BC858C-7-F
BC858C-7-F,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-23-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:30 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:420@2mA@5V; 最大工作频率:200(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.3@0.5mA...
NST3906DXV6T1G
NST3906DXV6T1G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SOT-563-6,参数:类型:PNP; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:0.2 A; 最小DC直流电流增益:60@0.1mA@1V|80@1mA@1V|100@10mA@1V|60@50mA@1V|30@100mA@...
M28S
M28S,贴片晶体管,三极管,SOT-23封装,参数为:Pcm=200mW,Ic=1000mA,BVcbo=40V,BVceo=20V,BVebo=6V,hfe(Min)=300,hfe(Max)=1000,Vce(sat)=0.55V,fr=100MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
APT13005DTF-G1
APT13005DTF-G1,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:TO-220F-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:450 V; 最大DC直流集电极电流:4 A; 最小DC直流电流增益:15@1A@5V|8@2A@5V; 最大集电极发射极饱和电压:0.3@0.2A@1A|0.6@0.5@...
HFA3127BZ
HFA3127BZ,功率晶体管,品牌:Intersil,封装:SOIC-16 N,参数:类型:NPN; 引脚数量:16; 最大集电极发射极电压:8 V; 最大DC直流集电极电流:0.065 A; 最小DC直流电流增益:40@10mA@2V; 最大工作频率:8000(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@...
KTC4369
KTC4369,晶体管,三极管,TO-220F封装,参数为:Pcm=2000mW,Ic=3000mA,BVcbo=30V,BVceo=30V,BVebo=5V,hfe(Min)=70,hfe(Max)=240,Vce(sat)=0.8V,fr=100+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BC373RL1G
BC373RL1G,三极管,达林顿管,品牌:ON,封装:TO-92-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:80 V; 峰值DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:8000@250mA@5V|10000@100mA@5V; 最大集电极发射极饱和电压:1.1@0.25mA@250...
DTC114TUA
DTC114TUA,NPN贴片数字晶体管,由ROHM原厂生产,SOT-323封装,参数为:Pd=200mW,Io=100mA,Vcc=50V,Gi=100,Vo(on)=0.3V,R1=10K+欧姆,fr=250+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
SMBT3946DW1T1G
SMBT3946DW1T1G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SC-88-6,参数:类型:NPN|PNP; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:0.2 A; 最小DC直流电流增益:40@0.1mA@1V@NPN|70@1mA@1V@NPN|100@10mA@1V@NPN|60@50m...
2SD2674TL
2SD2674TL,功率晶体管,品牌:Rohm,封装:TSMT-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:12 V; 最大DC直流集电极电流:1.5 A; 最小DC直流电流增益:270@200mA@2V; 最大工作频率:400(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.2@25mA@500...
DTC143ZE
DTC143ZE,NPN贴片数字晶体管,由ROHM原厂生产,SOT-523封装,参数为:Pd=150mW,Io=100mA,Vcc=50V,Gi=80,Vo(on)=0.3V,R1=4.7K+欧姆,R2=47K+欧姆,fr=250+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
ZXTP25020DZTA
ZXTP25020DZTA,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-89-4,参数:类型:PNP; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:20 V; 最大DC直流集电极电流:5 A; 最小DC直流电流增益:300@10mA@2V|200@1A@2V|45@5A@2V; 最大工作频率:290(Typ) MHz; 最...
2SD1760TLP
2SD1760TLP,功率晶体管,品牌:Rohm,封装:CPT-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:3 A; 最小DC直流电流增益:82@0.5A@3V; 最大工作频率:90(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:1@0.2A@2A V; 最大集电...
LMN400B01-7
LMN400B01-7,PNP晶体管和N-MOSFET，带有栅极下拉电阻,品牌:Diodes,封装:SOT-26-6,参数:分类:PNP Transistor and N-MOSFET with Gate Pull Down Resistor; 引脚数目:6; 工作温度:-55 to 150 ℃; 所属系列:LMN40...
2SC5053T100Q
2SC5053T100Q,功率晶体管,品牌:Rohm,封装:MPT-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:120@500mA@3V; 最大工作频率:150(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.4@50mA@500...
PEMD10,115
PEMD10,115,数字晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-666-6,参数:配置:Dual; 类型:NPN|PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:100@10mA@5V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount....
2SB1302S-TD-E
2SB1302S-TD-E,功率晶体管,品牌:ON,封装:PCP-4,参数:类型:PNP; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:20 V; 最大DC直流集电极电流:5 A; 最小DC直流电流增益:140@500mA@2V; 最大工作频率:320(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@60mA@3A V...
CPH3123-TL-E
CPH3123-TL-E,功率晶体管,品牌:ON,封装:CPH-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:3 A; 最小DC直流电流增益:200@100mA@2V; 最大工作频率:390(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.23@50mA@1A|0...
ST1803DHI
ST1803DHI,数字晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:ISOWATT218-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:600 V; 峰值DC直流集电极电流:10000 mA; 最小DC直流电流增益:10@1A@5V|5@4.5A@5V; 工作温度:-65 to 1...
TD62783AFG(O,S,EL)
TD62783AFG(O,S,EL),三极管,达林顿管,品牌:Toshiba,封装:SOP-18,参数:配置:Octal; 类型:NPN|PNP; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最大集电极发射极饱和电压:2@350mA|1.9@225mA|1.8@100mA V; 安装方式:Surface Mount. 询报价...