2SC3325-YTE85RF
2SC3325-YTE85RF,功率晶体管,品牌:Toshiba,封装:S-Mini-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:120@100mA@1V|40@400mA@6V; 最大工作频率:300(Typ) MHz; 最大...
RN2130MFV,L3F
RN2130MFV,L3F,数字晶体管,品牌:Toshiba,封装:VESM-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:100@10mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount...
PDTA113EE,115
PDTA113EE,115,数字晶体管,品牌:NXP,封装:SC-75-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:30@40mA@5V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询...
BC849CWH6327XTSA1
BC849CWH6327XTSA1,功率晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-323-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:30 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:420@2mA@5V; 最大工作频率:250(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压...
2SD468
2SD468,晶体管,三极管,TO-92L封装,参数为:Pcm=750mW,Ic=1000mA,BVcbo=25V,BVceo=20V,BVebo=5V,hfe(Min)=85,hfe(Max)=240,Vce(sat)=0.5V,fr=190+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MMSTA13-7-F
MMSTA13-7-F,三极管,达林顿管,品牌:Diodes,封装:SOT-323-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:30 V; 峰值DC直流集电极电流:0.3 A; 最小DC直流电流增益:5000@10mA@5V|10000@100mA@5V; 最大集电极发射极饱和电压:1.5@1...
BC847BE6433HTMA1
BC847BE6433HTMA1,功率晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-23-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:200@2mA@5V; 最大工作频率:250(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0...
BFP540 H6327
BFP540 H6327,功率晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-343-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:4.5 V; 最大DC直流集电极电流:0.08 A; 最小DC直流电流增益:50@20mA@3.5V; 最大工作频率:30000(Typ) MHz; 最大集电极基极电压:1...
2SD2136
2SD2136,晶体管,三极管,TO-126封装,参数为:Pcm=1250mW,Ic=3000mA,BVcbo=60V,BVceo=60V,BVebo=6V,hfe(Min)=40,hfe(Max)=250,Vce(sat)=1.2V,fr=30+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MMBTA42
MMBTA42,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:SOT-23-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:300 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:25@1mA@10V|40@10mA@10V|40@30mA@10V; 最大工作频率:50(Min) MHz...
BSR41F
BSR41F,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-89-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:50@500mA@5V; 最大集电极发射极饱和电压:0.25@15mA@150mA|0.5@50mA@500mA V; 最大集电...
FZT1047ATA
FZT1047ATA,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-223-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:10 V; 最大DC直流集电极电流:5 A; 最小DC直流电流增益:280@10mA@2V|290@500mA@2V|300@1A@2V|200@5A@2V|60@20A@2V; ...
TIP121
TIP121,达林顿晶体管,由ST原厂生产,TO-220-3L封装,参数为:Pcm=2000mW,Ic=5000mA,BVcbo=80V,BVceo=80V,BVebo=5V,hfe(Min)=1000,Vce(sat)=4V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
ZXTP2014ZTA
ZXTP2014ZTA,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-89-4,参数:类型:PNP; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:140 V; 最大DC直流集电极电流:3 A; 最小DC直流电流增益:100@10mA@5V|100@1A@5V|45@3A@5V; 最大工作频率:120(Typ) MHz; 最大...
BC80825E6433
BC80825E6433,功率晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-23-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:25 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:160@100mA@1V|40@500mA@1V; 最大工作频率:200(Typ) MHz; 最大集电...
PBSS8110X,135
PBSS8110X,135,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-89-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:100 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:150@1mA@10V|150@250mA@10V|100@500mA@10V|80@1A@10V; 最大工作频...
BD679A
BD679A,三极管,达林顿管,品牌:STMicroelectronics,封装:SOT-32-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:80 V; 峰值DC直流集电极电流:4 A; 最小DC直流电流增益:750@2A@3V; 最大集电极发射极饱和电压:2.8@40mA@2A V; 最大集电...
PDTC123TE,115
PDTC123TE,115,数字晶体管,品牌:NXP,封装:SC-75-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:30@20mA@5V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询...
BC817DPN,115
BC817DPN,115,功率晶体管,品牌:NXP,封装:TSOP-6,参数:类型:NPN|PNP; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:160@100mA@1V|40@500mA@1V; 最大工作频率:100(Min)@NPN|80(Min)@...
KSH44H11ITU
KSH44H11ITU,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:IPAK-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:80 V; 最大DC直流集电极电流:8 A; 最小DC直流电流增益:60@2A@1V|40@4A@1V; 最大工作频率:50(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:1@0...