FS35R12KT3
FS35R12KT3,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:28-Pin ECONO 2,参数:配置:Hex; 通道类型:N; 引脚数目:28; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:55 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-...
ATF-541M4-TR1
ATF-541M4-TR1,场效应晶体管,品牌:Avago,封装:Mini-PAK-4,参数:配置:Single Dual Source; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:5 V; 最大连续漏极电流:120 mA; 最大门源电压:1 V; 最大漏极栅极电压:5 V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:S...
IRF3415
IRF3415,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=150V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=42.0mOhms,Id=43A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFHM8342
IRFHM8342,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 3.3 x 3.3封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=16.0mOhms,Id=28A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
ISL9V2540S3ST
ISL9V2540S3ST,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Fairchild,封装:D2PAK-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:390 V; 最大连续集电极电流:15.5 A; 最大栅极发射极电压:±10 V; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-...
IRFU1018E
IRFU1018E,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,I-Pak封装,参数为:VBrds=60V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=8.4mOhms,Id=56A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IKB20N60H3
IKB20N60H3,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-263-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:40 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897...
IRG4PSH71KDPBF
IRG4PSH71KDPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-274AA-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:78 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897...
IRF7307Q
IRF7307Q,1N-1P双沟道MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=20V,VGs Max=12V,RDS(on)4.5V N-ch=50.0mOhms,RDS(on)4.5V P-ch=90.0mOhms,RDS(on)10V P-ch=58.0mOhms,RDS(on)2.7V N-ch...
IRG4MC50FSCX
IRG4MC50FSCX,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-254AA-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:35 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562...
FP40R12KE3
FP40R12KE3,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:24-Pin ECONoPIM2,参数:配置:Hex; 通道类型:N; 引脚数目:24; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:55 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:075...
SGW30N60HSFKSA1
SGW30N60HSFKSA1,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:41 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-8...
STGB20H60DF
STGB20H60DF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:STMicroelectronics,封装:D2PAK-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:40 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Surface Mount; 工作温度:-55 t...
IRG4MC50USCX
IRG4MC50USCX,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-254AA-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:35 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562...
DDB6U30N08VR
DDB6U30N08VR,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:EASY750-9,参数:配置:Single; 通道类型:N; 引脚数目:9; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:26 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-83...
IRFR3707Z
IRFR3707Z,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=9.5mOhms,Id=56A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRLR3410
IRLR3410,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=100V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=105.0mOhms,Id=15A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRLMS1503
IRLMS1503,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TSOP-6 (Micro 6)封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=100.0mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
STGY50NC60WD
STGY50NC60WD,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:STMicroelectronics,封装:Max247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:110 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致...
IRG8CH15K10F
IRG8CH15K10F,低导通压降(Vceon)IGBT模块,由IR原厂生产,Die(裸片)封装,参数为:Vces=1200V,Ic@100C=10A,Vce(ON)@25C typ=1.70V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562