KSA910,晶体管,三极管,TO-92MOD封装,参数为:Pcm=800mW,Ic=50mA,BVcbo=150V,BVceo=150V,BVebo=5V,hfe(Min)=40,hfe(Max)=240,Vce(sat)=0.8V,fr=100+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
NSS1C301ET4G,功率晶体管,品牌:ON,封装:DPAK-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:100 V; 最大DC直流集电极电流:3 A; 最小DC直流电流增益:200@0.1A@2V|200@0.5A@2V|120@1A@2V|80@03A@2V; 最大集电极发射极饱和电压:0....
ZXTN4004ZTA,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-89-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:150 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:60@85mA@0.2V|100@150mA@0.25V; 最大集电极基极电压:150 V; 工作温度:-55...
KSP2907ATA,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-92-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:0.6 A; 最小DC直流电流增益:75@0.1mA@10V|100@1mA@10V|100@10mA@10V|100@150mA@10V|5...
BCX71HT216,功率晶体管,品牌:Rohm,封装:SOT-23-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.2 A; 最小DC直流电流增益:140@2mA@5V|80@50mA@5V; 最大集电极发射极饱和电压:0.25@0.25mA@10mA|0.55...
DTC143EET1G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SOT-416-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:15@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报...
ULQ2801A,三极管,达林顿管,品牌:STMicroelectronics,封装:PDIP-18,参数:配置:Octal Common Emitter; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最大集电极发射极饱和电压:1.1@250uA@100mA|1.3@350u...
RN4910,LF,功率晶体管,品牌:Toshiba,封装:US-6,参数:类型:NPN|PNP; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:120@1mA@5V; 最大集电极发射极饱和电压:0.3@0.25mA@5mA V; 最大集电极基极电压:50...
ZXTP5401FLTA,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-23-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:150 V; 最大DC直流集电极电流:0.6 A; 最小DC直流电流增益:50@1mA@5V|60@10mA@5V|50@50mA@5V; 最大工作频率:100(Typ) MHz...
PDTA144VU,115,数字晶体管,品牌:NXP,封装:SC-70-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:40@5mA@5V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报...
PDTA144WU,115,数字晶体管,品牌:NXP,封装:SC-70-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:60@5mA@5V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报...
A44,贴片晶体管,三极管,SOT-89-3L封装,参数为:Pcm=500mW,Ic=300mA,BVcbo=400V,BVceo=400V,BVebo=6V,hfe(Min)=50,hfe(Max)=200,Vce(sat)=0.75V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TD62503PG(O,J),数字晶体管,品牌:Toshiba,封装:PDIP-16,参数:配置:Array 7; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:35 V; 峰值DC直流集电极电流:200 mA; 最小DC直流电流增益:50@10mA@10V; 工作温度:-40 to 85 ℃; 安装方式:Through Ho...
MMBTA06WT1G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SC-70-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:80 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:100@10mA@1V|100@100mA@1V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压...
BUJD203A,127,功率晶体管,品牌:NXP,封装:TO-220AB-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:425 V; 最大DC直流集电极电流:4 A; 最小DC直流电流增益:10@1mA@5V|13@500mA@5V|11@2A@5V; 最大集电极发射极饱和电压:1@0.6A@3A ...
ZTX1051ASTZ,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:E-Line-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:4 A; 最小DC直流电流增益:290@10mA@2V|300@1A@2V|190@4A@2V|45@10A@2V; 最大工作频率:155(Ty...
DDTC113TCA-7-F,数字晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:100@1mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mou...
SMMBT2907ALT3G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SOT-23-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:0.6 A; 最小DC直流电流增益:75@0.1mA@10V|100@1mA@10V|100@10mA@10V|100@150mA@10V|50@...
MUN2135T1G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SC-59-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:80@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买...
CPH5901G-TL-E,NPN外延硅晶体管和N沟道硅结场效应晶体管,品牌:ON,封装:CPH-5,参数:分类:NPN Epitaxial Silicon Transistor and N-Channel Silicon Junction Field Effect Transistor; 引脚数目:5; 工作温度:-...
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