FJV1845PMTF
FJV1845PMTF,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:SOT-23-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:120 V; 最大DC直流集电极电流:0.05 A; 最小DC直流电流增益:200@1mA@6V; 最大工作频率:100(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.3...
DZT953-13
DZT953-13,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-223-4,参数:类型:PNP; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:100 V; 最大DC直流集电极电流:5 A; 最小DC直流电流增益:100@10mA@1V|100@1A@1V|50@3A@1V|30@4A@1V|15(Typ)@10A@1V; ...
MJ11022G
MJ11022G,三极管,达林顿管,品牌:ON,封装:TO-204-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:250 V; 峰值DC直流集电极电流:15 A; 最小DC直流电流增益:100@15A@5V; 最大集电极发射极饱和电压:2@100mA@10A|3.4@150mA@15A V; 最...
TIP50TU
TIP50TU,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-220AB-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:400 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:30@300mA@10V|10@1A@10V; 最大工作频率:10(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和...
BCX5110TA
BCX5110TA,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-89-4,参数:类型:PNP; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:25@5mA@2V|40@150mA@2V|25@500mA@2V|63@150mA@2V; 最大工作频率:150(...
BC548BU
BC548BU,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-92-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:30 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:200@2mA@5V; 最大工作频率:300(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.25@0.5mA...
DP0150BDJ-7
DP0150BDJ-7,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-963-6,参数:类型:PNP; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:200@2mA@6V; 最大工作频率:80(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.3@10mA...
NE68139-A
NE68139-A,功率晶体管,品牌:NEC,封装:SOT-143-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:10 V; 最大DC直流集电极电流:0.065 A; 最小DC直流电流增益:50@7mA@3V; 最大集电极基极电压:20 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 最大功率耗散:200...
TIP110G
TIP110G,三极管,达林顿管,品牌:ON,封装:TO-220AB-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:60 V; 峰值DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:1000@1A@4V|500@2A@4V; 最大集电极发射极饱和电压:2.5@8mA@2A V; 最大集电极基极...
MPSA20
MPSA20,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-92-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:40@5mA@10V; 最大工作频率:125(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.25@1mA@10...
MJD44H11T4-A
MJD44H11T4-A,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:DPAK-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:80 V; 最大DC直流集电极电流:8 A; 最小DC直流电流增益:60@2A@1V|40@4A@1V; 最大集电极发射极饱和电压:1@0.4A@8A V; ...
BC548BZL1G
BC548BZL1G,功率晶体管,品牌:ON,封装:TO-92-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:30 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:200@2mA@5V; 最大工作频率:300(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.25@0.5mA@10m...
BCV62A E6327
BCV62A E6327,功率晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-143-4,参数:类型:PNP; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:30 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:100@1mA@10V|125@2mA@5V; 最大工作频率:250(Typ) MHz; 最大集电极...
ZTX705
ZTX705,三极管,达林顿管,品牌:Diodes,封装:E-Line-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:120 V; 峰值DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:3000@10mA@5V|3000@100mA@5V|3000@1A@5V|2000@2A@5V; 最大集电...
DCX114YK-7-F
DCX114YK-7-F,数字晶体管,品牌:Diodes,封装:SC-74R-6,参数:配置:Dual; 类型:NPN|PNP; 峰值DC直流集电极电流:70 mA; 最小DC直流电流增益:68@10mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755...
LMN200B02-7
LMN200B02-7,PNP晶体管和N-MOSFET，带有栅极与下拉电阻,品牌:Diodes,封装:SOT-363-6,参数:分类:PNP Transistor and N-MOSFET with Gate Pull Down Resistor; 引脚数目:6; 工作温度:-55 to 150 ℃; 所属系列:LMN...
KTA1274
KTA1274,晶体管,三极管,TO-92L封装,参数为:Pcm=750mW,Ic=400mA,BVcbo=80V,BVceo=80V,BVebo=5V,hfe(Min)=70,hfe(Max)=240,Vce(sat)=0.4V,fr=100+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MMST4403-7-F
MMST4403-7-F,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-323-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:0.6 A; 最小DC直流电流增益:30@0.1mA@1V|60@1mA@1V|100@10mA@1V|100@150mA@2V|20@50...
MJE802G
MJE802G,三极管,达林顿管,品牌:ON,封装:TO-225-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:80 V; 峰值DC直流集电极电流:4 A; 最小DC直流电流增益:100@4A@3V; 最大集电极发射极饱和电压:2.5@30mA@1.5A|2.8@40mA@2A|3@40mA@4...
MUN5112T1G
MUN5112T1G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SC-70-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:60@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购...