DXTP03200BP5-13,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:PowerDI 5-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:200 V; 最大DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:100@10mA@5V|100@1A@5V|20@2A@5V; 最大工作频率:105(Typ) ...
PZT3904T1G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SOT-223-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:0.2 A; 最小DC直流电流增益:40@0.1mA@1V|70@1mA@1V|100@10mA@1V|60@50mA@1V|30@100mA@1V; ...
BC847W,贴片晶体管,三极管,SOT-323封装,参数为:Pcm=150mW,Ic=100mA,BVcbo=50V,BVceo=45V,BVebo=6V,hfe(Min)=110,hfe(Max)=800,Vce(sat)=0.6V,fr=100MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MPSA06_D27Z,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-92-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:80 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:100@10mA@1V|100@100mA@1V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极...
MCH6103-TL-E,功率晶体管,品牌:ON,封装:MCPH-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:200@100mA@2V; 最大工作频率:420(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.43@10mA@500...
2SD1802,贴片晶体管,三极管,TO-252-2L(4R)封装,参数为:Pcm=1000mW,Ic=3000mA,BVcbo=60V,BVceo=50V,BVebo=6V,hfe(Min)=100,hfe(Max)=560,Vce(sat)=0.5V,fr=150+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-8...
TD62064APG(O,J,S),三极管,达林顿管,品牌:Toshiba,封装:PDIP-16,参数:配置:Quad; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:1.5 A; 最小DC直流电流增益:800(Typ)@1A@2V|1500(Typ)@0.25A@2V; 最大集电极发射极饱...
KSH117TF,三极管,达林顿管,品牌:Fairchild,封装:DPAK-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:100 V; 峰值DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:200@4A@3V|500@500mA@3V|1000@2A@3V; 最大集电极发射极饱和电压:2@8...
BC850BWH6327XTSA1,功率晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-323-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:200@2mA@5V; 最大工作频率:250(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压...
PUMH7,115,数字晶体管,品牌:NXP,封装:TSSOP-6,参数:配置:Dual; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:200@1mA@5V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请...
SMBTA56E6327,功率晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-23-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:80 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:100@10mA@1V|100@100mA@1V; 最大工作频率:100(Typ) MHz; 最大集电...
UPA800T-A,功率晶体管,品牌:NEC,封装:SOT-363-6,参数:类型:NPN; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:10 V; 最大DC直流集电极电流:0.035 A; 最小DC直流电流增益:80@5mA@3V; 最大集电极基极电压:20 V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 最大功率耗散:200...
CPH5905G-TL-E,NPN外延硅晶体管和N沟道硅结场效应晶体管,品牌:ON,封装:CPH-5,参数:分类:NPN Epitaxial Silicon Transistor and N-Channel Silicon Junction Field Effect Transistor; 引脚数目:5; 工作温度:-...
2SB892,晶体管,三极管,TO-92L封装,参数为:Pcm=750mW,Ic=2000mA,BVcbo=60V,BVceo=50V,BVebo=6V,hfe(Min)=100,hfe(Max)=560,Vce(sat)=0.4V,fr=150+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BCP51-16,115,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-223-4,参数:类型:PNP; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:100@150mA@2V; 最大工作频率:145(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@50mA@...
BC847CWT3G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SC-70-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:420@2mA@5V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.25@0.5mA@10m...
ZTX968STZ,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:E-Line-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:12 V; 最大DC直流集电极电流:4.5 A; 最小DC直流电流增益:300@10mA@1V|300@500mA@1V|200@5A@1V|150@10A@1V; 最大工作频率:80...
MMUN2217LT1G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:35@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价...
BUL58D,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-220-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:450 V; 最大DC直流集电极电流:8 A; 最小DC直流电流增益:5@5A@5V|38(Typ)@500mA@5V; 最大集电极发射极饱和电压:1.5@0.8A@...
BDX54B,三极管,达林顿管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-220-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:80 V; 峰值DC直流集电极电流:8 A; 最小DC直流电流增益:750@3A@3V; 最大集电极发射极饱和电压:2@12mA@3A V; 最大集电极基...
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