ULN2003APGONHZA
ULN2003APGONHZA,三极管,达林顿管,品牌:Toshiba,封装:PDIP-16,参数:配置:Array 7; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:1000@350mA@2V; 最大集电极发射极饱和电压:1.6@350mA|1.3@2...
FMMTA92TA
FMMTA92TA,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-23-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:300 V; 最大DC直流集电极电流:0.2 A; 最小DC直流电流增益:25@1mA@10V|40@10mA@10V|25@30mA@10V; 最大工作频率:50(Min) MHz;...
DDTB114GU-7-F
DDTB114GU-7-F,数字晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-323-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:40 V; 峰值DC直流集电极电流:500 mA; 最小DC直流电流增益:56@5mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Moun...
2SA2199T2LQ
2SA2199T2LQ,功率晶体管,品牌:Rohm,封装:VMN-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:120@2mA@6V; 最大集电极发射极饱和电压:0.3@2.5mA@25mA V; 最大集电极基极电压:50 V; ...
ULN2801A
ULN2801A,三极管,达林顿管,品牌:STMicroelectronics,封装:PDIP-18,参数:配置:Octal Common Emitter; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:1000@350mA@2V; 最大集电极发射极饱和电...
MMBT2907ALT1HTSA1
MMBT2907ALT1HTSA1,功率晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-23-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:0.6 A; 最小DC直流电流增益:75@100uA@10V|100@1mA@10V|100@10mA@10V|100@150m...
NSVMMBT2222ATT1G
NSVMMBT2222ATT1G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SC-75-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:0.6 A; 最小DC直流电流增益:35@0.1mA@10V|50@1mA@10V|75@10mA@10V|100@150mA@10V|40@5...
DDTD133HU-7-F
DDTD133HU-7-F,数字晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-323-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 峰值DC直流集电极电流:500 mA; 最小DC直流电流增益:56@50mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:075...
DDTC143EUA-7-F
DDTC143EUA-7-F,数字晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-323-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:20@10mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mo...
BC369ZL1G
BC369ZL1G,功率晶体管,品牌:ON,封装:TO-92-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:20 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:50@5mA@10V|85@500mA@1V|60@1A@1V; 最大工作频率:65(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和...
2SA1036
2SA1036,贴片晶体管,三极管,SOT-23封装,参数为:Pcm=200mW,Ic=500mA,BVcbo=40V,BVceo=32V,BVebo=5V,hfe(Min)=82,hfe(Max)=390,Vce(sat)=0.4V,fr=200+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2STA2120
2STA2120,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-3P-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:250 V; 最大DC直流集电极电流:17 A; 最小DC直流电流增益:80@1A@5V|35@7A@5V; 最大工作频率:25(Typ) MHz; 最大集电极发射...
TD62503FG(O,ELP)
TD62503FG(O,ELP),数字晶体管,品牌:Toshiba,封装:SOP-16,参数:配置:Array 7; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:35 V; 峰值DC直流集电极电流:200 mA; 最小DC直流电流增益:50@10mA@10V; 工作温度:-40 to 85 ℃; 安装方式:Surface M...
MJ3001
MJ3001,三极管,达林顿管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-3P,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:80 V; 峰值DC直流集电极电流:10 A; 最小DC直流电流增益:1000@5A@3V; 最大集电极发射极饱和电压:2@20mA@5A|4@50mA@10A...
2SA1162-GR(TE85L,F)
2SA1162-GR(TE85L,F),功率晶体管,品牌:Toshiba,封装:S-Mini-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:0.15 A; 最小DC直流电流增益:200@2mA@6V; 最大工作频率:80(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压...
2SD669A
2SD669A,晶体管,三极管,TO-126封装,参数为:Pcm=1000mW,Ic=1500mA,BVcbo=180V,BVceo=160V,BVebo=5V,hfe(Min)=60,hfe(Max)=320,Vce(sat)=1V,fr=140+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SA1759T100P
2SA1759T100P,功率晶体管,品牌:Rohm,封装:MPT-4,参数:类型:PNP; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:400 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:82@10mA@10V; 最大工作频率:20(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@2mA@20m...
CTA2P1N-7-F
CTA2P1N-7-F,复合晶体管阵列,品牌:Diodes,封装:SOT-363-6,参数:分类:Complex Transistor Array; 引脚数目:6; 工作温度:-55 to 150 ℃; 所属系列:CTA2P1N; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562
NSVBC847BDW1T2G
NSVBC847BDW1T2G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SOT-363-6,参数:类型:NPN; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:200@2mA@5V; 最大集电极发射极饱和电压:0.25@0.5mA@10mA|0.6@5mA@100m...
6PS0400R12KE3-3G
6PS0400R12KE3-3G,堆栈应用于各种逆变器应用,品牌:Infineon,封装:EUPEC-6,参数:分类:Stacks For Various Inverter Application; 引脚数目:6; 工作温度:-25 to 55 ℃; 所属系列:6PS0400R12KE3-3G; 安装方式:Screw....