NSVBC124EDXV6T1G
NSVBC124EDXV6T1G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SOT-563-6,参数:询报价及购买请致电:0755-83897562
2SC6096-TD-E
2SC6096-TD-E,功率晶体管,品牌:ON,封装:PCP-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:100 V; 最大DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:300@100mA@5V; 最大工作频率:300(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.15@100mA@1A...
DDTA114TCA-7-F
DDTA114TCA-7-F,数字晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:100@1mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mou...
MPSW51ARLRAG
MPSW51ARLRAG,功率晶体管,品牌:ON,封装:TO-92-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:55@10mA@1V|60@100mA@1V|50@1A@1V; 最大工作频率:50(Min) MHz; 最大集电极发射...
2SC4097T106R
2SC4097T106R,功率晶体管,品牌:Rohm,封装:UMT-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:32 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:180@10mA@3V; 最大工作频率:250(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.6@50mA@50...
2N3904TAR
2N3904TAR,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-92-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:0.2 A; 最小DC直流电流增益:40@0.1mA@1V|70@1mA@1V|100@10mA@1V|60@50mA@1V|30@100mA@...
MMBT5550
MMBT5550,贴片晶体管,三极管,SOT-23封装,参数为:Pcm=225mW,Ic=600mA,BVcbo=160V,BVceo=140V,BVebo=6V,hfe(Min)=60,hfe(Max)=250,Vce(sat)=0.25V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BUJ302AX,127
BUJ302AX,127,功率晶体管,品牌:NXP,封装:TO-220F-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:400 V; 最大DC直流集电极电流:4 A; 最小DC直流电流增益:48@0.1A@5V|25@0.8A@3V; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@0.2A@1A|1.5@1A@3...
BST52,115
BST52,115,三极管,达林顿管,品牌:NXP,封装:SOT-89-4,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:80 V; 峰值DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:1000@150mA@10V|2000@500mA@10V; 最大集电极发射极饱和电压:1.3@0.5mA@5...
DDTD143TU-7-F
DDTD143TU-7-F,数字晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-323-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:40 V; 峰值DC直流集电极电流:500 mA; 最小DC直流电流增益:100@5mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mou...
UMF6NTR
UMF6NTR,电源管理电路,品牌:Rohm,封装:UMT-6,参数:分类:Power Management Circuit; 引脚数目:6; 工作温度:-55 to 150 ℃; 所属系列:UMF6N; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562
NSBA114TDXV6T1G
NSBA114TDXV6T1G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SOT-563-6,参数:配置:Dual; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:160@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. ...
MMDT2222A-7-F
MMDT2222A-7-F,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-363-6,参数:类型:NPN; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:0.6 A; 最小DC直流电流增益:35@100uA@10V|50@1mA@10V|75@10mA@10V|100@150mA@10V|4...
MUN5138T1G
MUN5138T1G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SOT-323-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:160@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价...
UML6NTR
UML6NTR,功率晶体管,品牌:Rohm,封装:UMT-5,参数:类型:NPN; 引脚数量:5; 最大集电极发射极电压:12 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:270@10mA@2V; 最大工作频率:320(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.25@10mA@200mA ...
2SC2229
2SC2229,晶体管,三极管,TO-92MOD封装,参数为:Pcm=800mW,Ic=50mA,BVcbo=200V,BVceo=150V,BVebo=5V,hfe(Min)=70,hfe(Max)=240,Vce(sat)=0.5V,fr=80MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TPCP8J01(TE85L,F,M)
TPCP8J01(TE85L,F,M),硅P沟道MOS型和硅NPN外延型,品牌:Toshiba,封装:PS-8,参数:分类:Silicon P Channel Mos Type and Silicon NPN Epitaxial Type; 引脚数目:8; 工作温度:-55 to 150 ℃; 所属系列:TPCP8J0...
MJL21194G
MJL21194G,功率晶体管,品牌:ON,封装:TO-3BPL-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:250 V; 最大DC直流集电极电流:16 A; 最小DC直流电流增益:25@8A@5V; 最大工作频率:4(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:1.4@0.8A@8A|4@3.2...
PBSS4260QAZ
PBSS4260QAZ,功率晶体管,品牌:NXP,封装:DFN-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:235@100mA@2V|150@500mA@2V|85@1A@2V|40@2A@2V; 最大集电极发射极饱和电压:0.1@...
FJV3102RMTF
FJV3102RMTF,数字晶体管,品牌:Fairchild,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:30@5mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Moun...