2SB647
2SB647,晶体管,三极管,TO-92MOD封装,参数为:Pcm=900mW,Ic=1000mA,BVcbo=120V,BVceo=80V,BVebo=5V,hfe(Min)=60,hfe(Max)=320,Vce(sat)=1V,fr=140MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
PDTA114ET,215
PDTA114ET,215,数字晶体管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:30@5mA@5V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount....
BCX53-10,115
BCX53-10,115,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-89-4,参数:类型:PNP; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:80 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:63@150mA@2V; 最大工作频率:145(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@50mA@50...
DDTC114ECAQ-13-F
DDTC114ECAQ-13-F,数字晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:35@5mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 库存实时更新,询报价及购...
TIP31C
TIP31C,晶体管,三极管,TO-220-3L封装,参数为:Pcm=2000mW,Ic=3000mA,BVcbo=100V,BVceo=100V,BVebo=5V,hfe(Min)=15,hfe(Max)=75,Vce(sat)=1.2V,fr=3MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
DDTC123JCA-7-F
DDTC123JCA-7-F,数字晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:80@10mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mou...
DXT651-13
DXT651-13,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-89-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:3 A; 最小DC直流电流增益:70@50mA@2V|100@500mA@2V|80@1A@2V|40@2A@2V; 最大工作频率:200(Typ)...
FJPF3305H2TU
FJPF3305H2TU,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-220F-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:400 V; 最大DC直流集电极电流:4 A; 最小DC直流电流增益:8@2A@5V; 最大工作频率:4(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@0.2A@...
HN1C01F-GR(TE85L,F)
HN1C01F-GR(TE85L,F),功率晶体管,品牌:Toshiba,封装:SOT-26-6,参数:类型:NPN; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:0.15 A; 最小DC直流电流增益:120@2mA@6V; 最大集电极发射极饱和电压:0.25@2mA@0.1A V; 最大...
2SA1020-YTE6FM
2SA1020-YTE6FM,功率晶体管,品牌:Toshiba,封装:LSTM-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:120@0.5A@2V; 最大工作频率:100(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@0.0...
2SC5866TLQ
2SC5866TLQ,功率晶体管,品牌:Rohm,封装:TSMT-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:120@100mA@2V; 最大工作频率:200(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@0.1A@1A V...
PDTA123JMB,315
PDTA123JMB,315,数字晶体管,品牌:NXP,封装:DFN-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:100@10mA@5V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询...
BFP740F H6327
BFP740F H6327,功率晶体管,品牌:Infineon,封装:TSFP-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:4 V; 最大DC直流集电极电流:0.03 A; 最小DC直流电流增益:160@25mA@3V; 最大工作频率:42000(Typ) MHz; 最大集电极基极电压:13 V; ...
DSS30101L-7
DSS30101L-7,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-23-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:30 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:300@50mA@5V|300@0.5A@5V|200@1A@5V; 最大工作频率:250(Typ) MHz; ...
2SD1802T-E
2SD1802T-E,功率晶体管,品牌:ON,封装:TP-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:5 A; 最小DC直流电流增益:200@100mA@2V; 最大工作频率:150(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.0005@100mA@2A V...
IMB3AT110
IMB3AT110,数字晶体管,品牌:Rohm,封装:SMT-6,参数:配置:Dual; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:100@1mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致...
NSVBC856BM3T5G
NSVBC856BM3T5G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SOT-723-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:65 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:220@2mA@5V; 最大集电极发射极饱和电压:0.3@0.5mA@10mA|0.65@5mA@100mA...
NE677M04-T2-A
NE677M04-T2-A,功率晶体管,品牌:NEC,封装:Thin-Type Super Mini-Mold-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:6 V; 最大DC直流集电极电流:0.05 A; 最小DC直流电流增益:75@20mA@3V; 最大集电极基极电压:9 V; 工作温度:-65 ...
MMST3906T146
MMST3906T146,功率晶体管,品牌:Rohm,封装:SMT-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:0.2 A; 最小DC直流电流增益:60@0.1mA@1V|80@1mA@1V|100@10mA@1V|60@50mA@1V|30@100mA@1V; ...
3CA772
3CA772,晶体管,三极管,TO-126封装,参数为:Pcm=1250mW,Ic=3000mA,BVcbo=40V,BVceo=30V,BVebo=6V,hfe(Min)=60,hfe(Max)=400,Vce(sat)=0.5V,fr=50MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562