FZT651TA
FZT651TA,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-223-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:3 A; 最小DC直流电流增益:70@50mA@2V|100@500mA@2V|80@1A@2V|40@2A@2V; 最大工作频率:175(Typ)...
BC337-25
BC337-25,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-92-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:160@100mA@1V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电...
2SA1012
2SA1012,晶体管,三极管,TO-220-3L封装,参数为:Pcm=2000mW,Ic=5000mA,BVcbo=60V,BVceo=50V,BVebo=5V,hfe(Min)=70,hfe(Max)=240,Vce(sat)=0.4V,fr=60+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2DD2652-7
2DD2652-7,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-323-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:12 V; 最大DC直流集电极电流:1.5 A; 最小DC直流电流增益:270@200mA@2V; 最大工作频率:260(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.2@25m...
BUB323ZG
BUB323ZG,三极管,达林顿管,品牌:ON,封装:D2PAK-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:350 V; 峰值DC直流集电极电流:10 A; 最小DC直流电流增益:500@5A@4.6V; 最大集电极发射极饱和电压:1.6@70mA@7A|1.8@0.1A@8A|1.7@0....
NSVMUN5211DW1T3G
NSVMUN5211DW1T3G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SOT-363-6,参数:配置:Dual; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:35@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount....
A2982ELW
A2982ELW,三极管,达林顿管,品牌:Allegro,封装:SOIC-20 W,参数:配置:Octal; 类型:NPN|PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最大集电极发射极饱和电压:1.8@100mA|1.9@225mA|2@350mA V; 安装方式:Surface ...
NSBA143TDXV6T5G
NSBA143TDXV6T5G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SOT-563-6,参数:配置:Dual; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:160@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. ...
BD651-S
BD651-S,三极管,达林顿管,品牌:Bourns,封装:TO-220-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:120 V; 峰值DC直流集电极电流:8 A; 最小DC直流电流增益:750@3A@3V; 最大集电极发射极饱和电压:2@12mA@3A|2.5@50mA@5A V; 最大集电...
KSD880YTU
KSD880YTU,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-220AB-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:3 A; 最小DC直流电流增益:100@500mA@5V; 最大工作频率:3(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:1@0.3A@...
2PD601AW
2PD601AW,贴片晶体管,三极管,SOT-323封装,参数为:Pcm=200mW,Ic=100mA,BVcbo=60V,BVceo=50V,BVebo=6V,hfe(Min)=160,hfe(Max)=460,Vce(sat)=0.5V,fr=100MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
UMC2NT1G
UMC2NT1G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SC-70-5,参数:配置:Dual Common Base and Collector; 类型:NPN|PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:60@5mA@10V; 工作温度:-65 to 150 ℃;...
TIP36CW
TIP36CW,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-247-3,参数:类型:NPN|PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:100 V; 最大DC直流集电极电流:25 A; 最小DC直流电流增益:25@1A@10V|10@15A@4V; 最大工作频率:3(Min) MHz; 最大...
BC856BW-7-F
BC856BW-7-F,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-323-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:65 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:220@2mA@5V; 最大工作频率:200(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.3@0.5...
2SA1579T106S
2SA1579T106S,功率晶体管,品牌:Rohm,封装:UMT-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:120 V; 最大DC直流集电极电流:0.05 A; 最小DC直流电流增益:270@2mA@6V; 最大工作频率:140(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@1mA@10...
CPH5901G-TL-E
CPH5901G-TL-E,NPN外延硅晶体管和N沟道硅结场效应晶体管,品牌:ON,封装:CPH-5,参数:分类:NPN Epitaxial Silicon Transistor and N-Channel Silicon Junction Field Effect Transistor; 引脚数目:5; 工作温度:-...
2N3772G
2N3772G,功率晶体管,品牌:ON,封装:TO-204-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:20 A; 最小DC直流电流增益:15@10A@4V|5@20A@4V; 最大工作频率:0.2(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:1.4@1A@10...
BC807DS,115
BC807DS,115,功率晶体管,品牌:NXP,封装:TSOP-6,参数:类型:PNP; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:160@100mA@1V|40@500mA@1V; 最大工作频率:80(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:...
2SC2713-GR,LF
2SC2713-GR,LF,功率晶体管,品牌:Toshiba,封装:TO-236-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:120 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:200@2mA@6V; 最大集电极发射极饱和电压:0.3@1mA@10mA V; 最大集电极基极电压...
DTA114YSA
DTA114YSA,PNP数字晶体管,由ROHM原厂生产,TO-92S封装,参数为:Pd=300mW,Io=100mA,Vcc=50V,Gi=68,Vo(on)=0.3V,R1=10K+欧姆,R2=47K+欧姆,fr=250+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562