ULN2003APWRG4
ULN2003APWRG4,三极管,达林顿管,品牌:TI,封装:TSSOP-16,参数:配置:Array 7; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最大集电极发射极饱和电压:1.1@100mA|1.3@200mA|1.6@350mA V; 安装方式:Surface M...
HD1750JL
HD1750JL,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-264-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:800 V; 最大DC直流集电极电流:24 A; 最小DC直流电流增益:5.5@12A@5V; 最大集电极发射极饱和电压:3@3A@12A V; 工作温度:-65...
BC558BTA
BC558BTA,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-92-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:30 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:200@2mA@5V; 最大工作频率:150(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.3@0.5mA...
BF824W,135
BF824W,135,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SC-70-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:30 V; 最大DC直流集电极电流:0.025 A; 最小DC直流电流增益:25@1mA@10V|25@4mA@10V; 最大工作频率:400(Min) MHz; 最大集电极基极电压:30 ...
DTC143EM
DTC143EM,NPN贴片数字晶体管,由ROHM原厂生产,SOT-723封装,参数为:Pd=100mW,Io=100mA,Vcc=50V,Gi=20,Vo(on)=0.3V,R1=4.7K+欧姆,R2=4.7K+欧姆,fr=250+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
PBSS5320D,125
PBSS5320D,125,功率晶体管,品牌:NXP,封装:TSOP-6,参数:类型:PNP; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:20 V; 最大DC直流集电极电流:3 A; 最小DC直流电流增益:200@100mA@2V|200@500mA@2V|200@1000mA@2V|150@2000mA@2V; 最大工作...
BC869,115
BC869,115,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-89-4,参数:类型:PNP; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:20 V; 最大DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:50@5mA@10V|85@500mA@1V|60@1A@1V|40@2A@1V; 最大工作频率:140(Typ) MHz...
RN1904,LF(CT)
RN1904,LF(CT),数字晶体管,品牌:Toshiba,封装:US-6,参数:配置:Dual; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:80@10mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价...
KSB798GTF
KSB798GTF,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:SOT-89-4,参数:类型:PNP; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:25 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:200@100mA@1V; 最大工作频率:110(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.4@0.1...
MJE3055
MJE3055,晶体管,三极管,TO-220-3L封装,参数为:Pcm=2000mW,Ic=10000mA,BVcbo=70V,BVceo=60V,BVebo=5V,hfe(Min)=20,hfe(Max)=100,Vce(sat)=8V,fr=2MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IMH20TR1G
IMH20TR1G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SC-74R-6,参数:配置:Dual; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:15 V; 峰值DC直流集电极电流:600 mA; 最小DC直流电流增益:100@50mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 库存实时更新...
2N6520
2N6520,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=625mW,Ic=500mA,BVcbo=350V,BVceo=350V,BVebo=5V,hfe(Min)=30,hfe(Max)=200,Vce(sat)=1V,fr=40MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MJF18008G
MJF18008G,功率晶体管,品牌:ON,封装:TO-220-3 Full-Pak,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:450 V; 最大DC直流集电极电流:8 A; 最小DC直流电流增益:14@1A@5V|6@4.5A@1V|11@2A@1V|10@10mA@5V; 最大工作频率:13(Ty...
DDTC143XE-7-F
DDTC143XE-7-F,数字晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-523-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:30@10mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:075...
PMBT3906MB,315
PMBT3906MB,315,功率晶体管,品牌:NXP,封装:DFN-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:0.2 A; 最小DC直流电流增益:60@0.1mA@1V|80@1mA@1V|100@10mA@1V|60@50mA@1V|30@100mA@1V;...
ZTX953
ZTX953,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:E-Line-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:100 V; 最大DC直流集电极电流:3.5 A; 最小DC直流电流增益:100@10mA@1V|100@1A@1V|50@3A@1V|30@4A@1V; 最大工作频率:125(Typ) M...
PEMH10,115
PEMH10,115,数字晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-666-6,参数:配置:Dual; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:100@10mA@5V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价...
BCR129E6327
BCR129E6327,数字晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:120@5mA@5V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Moun...
2SC1384
2SC1384,晶体管,三极管,TO-92MOD封装,参数为:Pcm=1000mW,Ic=1000mA,BVcbo=60V,BVceo=50V,BVebo=5V,hfe(Min)=85,hfe(Max)=340,Vce(sat)=0.4V,fr=200+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MMBTH10M3T5G
MMBTH10M3T5G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SOT-723-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:25 V; 最小DC直流电流增益:60@4mA@10V; 最大工作频率:650(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@0.4mA@4mA V; 最大集电极基极电压:30...