2SA1593T-TL-E
2SA1593T-TL-E,功率晶体管,品牌:ON,封装:TP-FA-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:100 V; 最大DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:200@100mA@5V; 最大工作频率:120(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.6@100mA@...
2N6517
2N6517,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=625mW,Ic=500mA,BVcbo=350V,BVceo=350V,BVebo=6V,hfe(Min)=30,hfe(Max)=200,Vce(sat)=1V,fr=40MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
ZX5T851GTA
ZX5T851GTA,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-223-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:6 A; 最小DC直流电流增益:100@10mA@1V|100@2A@1V|55@5A@1V|20@10A@1V; 最大工作频率:130(Typ...
NSBC124EPDXV6T5G
NSBC124EPDXV6T5G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SOT-563-6,参数:配置:Dual; 类型:NPN|PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:60@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mo...
PMST5089,115
PMST5089,115,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SC-70-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:25 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:400@0.1mA@5V|450@1mA@5V|400@10mA@5V; 最大工作频率:100(Min) MHz;...
2SB1426
2SB1426,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=750mW,Ic=3000mA,BVcbo=20V,BVceo=20V,BVebo=6V,hfe(Min)=82,hfe(Max)=390,Vce(sat)=0.5V,fr=240+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BCX19,235
BCX19,235,功率晶体管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:100@100mA@1V|70@300mA@1V|40@500mA@1V; 最大工作频率:100(Min) MHz...
BCX71HT216
BCX71HT216,功率晶体管,品牌:Rohm,封装:SOT-23-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.2 A; 最小DC直流电流增益:140@2mA@5V|80@50mA@5V; 最大集电极发射极饱和电压:0.25@0.25mA@10mA|0.55...
RN4984,LF(CT)
RN4984,LF(CT),数字晶体管,品牌:Toshiba,封装:US-6,参数:配置:Dual; 类型:NPN|PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:80@10mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount....
DTC124ESATP
DTC124ESATP,数字晶体管,品牌:Rohm,封装:SPT-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:56@5mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562...
2SB766A
2SB766A,贴片晶体管,三极管,SOT-89-3L封装,参数为:Pcm=500mW,Ic=1000mA,BVcbo=60V,BVceo=50V,BVebo=5V,hfe(Min)=85,hfe(Max)=340,Vce(sat)=0.4V,fr=200+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-8389756...
NE678M04-A
NE678M04-A,功率晶体管,品牌:NEC,封装:Thin-Type Super Mini-Mold-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:6 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:75@30mA@3V; 最大集电极基极电压:9 V; 工作温度:-65 to 1...
TIP137-S
TIP137-S,三极管,达林顿管,品牌:Bourns,封装:TO-220-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:100 V; 峰值DC直流集电极电流:8 A; 最小DC直流电流增益:500@1A@4V|1000@4A@4V; 最大集电极发射极饱和电压:2@16mA@4A|3@30mA@...
2SB1068
2SB1068,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=625mW,Ic=2000mA,BVcbo=20V,BVceo=16V,BVebo=6V,hfe(Min)=135,hfe(Max)=650,Vce(sat)=0.5V,fr=100MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
PBR951,215
PBR951,215,功率晶体管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:10 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:50@5mA@6V; 最大工作频率:8000(Typ) MHz; 最大集电极基极电压:20 V; 工作温度:-6...
ZXTD718MCTA
ZXTD718MCTA,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:DFN-8 EP,参数:类型:PNP; 引脚数量:8; 最大集电极发射极电压:20 V; 最大DC直流集电极电流:3.5 A; 最小DC直流电流增益:300@10mA@2V|300@100mA@2V|150@2A@2V|15@6A@2V; 最大工作频率:18...
3DA5200B
3DA5200B,晶体管,三极管,TO-3P封装,参数为:Pcm=3000mW,Ic=15000mA,BVcbo=160V,BVceo=160V,BVebo=5V,hfe(Min)=55,hfe(Max)=160,Vce(sat)=3V,fr=30+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
ULN2003ANSRE4
ULN2003ANSRE4,三极管,达林顿管,品牌:TI,封装:SOP-16,参数:配置:Array 7; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最大集电极发射极饱和电压:1.1@100mA|1.3@200mA|1.6@350mA V; 安装方式:Surface Mou...
SMMBT3904LT3G
SMMBT3904LT3G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SOT-23-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:0.2 A; 最小DC直流电流增益:40@0.1mA@1V|70@1mA@1V|100@10mA@1V|60@50mA@1V|30@100mA@1V...
HFA3127RZ96
HFA3127RZ96,功率晶体管,品牌:Intersil,封装:QFN-16 EP,参数:类型:NPN; 引脚数量:16; 最大集电极发射极电压:8 V; 最大DC直流集电极电流:0.065 A; 最小DC直流电流增益:40@10mA@2V; 最大工作频率:8000(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0....