IRLML0060
IRLML0060,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,Micro 3/ SOT-23封装,参数为:VBrds=60V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=92.0mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
FD200R12KE3
FD200R12KE3,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:5-Pin 62MM,参数:配置:Single; 通道类型:N; 引脚数目:5; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:295 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 库存实时更新,询报价及购买请致...
IRF1010EZ
IRF1010EZ,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=60V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=8.5mOhms,Id=84A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRGS15B60KDTRRP
IRGS15B60KDTRRP,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:D2PAK-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:31 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-8389756...
FZ800R17KF6C_B2
FZ800R17KF6C_B2,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:IHM-7,参数:配置:Dual Common Emitter Common Gate; 通道类型:N; 引脚数目:7; 最大集电极发射极电压:1700 V; 最大连续集电极电流:1300 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装...
IRG4RC20FTRPBF
IRG4RC20FTRPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:DPAK-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:22 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562
IRL530NS
IRL530NS,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=100.0mOhms,Id=17A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
FGH40T65SHD_F155
FGH40T65SHD_F155,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Fairchild,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:650 V; 最大连续集电极电流:80 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-55 to 17...
IRG4BC30FPBF
IRG4BC30FPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-220AB-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:31 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562...
STGW25H120DF2
STGW25H120DF2,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:50 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-5...
IRF7809AVPBF-1
IRF7809AVPBF-1,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=30V,VGs=12V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
FS300R12KE3
FS300R12KE3,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:28-Pin ECONoPACK+,参数:配置:Hex; 通道类型:N; 引脚数目:28; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:500 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:...
IGB20N60H3ATMA1
IGB20N60H3ATMA1,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-263-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:40 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-...
TIM5964-35SLA
TIM5964-35SLA,场效应晶体管,品牌:Toshiba,封装:3-Pin 2-16G1B,参数:配置:Single; 最大漏源电压:15 V; 最大连续漏极电流:20000 mA; 最大门源电压:-5 V; 工作温度:-65 to 175 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-838975...
IRFU5305
IRFU5305,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,I-Pak封装,参数为:VBrdss=-55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=65mOhms,Qg Typ=42nC,Rth(JC)=1.4K/W,Power Dissipation@TC 25C=89W,Id@TC 25C=-18A,库存实时更新...
FZ800R12KS4_B2
FZ800R12KS4_B2,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:IHM130-7,参数:配置:Dual; 通道类型:N; 引脚数目:7; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:1200 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-...
MMBFJ113
MMBFJ113,场效应晶体管,品牌:Fairchild,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大门源电压:-35 V; 最大漏极栅极电压:35 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 库存实时更新,询报价及购买请致电:0755-83897...
IRF7807V
IRF7807V,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF7831PBF-1
IRF7831PBF-1,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=30V,VGs=12V,RDS(on) Max 10V=3.6mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
SGW15N120FKSA1
SGW15N120FKSA1,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:30 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-8...