℃. 询报价及购...
IRF7493
IRF7493,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=80V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=15.0mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BSM400GA170DL C#
BSM400GA170DL C#,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:4-Pin 62MM,参数:配置:Single Dual Emitter; 通道类型:N; 引脚数目:4; 最大集电极发射极电压:1700 V; 最大连续集电极电流:800 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Scre...
IRG4RC10SDPBF
IRG4RC10SDPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:DPAK-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:14 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562
FD800R17KF6C_B2
FD800R17KF6C_B2,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:IHM73-10,参数:配置:Single; 通道类型:N; 引脚数目:10; 最大集电极发射极电压:1700 V; 最大连续集电极电流:1300 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0...
IRF7504
IRF7504,双P沟道MOS管,由IR原厂生产,Micro 8封装,参数为:VBrdss=-20V,VGs Max=12V,RDS(on) Max 4.5V=270mOhms,Rth(JA)=100C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
STGB20NB37LZT4
STGB20NB37LZT4,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:STMicroelectronics,封装:D2PAK-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:375 V; 最大连续集电极电流:40 A; 最大栅极发射极电压:12 V; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致...
IRLIZ34N
IRLIZ34N,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220 FullPak (Iso)封装,参数为:VBrds=55V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=35.0mOhms,Id=20A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BYM300B170DN2
BYM300B170DN2,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:3-Pin 62MM,参数:配置:Single; 通道类型:N; 引脚数目:3; 最大集电极发射极电压:1700 V; 最大连续集电极电流:300 A; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-83897562
IRF2807
IRF2807,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=75V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=13.0mOhms,Id=82A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SK880-GR(TE85L,F)
2SK880-GR(TE85L,F),场效应晶体管,品牌:Toshiba,封装:USM-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大连续漏极电流:6.5 mA; 最大漏极栅极电压:-50 V; 工作温度:-55 to 125 ℃; 安装方式:Surface Mount. 库存实时更新,询报价及购买请致电:0...
CLY29-10(P)
CLY29-10(P),场效应晶体管,品牌:Infineon,封装:MWP-25-3,参数:配置:Single; 最大漏源电压:14 V; 最大连续漏极电流:700 mA; 最大门源电压:-6 V; 最大漏极栅极电压:16 V; 工作温度:-65 to 175 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755...
IRGB4064DPBF
IRGB4064DPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-220AB-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:20 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562...
IRF9Z34N
IRF9Z34N,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrdss=-55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=100.0mOhms,Qg Typ=23.3nC,Rth(JC)=2.7K/W,Power Dissipation@TC 25C=56W,Id@TC 25C=-17...
IRGS4045DPBF
IRGS4045DPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:D2PAK-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:12 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562
IGB15N60T
IGB15N60T,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-263-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:30 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-838975...
TIM7785-45SL
TIM7785-45SL,场效应晶体管,品牌:Toshiba,封装:3-Pin 2-16G1B,参数:配置:Single; 最大漏源电压:15 V; 最大连续漏极电流:20000 mA; 最大门源电压:-5 V; 工作温度:-65 to 175 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-8389756...