CPH5905H-TL-E
CPH5905H-TL-E,NPN外延硅晶体管和N沟道硅结场效应晶体管,品牌:ON,封装:CPH-5,参数:分类:NPN Epitaxial Silicon Transistor and N-Channel Silicon Junction Field Effect Transistor; 引脚数目:5; 工作温度:-...
DDTA144TE-7-F
DDTA144TE-7-F,数字晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-523-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:100@1mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mou...
2SD1759TL
2SD1759TL,三极管,达林顿管,品牌:Rohm,封装:CPT-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 峰值DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:1000@0.5A@3V; 最大集电极发射极饱和电压:1.5@1.2mA@0.6A V; 最大集电极基极电压:40 V; 安装方式:Surface ...
2DD1664P-13
2DD1664P-13,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-89-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:32 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:82@100mA@3V; 最大工作频率:280(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.4@50mA@...
2SC4116-BL(TE85L,F)
2SC4116-BL(TE85L,F),功率晶体管,品牌:Toshiba,封装:USM-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:0.15 A; 最小DC直流电流增益:350@2mA@6V; 最大工作频率:80(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0....
TPIC44H01DAG4
TPIC44H01DAG4,4通道串行和并行高侧前置FET驱动器,品牌:TI,封装:TSSOP-32,参数:分类:4-Channel Serial And Parallel High-Side Pre-Fet Driver; 引脚数目:32; 工作温度:-40 to 150 ℃; 所属系列:TPIC44H01; 安装方...
BSR18A
BSR18A,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:SOT-23-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:0.2 A; 最小DC直流电流增益:60@0.1mA@1V|80@1mA@1V|100@10mA@1V|60@50mA@1V|30@100mA@1V...
PBSS8110X,135
PBSS8110X,135,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-89-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:100 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:150@1mA@10V|150@250mA@10V|100@500mA@10V|80@1A@10V; 最大工作频...
DDTA143FCA-7-F
DDTA143FCA-7-F,数字晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:68@10mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:075...
EMH3T2R
EMH3T2R,数字晶体管,品牌:Rohm,封装:EMT-6,参数:配置:Dual; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:100@1mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:...
2SA1611
2SA1611,贴片晶体管,三极管,SOT-323封装,参数为:Pcm=150mW,Ic=100mA,BVcbo=60V,BVceo=50V,BVebo=5V,hfe(Min)=90,hfe(Max)=600,Vce(sat)=0.3V,fr=180+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
PDTB113ZUX
PDTB113ZUX,数字晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-323-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:500 mA; 最小DC直流电流增益:70@50mA@5V; 工作温度:-55 to 175 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报...
B772
B772,晶体管,三极管,TO-126封装,参数为:Pcm=1250mW,Ic=3000mA,BVcbo=40V,BVceo=30V,BVebo=6V,hfe(Min)=60,hfe(Max)=400,Vce(sat)=0.5V,fr=50MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
DDTC122LU-7-F
DDTC122LU-7-F,数字晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-323-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:56@10mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:075...
TPIC44L01DBR
TPIC44L01DBR,4通道串行和并行低侧前置FET驱动器,品牌:TI,封装:SSOP-24,参数:分类:4-Channel Serial and Parallel Low-Side Pre-Fet Driver; 引脚数目:24; 工作温度:-40 to 125 ℃; 所属系列:TPIC44L01; 安装方式:S...
PMBT5551,235
PMBT5551,235,功率晶体管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:160 V; 最大DC直流集电极电流:0.3 A; 最小DC直流电流增益:80@1mA@5V|80@10mA@5V|30@50mA@5V; 最大工作频率:300 MHz; 最大集电...
TPIC44H01DARG4
TPIC44H01DARG4,4通道串行和并行高侧前置FET驱动器,品牌:TI,封装:TSSOP-32,参数:分类:4-Channel Serial And Parallel High-Side Pre-Fet Driver; 引脚数目:32; 工作温度:-40 to 150 ℃; 所属系列:TPIC44H01; 安装...
2SC2230
2SC2230,晶体管,三极管,TO-92MOD封装,参数为:Pcm=800mW,Ic=100mA,BVcbo=200V,BVceo=160V,BVebo=5V,hfe(Min)=120,hfe(Max)=400,Vce(sat)=0.5V,fr=50MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
DMB54D0UDW-7
DMB54D0UDW-7,N沟道增强型MOSFETPNP晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-363-6,参数:分类:N-Channel Enhancement Mode MOSFET Plus PNP Transistor; 引脚数目:6; 工作温度:-55 to 150 ℃; 所属系列:DMB54D0UDW; ...
2SD1757KT146R
2SD1757KT146R,功率晶体管,品牌:Rohm,封装:SMT-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:15 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:180@100mA@3V; 最大工作频率:150(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.4@50mA@...