MMBT4403-7-F,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-23-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:0.6 A; 最小DC直流电流增益:30@100uA@1V|60@1mA@1V|100@10mA@1V|100@150mA@2V|20@500...
DDTA144WE-7-F,数字晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-523-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:56@10mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:075...
MMBT4401-13-F,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-23-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:0.6 A; 最小DC直流电流增益:20@0.1mA@1V|40@1mA@1V|80@10mA@1V|100@150mA@1V|40@500...
MJD128T4G,三极管,达林顿管,品牌:ON,封装:DPAK-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:120 V; 峰值DC直流集电极电流:8 A; 最小DC直流电流增益:1000@4A@4V|100@8A@4V; 最大集电极发射极饱和电压:2@16mA@4A|4@80mA@8A V;...
MMPQ6700,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:SOIC-16 N,参数:类型:NPN|PNP; 引脚数量:16; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:0.2 A; 最小DC直流电流增益:30@0.1mA@1V|50@1mA@1V|70@10mA@1V; 最大工作频率:200(Min...
BC327-40-AP,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-92-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:250@100mA@1V; 最大工作频率:80(Min) MHz; 最大集电极发射极饱...
TPC6901(TE85L,F,M),功率晶体管,品牌:Toshiba,封装:VS-6,参数:类型:NPN|PNP; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:1@NPN|0.7@PNP A; 最小DC直流电流增益:400@0.1A@2V|200@0.3A@2V@NPN|200@0.1A...
UMD4NTR,数字晶体管,品牌:Rohm,封装:UMT-6,参数:配置:Dual; 类型:NPN|PNP; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:68@5mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562
ST13007,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-220-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:400 V; 最大DC直流集电极电流:8 A; 最小DC直流电流增益:16@2A@5V|5@5A@5V; 最大集电极发射极饱和电压:1@0.4A@2A|2@1A@5...
NSS40301MDR2G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SOIC-8 N,参数:类型:NPN; 引脚数量:8; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:3 A; 最小DC直流电流增益:200@10mA@2V|200@500mA@2V|180@1A@2V|180@2A@2V; 最大工作频率:100(M...
BD677AS,三极管,达林顿管,品牌:Fairchild,封装:TO-126-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:60 V; 峰值DC直流集电极电流:4 A; 最小DC直流电流增益:750@2A@3V; 最大集电极发射极饱和电压:2.8@40mA@2A V; 最大集电极基极电压:60...
NUS5530MNR2G,集成功率MOSFET具有PNP,品牌:ON,封装:DFN-8 EP,参数:分类:Integrated Power MOSFET with PNP; 引脚数目:8; 工作温度:-55 to 150 ℃; 所属系列:NUS5530MN; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:...
BD744A-S,功率晶体管,品牌:Bourns,封装:TO-220-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:15 A; 最小DC直流电流增益:40@1A@4V|20@5A@4V|5@15A@4V; 最大集电极发射极饱和电压:1@0.5A@5A|3@4A@15...
2SA950,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=600mW,Ic=800mA,BVcbo=35V,BVceo=30V,BVebo=5V,hfe(Min)=100,hfe(Max)=320,Vce(sat)=0.7V,fr=120+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MJE170G,功率晶体管,品牌:ON,封装:TO-225-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:3 A; 最小DC直流电流增益:50@100mA@1V|30@500mA@1V|12@1.5A@1V; 最大工作频率:50(Min) MHz; 最大集电极发射极...
2SA1514KT146S,功率晶体管,品牌:Rohm,封装:SMT-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:120 V; 最大DC直流集电极电流:0.05 A; 最小DC直流电流增益:270@2mA@6V; 最大工作频率:140(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@1mA@1...
TIP35C,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-247-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:100 V; 最大DC直流集电极电流:25 A; 最小DC直流电流增益:25@1.5A@4V|10@15A@4V; 最大工作频率:3(Min) MHz; 最大集电极发...
MUN5111T1G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SC-70-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:35@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购...
BFG425W,135,功率晶体管,品牌:NXP,封装:CMPAK-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:4.5 V; 最大DC直流集电极电流:0.03 A; 最小DC直流电流增益:50@25mA@2V; 最大工作频率:25000(Typ) MHz; 最大集电极基极电压:10 V; 工作温度:...
KSC2330OTA,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-92L-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:300 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:70@20mA@10V; 最大工作频率:50(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@1...
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