MJE5852G
MJE5852G,功率晶体管,品牌:ON,封装:TO-220AB-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:400 V; 最大DC直流集电极电流:8 A; 最小DC直流电流增益:15@2A@5V|5@5A@5V; 最大集电极发射极饱和电压:2@1A@4A|5@3A@8A V; 工作温度:-65 t...
2SC536N
2SC536N,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=625mW,Ic=150mA,BVcbo=60V,BVceo=50V,BVebo=6V,hfe(Min)=160,hfe(Max)=560,Vce(sat)=0.3V,fr=200+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
SMUN5111T1G
SMUN5111T1G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SC-70-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:35@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及...
EMX18T2R
EMX18T2R,功率晶体管,品牌:Rohm,封装:EMT-6,参数:类型:NPN; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:12 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:270@10mA@2V; 最大工作频率:320(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.25@10mA@200mA...
2SD1733TLP
2SD1733TLP,功率晶体管,品牌:Rohm,封装:CPT-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:80 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:82@0.5A@3V; 最大工作频率:100(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.4@20mA@500mA V...
TIP117
TIP117,达林顿晶体管,由ST原厂生产,TO-220-3L封装,参数为:Pcm=2000mW,Ic=2000mA,BVcbo=100V,BVceo=100V,BVebo=5V,hfe(Min)=1000,Vce(sat)=2.5V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TIP112
TIP112,达林顿晶体管,由ST原厂生产,TO-220-3L封装,参数为:Pcm=2000mW,Ic=2000mA,BVcbo=100V,BVceo=100V,BVebo=5V,hfe(Min)=1000,Vce(sat)=2.5V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TIP117-S
TIP117-S,三极管,达林顿管,品牌:Bourns,封装:TO-220-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:100 V; 峰值DC直流集电极电流:4 A; 最小DC直流电流增益:1000@1A@4V|500@2A@4V; 最大集电极发射极饱和电压:2.5@8mA@2A V; 最大集...
FJP1943RTU
FJP1943RTU,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-220-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:230 V; 最大DC直流集电极电流:15 A; 最小DC直流电流增益:55@1A@5V; 最大工作频率:30(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:3@0.8A@8A...
UMB3NTN
UMB3NTN,数字晶体管,品牌:Rohm,封装:UMT-6,参数:配置:Dual; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:100@1mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:...
PHPT61003PYX
PHPT61003PYX,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-669-4,参数:类型:PNP; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:100 V; 最大DC直流集电极电流:3 A; 最小DC直流电流增益:150@500mA@10V|80@1A@10V|20@2A@10V|10@3A@10V; 最大集电极发射极饱和电...
BC868,115
BC868,115,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-89-4,参数:引脚数量:4; 最小DC直流电流增益:50@5mA@10V|85@500mA@1V|60@1A@1V|40@2A@1V; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@100mA@1A|0.6@200mA@2A V; 最大集电极基极电压:32 V; 最大功...
RN1106,LF(CT)
RN1106,LF(CT),数字晶体管,品牌:Toshiba,封装:SSM-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:80@10mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. ...
MCH4014-TL-H
MCH4014-TL-H,功率晶体管,品牌:ON,封装:MCPH-4,参数:询报价及购买请致电:0755-83897562
BD139-10
BD139-10,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:SOT-32-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:80 V; 最大DC直流集电极电流:3 A; 最小DC直流电流增益:63@150mA@2V; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@0.05A@0.5A V; 最大集...
MJE340G
MJE340G,功率晶体管,品牌:ON,封装:TO-225-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:300 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:30@50mA@10V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 最大功率耗散:20000 mW; 安装方式:Through...
PBSS4320X,135
PBSS4320X,135,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-89-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:20 V; 最大DC直流集电极电流:3 A; 最小DC直流电流增益:220@0.1A@2V|220@0.5A@2V|220@1A@2V|200@2A@2V|150@3A@2V; 最大...
MMBT4126LT3G
MMBT4126LT3G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SOT-23-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:25 V; 最大DC直流集电极电流:0.2 A; 最小DC直流电流增益:120@2mA@1V|60@50mA@1V; 最大工作频率:250(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:...
HN1B04FU-GR(TE85LF)
HN1B04FU-GR(TE85LF),功率晶体管,品牌:Toshiba,封装:US-6,参数:类型:NPN|PNP; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:0.15 A; 最小DC直流电流增益:200@2mA@6V; 最大工作频率:150(Typ)@NPN|120(Typ)@PNP...
2SA1952TLQ
2SA1952TLQ,功率晶体管,品牌:Rohm,封装:CPT-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:5 A; 最小DC直流电流增益:120@1A@2V|40@3A@2V; 最大工作频率:80(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.3@0.15A...