START420TR
START420TR,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:SOT-343-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:4.5 V; 最大DC直流集电极电流:0.04 A; 最小DC直流电流增益:100@20mA@3V; 最大集电极基极电压:15 V; 工作温度:-65 to...
PBSS4540X,135
PBSS4540X,135,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-89-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:4 A; 最小DC直流电流增益:300@0.5A@2V|300@1A@2V|250@2A@2V|100@5A@2V; 最大工作频率:70(Min)...
ZTX857
ZTX857,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:E-Line-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:300 V; 最大DC直流集电极电流:3 A; 最小DC直流电流增益:100@10mA@5V|100@500mA@10V|15@2A@10V; 最大工作频率:80(Typ) MHz; 最大集...
DTC015TMT2L
DTC015TMT2L,数字晶体管,品牌:Rohm,封装:SOT-723-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:100@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount....
NE678M04-A
NE678M04-A,功率晶体管,品牌:NEC,封装:Thin-Type Super Mini-Mold-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:6 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:75@30mA@3V; 最大集电极基极电压:9 V; 工作温度:-65 to 1...
2SD1898T100Q
2SD1898T100Q,功率晶体管,品牌:Rohm,封装:MPT-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:80 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:120@0.5A@3V; 最大工作频率:100(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.4@20mA@500m...
MAX2602ESA+T
MAX2602ESA+T,功率晶体管,品牌:Maxim,封装:SOIC-8 EP,参数:类型:NPN; 引脚数量:8; 最大集电极发射极电压:17 V; 最大DC直流集电极电流:1.2 A; 最小DC直流电流增益:100@250mA@3V; 最大工作频率:1000 MHz; 最大集电极基极电压:15 V; 工作温度:-...
DTA114ESATP
DTA114ESATP,数字晶体管,品牌:Rohm,封装:SPT-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 峰值DC直流集电极电流:50 mA; 最小DC直流电流增益:30@5mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562
MMBT8099LT1G
MMBT8099LT1G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SOT-23-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:80 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:100@1mA@5V|100@10mA@5V|75@100mA@5V; 最大工作频率:150(Min) MHz; ...
2PD601ARL,235
2PD601ARL,235,功率晶体管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:90@0.1A@2V|210@2mA@10V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发射极...
TIP120
TIP120,达林顿晶体管,由ST原厂生产,TO-220-3L封装,参数为:Pcm=2000mW,Ic=5000mA,BVcbo=60V,BVceo=60V,BVebo=5V,hfe(Min)=1000,Vce(sat)=4V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
PZTA44,115
PZTA44,115,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-223-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:400 V; 最大DC直流集电极电流:0.3 A; 最小DC直流电流增益:40@1mA@10V|50@10mA@10V|45@50mA@10V|40@100mA@10V; 最大工作频率:...
PUMB9,115
PUMB9,115,数字晶体管,品牌:NXP,封装:TSSOP-6,参数:配置:Dual; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:100@5mA@5V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 库存实时更新,...
2SC5198
2SC5198,晶体管,三极管,TO-3P封装,参数为:Pcm=3500mW,Ic=10000mA,BVcbo=140V,BVceo=140V,BVebo=5V,hfe(Min)=55,hfe(Max)=160,Vce(sat)=2V,fr=30+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TIP102
TIP102,三极管,达林顿管,品牌:Fairchild,封装:TO-220AB-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:100 V; 峰值DC直流集电极电流:8 A; 最小DC直流电流增益:1000@3A@4V|200@8A@4V; 最大集电极发射极饱和电压:2@6mA@3A|2.5@8...
BCR112W H6327
BCR112W H6327,数字晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-323-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:20@5mA@5V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mo...
BFP450 H6327
BFP450 H6327,功率晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-343-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:4.5 V; 最大DC直流集电极电流:0.17 A; 最小DC直流电流增益:60@50mA@4V|50@90mA@3V; 最大工作频率:24000(Typ) MHz; 最大...
2SC5343
2SC5343,贴片晶体管,三极管,SOT-23封装,参数为:Pcm=200mW,Ic=150mA,BVcbo=60V,BVceo=50V,BVebo=5V,hfe(Min)=70,hfe(Max)=700,Vce(sat)=0.25V,fr=80MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TIP107G
TIP107G,三极管,达林顿管,品牌:ON,封装:TO-220AB-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:100 V; 峰值DC直流集电极电流:8 A; 最小DC直流电流增益:1000@3A@4V|200@8A@4V; 最大集电极发射极饱和电压:2@6mA@3A|2.5@80mA@8A...
CPH5901G-TL-E
CPH5901G-TL-E,NPN外延硅晶体管和N沟道硅结场效应晶体管,品牌:ON,封装:CPH-5,参数:分类:NPN Epitaxial Silicon Transistor and N-Channel Silicon Junction Field Effect Transistor; 引脚数目:5; 工作温度:-...