NE677M04-A
NE677M04-A,功率晶体管,品牌:NEC,封装:Thin-Type Super Mini-Mold-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:6 V; 最大DC直流集电极电流:0.05 A; 最小DC直流电流增益:75@20mA@3V; 最大集电极基极电压:9 V; 工作温度:-65 to ...
UPA806T-A
UPA806T-A,功率晶体管,品牌:NEC,封装:SOT-363-6,参数:类型:NPN; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:6 V; 最大DC直流集电极电流:0.03 A; 最小DC直流电流增益:75@10mA@3V; 最大集电极基极电压:9 V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 最大功率耗散:200 m...
2SC4115S
2SC4115S,晶体管,三极管,TO-92S封装,参数为:Pcm=300mW,Ic=3000mA,BVcbo=40V,BVceo=20V,BVebo=6V,hfe(Min)=120,hfe(Max)=560,Vce(sat)=0.5V,fr=290+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SC2712GRTE85RF
2SC2712GRTE85RF,功率晶体管,品牌:Toshiba,封装:S-Mini-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:0.15 A; 最小DC直流电流增益:200@2mA@6V; 最大工作频率:80(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.2...
ZXTPS718MCTA
ZXTPS718MCTA,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:DFN-8 EP,参数:类型:PNP; 引脚数量:8; 最大集电极发射极电压:20 V; 最大DC直流集电极电流:3.9 A; 最小DC直流电流增益:300@10mA@2V|300@100mA@2V|150@2A@2V|15@6A@2V; 最大工作频率:1...
DDTA142JE-7-F
DDTA142JE-7-F,数字晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-523-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:56@10mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:075...
NSBC123TDP6T5G
NSBC123TDP6T5G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SOT-963-6,参数:配置:Dual; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:160@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. ...
RN2911,LF
RN2911,LF,功率晶体管,品牌:Toshiba,封装:US-6,参数:类型:PNP; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:120@1mA@5V; 最大集电极发射极饱和电压:0.3@0.25mA@5mA V; 最大集电极基极电压:50 V; ...
BST52
BST52,贴片达林顿晶体管,由NXP原厂生产,SOT-89-3L封装,参数为:Pcm=500mW,Ic=500mA,BVcbo=90V,BVceo=80V,hfe(Min)=2000,Vce(sat)=1.3V,fr=200+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TIPL770-S
TIPL770-S,功率晶体管,品牌:Bourns,封装:TO-220-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:400 V; 最大DC直流集电极电流:2.5 A; 最小DC直流电流增益:20@0.5A@5V; 最大工作频率:12(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:1@0.2A@1A|...
DTD743EETL
DTD743EETL,数字晶体管,品牌:Rohm,封装:EMT-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 峰值DC直流集电极电流:200 mA; 最小DC直流电流增益:115@100mA@2V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897...
DTA114TE
DTA114TE,PNP贴片数字晶体管,由ROHM原厂生产,SOT-523封装,参数为:Pd=150mW,Io=100mA,Vcc=50V,Gi=100,Vo(on)=0.3V,R1=10K+欧姆,fr=250+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BD237
BD237,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:SOT-32-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:80 V; 最大DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:40@150mA@2V|25@1A@2V; 最大工作频率:3(Min) MHz; 最大集电极发射极饱...
BC847AMTF
BC847AMTF,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:SOT-23-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:110@2mA@5V; 最大工作频率:300(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.25@0....
BCW68FE6327HTSA1
BCW68FE6327HTSA1,功率晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-23-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.8 A; 最小DC直流电流增益:35@100uA@10V|75@10mA@1V|100@100mA@1V|35@500mA@2...
FJP5304DTU
FJP5304DTU,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-220-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:400 V; 最大DC直流集电极电流:4 A; 最小DC直流电流增益:10@10mA@5V|8@2A@5V; 最大集电极发射极饱和电压:0.7@0.1A@0.5A|1@0.2A...
MPSA29
MPSA29,达林顿晶体管,由ON原厂生产,TO-92封装,参数为:Pcm=625mW,Ic=500mA,BVcbo=100V,BVceo=100V,BVebo=12V,hfe(Min)=10000,Vce(sat)=1.5V,fr=125MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MJD122
MJD122,贴片达林顿晶体管,由ON原厂生产,TO-252-2L(4R)封装,参数为:Pcm=1500mW,Ic=8000mA,BVcbo=100V,BVceo=100V,BVebo=5V,hfe(Min)=100012000,Vce(sat)=2V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BUH315D
BUH315D,数字晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:ISOWATT218-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:700 V; 峰值DC直流集电极电流:6000 mA; 最小DC直流电流增益:4@3A@5V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Thr...
BC846W,115
BC846W,115,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SC-70-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:65 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:110@2mA@5V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.2@0.5mA@10m...