DTC114WKA
DTC114WKA,NPN贴片数字晶体管,由ROHM原厂生产,SOT-23-3L封装,参数为:Pd=200mW,Io=100mA,Vcc=50V,Gi=24,Vo(on)=0.3V,R1=10K+欧姆,R2=4.7K+欧姆,fr=250+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SC4097T106R
2SC4097T106R,功率晶体管,品牌:Rohm,封装:UMT-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:32 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:180@10mA@3V; 最大工作频率:250(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.6@50mA@50...
UMD4NTR
UMD4NTR,数字晶体管,品牌:Rohm,封装:UMT-6,参数:配置:Dual; 类型:NPN|PNP; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:68@5mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562
BFG135,115
BFG135,115,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-223-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:15 V; 最大DC直流集电极电流:0.15 A; 最小DC直流电流增益:80@100mA@10V; 最大工作频率:7000(Typ) MHz; 最大集电极基极电压:25 V; 工作温度...
KSH45H11TF
KSH45H11TF,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:DPAK-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:80 V; 最大DC直流集电极电流:8 A; 最小DC直流电流增益:60@2A@1V|40@4A@1V; 最大工作频率:40(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:1@0....
2SC2714
2SC2714,贴片晶体管,三极管,SOT-23封装,参数为:Pcm=100mW,Ic=20mA,BVcbo=40V,BVceo=30V,BVebo=4V,hfe(Min)=40,hfe(Max)=200,fr=550+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
SMMBT5401LT1G
SMMBT5401LT1G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SOT-23-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:150 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:50@1mA@5V|60@10mA@5V|50@50mA@5V; 最大工作频率:300 MHz; 最大集电极发...
BCX53-16,115
BCX53-16,115,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-89-4,参数:类型:PNP; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:80 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:100@150mA@2V; 最大工作频率:145(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@50mA@5...
MJE3055
MJE3055,晶体管,三极管,TO-220-3L封装,参数为:Pcm=2000mW,Ic=10000mA,BVcbo=70V,BVceo=60V,BVebo=5V,hfe(Min)=20,hfe(Max)=100,Vce(sat)=8V,fr=2MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
ULN2004AN
ULN2004AN,三极管,达林顿管,品牌:TI,封装:PDIP-16,参数:配置:Array 7; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最大集电极发射极饱和电压:1.1@100mA|1.3@200mA|1.6@350mA V; 安装方式:Through Hole. ...
PMBT2907,215
PMBT2907,215,功率晶体管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:0.6 A; 最小DC直流电流增益:35@0.1mA@10V|50@1mA@10V|75@10mA@10V|100@150mA@10V|30@5...
KSC1008OBU
KSC1008OBU,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-92-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:0.7 A; 最小DC直流电流增益:70@50mA@2V; 最大工作频率:50(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.4@50mA...
CPH5901G-TL-E
CPH5901G-TL-E,NPN外延硅晶体管和N沟道硅结场效应晶体管,品牌:ON,封装:CPH-5,参数:分类:NPN Epitaxial Silicon Transistor and N-Channel Silicon Junction Field Effect Transistor; 引脚数目:5; 工作温度:-...
HN1B01FDW1T1G
HN1B01FDW1T1G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SC-74-6,参数:类型:NPN|PNP; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:0.2 A; 最小DC直流电流增益:200@2mA@6V; 最大集电极发射极饱和电压:0.3@10mA@100mA@NPN|0.25@10mA...
2DC4617Q-7-F
2DC4617Q-7-F,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-523-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:0.15 A; 最小DC直流电流增益:120@1mA@6V; 最大工作频率:180(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.4@5...
FZT605TC
FZT605TC,三极管,达林顿管,品牌:Diodes,封装:SOT-223-4,参数:配置:Single Dual Collector; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:120 V; 峰值DC直流集电极电流:1.5 A; 最小DC直流电流增益:2000@50mA@5V|5000@500mA@5V|2000@1A...
2SB1123T-TD-E
2SB1123T-TD-E,功率晶体管,品牌:ON,封装:PCP-4,参数:类型:PNP; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:200@100mA@2V; 最大工作频率:150(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.7@50mA@1A V...
TIP147T
TIP147T,三极管,达林顿管,品牌:Fairchild,封装:TO-220AB-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:100 V; 峰值DC直流集电极电流:10 A; 最小DC直流电流增益:1000@5A@4V|500@10A@4V; 最大集电极发射极饱和电压:2@10mA@5A|3...
MMBT6428LT1G
MMBT6428LT1G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SOT-23-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:0.2 A; 最小DC直流电流增益:250@0.01mA@5V|250@0.1mA@5V|250@1mA@5V|250@10mA@5V; 最大工作频率...
BC817,235
BC817,235,功率晶体管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:100@100mA@1V|40@500mA@1V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和...