BC850BWE6327
BC850BWE6327,功率晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-323-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:200@2mA@5V; 最大工作频率:250(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.25...
BCP49E6419
BCP49E6419,三极管,达林顿管,品牌:Infineon,封装:SOT-223-4,参数:配置:Single Dual Collector; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:60 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:2000@0.1mA@1V|4000@10mA@5V|1000...
2SC4132T100P
2SC4132T100P,功率晶体管,品牌:Rohm,封装:MPT-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:120 V; 最大DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:82@0.1A@5V; 最大工作频率:80(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.4@0.1A@1A V;...
BCM847BS,115
BCM847BS,115,功率晶体管,品牌:NXP,封装:TSSOP-6,参数:类型:NPN; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:200@2mA@5V; 最大工作频率:250(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.2@0.5mA@1...
CPH5902G-TL-E
CPH5902G-TL-E,NPN外延硅晶体管和N沟道硅结场效应晶体管,品牌:ON,封装:CPH-5,参数:分类:NPN Epitaxial Silicon Transistor and N-Channel Silicon Junction Field Effect Transistor; 引脚数目:5; 工作温度:-...
2N4126
2N4126,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=625mW,Ic=200mA,BVcbo=25V,BVceo=25V,BVebo=4V,hfe(Min)=120,hfe(Max)=360,Vce(sat)=0.4V,fr=250MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
HFA3102BZ96
HFA3102BZ96,功率晶体管,品牌:Intersil,封装:SOIC-14 N,参数:类型:NPN; 引脚数量:14; 最大集电极发射极电压:8 V; 最大DC直流集电极电流:0.03 A; 最小DC直流电流增益:40@10mA@3V; 最大工作频率:10000(Typ) MHz; 最大集电极基极电压:12 V;...
DDTC125TE-7-F
DDTC125TE-7-F,数字晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-523-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:100@1mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mou...
LBN150B01-7
LBN150B01-7,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-26-6,参数:类型:NPN|PNP; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:0.2 A; 最小DC直流电流增益:105@100uA@1V|110@1mA@1V|120@10mA@1V|90@50mA@1V|32@...
BF623,115
BF623,115,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-89-4,参数:类型:PNP; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:250 V; 最大DC直流集电极电流:0.05 A; 最小DC直流电流增益:50@25mA@20V; 最大工作频率:60(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.8@5mA@30m...
BC846BWT1G
BC846BWT1G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SC-70-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:65 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:200@2mA@5V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.25@0.5mA@10m...
TIP49-S
TIP49-S,功率晶体管,品牌:Bourns,封装:TO-220-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:350 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:30@0.3A@10V|10@1A@10V; 最大集电极发射极饱和电压:1@0.2A@1A V; 最大集电极基极电压:...
MJD350TF
MJD350TF,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:DPAK-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:300 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:30@50mA@10V; 最大集电极基极电压:300 V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 最大功率耗散...
TIP36CW
TIP36CW,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-247-3,参数:类型:NPN|PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:100 V; 最大DC直流集电极电流:25 A; 最小DC直流电流增益:25@1A@10V|10@15A@4V; 最大工作频率:3(Min) MHz; 最大...
SMMBT5089LT1G
SMMBT5089LT1G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SOT-23-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:30 V; 最大DC直流集电极电流:0.05 A; 最小DC直流电流增益:300@0.1mA@5V|350@1mA@5V|300@10mA@5V; 最大工作频率:50(Min) MHz...
PDTA123TMB,315
PDTA123TMB,315,数字晶体管,品牌:NXP,封装:DFN-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:30@20mA@5V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报...
TIP112G
TIP112G,三极管,达林顿管,品牌:ON,封装:TO-220AB-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:100 V; 峰值DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:1000@1A@4V|500@2A@4V; 最大集电极发射极饱和电压:2.5@8mA@2A V; 最大集电极基...
BD435STU
BD435STU,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-126-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:32 V; 最大DC直流集电极电流:4 A; 最小DC直流电流增益:40@10mA@5V|85@500mA@1V|50@2A@1V; 最大工作频率:3(Min) MHz; 最大集电...
ULN2004AFWG(CNEHZA)
ULN2004AFWG(CNEHZA),三极管,达林顿管,品牌:Toshiba,封装:SOL-16,参数:配置:Array 7; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:1000@350mA@2V; 最大集电极发射极饱和电压:1.6@350mA|1....
2DD1621T-13
2DD1621T-13,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-89-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:25 V; 最大DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:200@0.1A@2V|65@1.5A@2V; 最大工作频率:300(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电...