TD62783AFG(O,S)
TD62783AFG(O,S),三极管,达林顿管,品牌:Toshiba,封装:SOP-18,参数:配置:Octal; 类型:NPN|PNP; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最大集电极发射极饱和电压:2@350mA|1.9@225mA|1.8@100mA V; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买...
DTA114YM
DTA114YM,PNP贴片数字晶体管,由ROHM原厂生产,SOT-723封装,参数为:Pd=100mW,Io=100mA,Vcc=50V,Gi=68,Vo(on)=0.3V,R1=10K+欧姆,R2=47K+欧姆,fr=250+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
NSVMMUN2133LT1G
NSVMMUN2133LT1G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:80@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. ...
BFR93A E6327
BFR93A E6327,功率晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-23-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:12 V; 最大DC直流集电极电流:0.09 A; 最小DC直流电流增益:70@30mA@8V; 最大工作频率:6000(Typ) MHz; 最大集电极基极电压:20 V; ...
RN1107(T5LSUMIS,F)
RN1107(T5LSUMIS,F),数字晶体管,品牌:Toshiba,封装:SSM-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:80@10mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface M...
BCP54,135
BCP54,135,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-223-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:63@5mA@2V|63@150mA@2V|40@500mA@2V; 最大工作频率:180(Typ) MHz; 最大集电...
LM3046MX
LM3046MX,功率晶体管,品牌:TI,封装:SOIC-14 N,参数:类型:NPN; 引脚数量:14; 最大集电极发射极电压:15 V; 最大DC直流集电极电流:0.05 A; 最小DC直流电流增益:40@1mA@3V; 最大集电极发射极饱和电压:0.23(Typ)@1mA@10mA V; 最大集电极基极电压:20...
2SA1203
2SA1203,贴片晶体管,三极管,SOT-89-3L封装,参数为:Pcm=500mW,Ic=1500mA,BVcbo=30V,BVceo=30V,BVebo=5V,hfe(Min)=100,hfe(Max)=320,Vce(sat)=2V,fr=120+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
FJP5304DTU
FJP5304DTU,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-220-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:400 V; 最大DC直流集电极电流:4 A; 最小DC直流电流增益:10@10mA@5V|8@2A@5V; 最大集电极发射极饱和电压:0.7@0.1A@0.5A|1@0.2A...
DDA122LH-7
DDA122LH-7,数字晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-563-6,参数:配置:Dual; 类型:PNP; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:56@10mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-838...
2SA2154MFV-Y(L3A.E)
2SA2154MFV-Y(L3A.E),功率晶体管,品牌:Toshiba,封装:VESM-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:0.15 A; 最小DC直流电流增益:120@2mA@2V; 最大集电极发射极饱和电压:0.3@10mA@100mA V; 最大集...
BUL98
BUL98,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-220-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:450 V; 最大DC直流集电极电流:12 A; 最小DC直流电流增益:10@10mA@5V|15@5A@5V; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@1A@5A|0.8@...
BC547C-AP
BC547C-AP,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-92-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:420@2mA@5V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压...
SMBTA92 E6327
SMBTA92 E6327,功率晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-23-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:300 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:25@1mA@10V|40@10mA@10V|25@30mA@10V; 最大工作频率:50(Min...
ZTX1049A
ZTX1049A,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:E-Line-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:25 V; 最大DC直流集电极电流:4 A; 最小DC直流电流增益:250@10mA@2V|300@500mA@2V|300@1A@2V|200@4A@2V|35@20A@2V; 最大工...
MMBT2222ALT3G
MMBT2222ALT3G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SOT-23-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:0.6 A; 最小DC直流电流增益:35@0.1mA@10V|50@1mA@10V|75@10mA@10V|100@150mA@10V|50@150...
MMDT2907A-7-F
MMDT2907A-7-F,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-363-6,参数:类型:PNP; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:0.6 A; 最小DC直流电流增益:75@100uA@10V|100@1mA@10V|100@10mA@10V|100@150mA@10V...
D882
D882,晶体管,三极管,TO-126C封装,参数为:Pcm=1250mW,Ic=3000mA,BVcbo=40V,BVceo=30V,BVebo=6V,hfe(Min)=60,hfe(Max)=400,Vce(sat)=0.5V,fr=50MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SC4135S-E
2SC4135S-E,功率晶体管,品牌:ON,封装:TP-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:100 V; 最大DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:140@100mA@5V; 最大工作频率:120(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.4@100mA@1A V; ...
DDTD114EC-7-F
DDTD114EC-7-F,数字晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 峰值DC直流集电极电流:500 mA; 最小DC直流电流增益:56@50mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755...