VS-GA200SA60UP
VS-GA200SA60UP,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Vishay,封装:SOT-227-4,参数:配置:Single Dual Emitter; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:200 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0...
IRFR3806
IRFR3806,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=60V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=15.8mOhms,Id=43A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF7526D1
IRF7526D1,集成肖特基二极管的P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,Micro 8封装,参数为:VBrdss=-30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=200.0mOhms,RDS(on) Max 4.5V=400.0mOhms,Qg Typ=7.5nC,Rth(JC)=100 (JA)K/W,库...
AUIRGS30B60KTRL
AUIRGS30B60KTRL,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:D2PAK-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:78 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-8389756...
IRG7PH50U
IRG7PH50U,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,TO-247封装,参数为:Vces=1200V,Ic@100C=90A,Vce(ON)@25C typ=1.70V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
FF150R12MS4G
FF150R12MS4G,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:ECONOD-11,参数:配置:Dual; 通道类型:N; 引脚数目:11; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:225 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 库存实时更新,询报价及购买请致电...
IRLTS2242
IRLTS2242,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TSOP-6 (Micro 6)封装,参数为:VBrdss=-20V,VGs=12V,RDS(on) Max 4.5V=-32.0mOhms,Qg Typ=12.0nC,Rth(JC)=62.5 (JA)K/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-838975...
STGW30NC60W
STGW30NC60W,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:ST Micro,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:60 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897...
FS35R12YT3
FS35R12YT3,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:EASY2-18,参数:配置:Hex; 通道类型:N; 引脚数目:18; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:40 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 库存实时更新,询报价及购买请致电:0755...
STGE50NB60HD
STGE50NB60HD,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:STMicroelectronics,封装:ISOTOP-4,参数:配置:Single Dual Emitter; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:100 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报...
FGL60N100BNTDTU
FGL60N100BNTDTU,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Fairchild,封装:TO-264-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1000 V; 最大连续集电极电流:60 A; 最大栅极发射极电压:±25 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755...
IRG4PC50UD-MP
IRG4PC50UD-MP,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-247AC-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:55 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-55 to 150 ℃. 询报价...
STGW50HF60SD
STGW50HF60SD,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:110 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致...
IRG4PH30K
IRG4PH30K,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,TO-247封装,参数为:Vces=1200V,Ic@100C=10A,Vce(ON)@25C typ=3.10V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFSL4410Z
IRFSL4410Z,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-262封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=9.0mOhms,Id=97A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
ISL9V5036S3ST
ISL9V5036S3ST,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Fairchild,封装:D2PAK-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:360 V; 最大连续集电极电流:46 A; 最大栅极发射极电压:±10 V; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83...
IRG4CH20KB
IRG4CH20KB,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,Die(裸片)封装,参数为:Vces=1200V,Vce(ON)@25C typ=3.17V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRGC100B120UB
IRGC100B120UB,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,Die(裸片)封装,参数为:Vces=1200V,Vce(ON)@25C typ=3.1V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MMBF4416
MMBF4416,场效应晶体管,品牌:Fairchild,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大门源电压:-30 V; 最大漏极栅极电压:30 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562
SKB06N60ATMA1
SKB06N60ATMA1,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-263-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:12 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83...