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2SC6026MFVGR.L3F(B)

2SC6026MFVGR.L3F(B),功率晶体管,品牌:Toshiba,封装:VESM-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:0.15 A; 最小DC直流电流增益:120@2mA@6V; 最大集电极发射极饱和电压:0.25@10mA@100mA V; 最大...

ZTX869STZ

ZTX869STZ,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:E-Line-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:25 V; 最大DC直流集电极电流:5 A; 最小DC直流电流增益:300@10mA@1V|300@1A@1V|250@5A@1V|40@20A@1V; 最大工作频率:100(Typ)...

ULN2067B

ULN2067B,三极管,达林顿管,品牌:ST Micro,封装:Power PDIP-16,参数:配置:Quad; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:80 V; 峰值DC直流集电极电流:1.75 A; 最大集电极发射极饱和电压:1.1@625uA@500mA|1.2@935uA@750mA|1.3@1.25mA@...

2SC5359-O(Q)

2SC5359-O(Q),功率晶体管,品牌:Toshiba,封装:TO-3PL-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:230 V; 最大DC直流集电极电流:15 A; 最小DC直流电流增益:80@1A@5V; 最大工作频率:30(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:3@0.8A@8A...

2SD1468S

2SD1468S,晶体管,三极管,TO-92S封装,参数为:Pcm=300mW,Ic=1000mA,BVcbo=30V,BVceo=15V,BVebo=5V,hfe(Min)=120,hfe(Max)=560,Vce(sat)=0.4V,fr=50MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

BCX71G E6327

BCX71G E6327,功率晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-23-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:20@10uA@5V|120@2mA@5V|60@50mA@1V; 最大工作频率:250(Typ) M...

DMMT5551S-7-F

DMMT5551S-7-F,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-26-6,参数:类型:NPN; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:160 V; 最大DC直流集电极电流:0.2 A; 最小DC直流电流增益:80@1mA@5V|80@10mA@5V|30@50mA@5V; 最大工作频率:300 MHz; 最大...

DDTC143FCA-7-F

DDTC143FCA-7-F,数字晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:68@10mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mou...

NSV12100UW3TCG

NSV12100UW3TCG,功率晶体管,品牌:ON,封装:WDFN-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:12 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:200@10mA@2V|100@0.5A@2V|75@1A@2V; 最大集电极发射极饱和电压:0.04@5mA@50m...

MMBTA42

MMBTA42,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:SOT-23-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:300 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:25@1mA@10V|40@10mA@10V|40@30mA@10V; 最大工作频率:50...

2SB1182

2SB1182,晶体管,三极管,TO-251-3L封装,参数为:Pcm=1500mW,Ic=2000mA,BVcbo=40V,BVceo=32V,BVebo=5V,hfe(Min)=82,hfe(Max)=390,Vce(sat)=0.8V,fr=100+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

2SD1766

2SD1766,贴片晶体管,三极管,SOT-89-3L封装,参数为:Pcm=500mW,Ic=2000mA,BVcbo=40V,BVceo=32V,BVebo=5V,hfe(Min)=82,hfe(Max)=390,Vce(sat)=0.8V,fr=100+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-8389756...

MMBT5550

MMBT5550,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:SOT-23-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:140 V; 最大DC直流集电极电流:0.6 A; 最小DC直流电流增益:60@1mA@5V|60@10mA@5V|20@50mA@5V; 最大工作频率:50(Min) MHz; ...

DTD543XETL

DTD543XETL,数字晶体管,品牌:Rohm,封装:EMT-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 峰值DC直流集电极电流:500 mA; 最小DC直流电流增益:140@100mA@2V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897...

PDTC115TMB,315

PDTC115TMB,315,数字晶体管,品牌:NXP,封装:DFN-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:100@1mA@5V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报...

ALCBC846BW,115

ALCBC846BW,115,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SC-70-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:65 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:200@2mA@5V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.2@0.5mA...

2SD1119

2SD1119,贴片晶体管,三极管,SOT-89-3L封装,参数为:Pcm=500mW,Ic=3000mA,BVcbo=40V,BVceo=25V,BVebo=7V,hfe(Min)=230,hfe(Max)=600,Vce(sat)=1V,fr=150+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

DTC143TUA

DTC143TUA,NPN贴片数字晶体管,由ROHM原厂生产,SOT-323封装,参数为:Pd=200mW,Io=100mA,Vcc=50V,Gi=100,Vo(on)=0.3V,R1=4.7K+欧姆,fr=250+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

DDTB122JU-7-F

DDTB122JU-7-F,数字晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-323-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 峰值DC直流集电极电流:500 mA; 最小DC直流电流增益:47@50mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:075...

BD910

BD910,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-220-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:80 V; 最大DC直流集电极电流:15 A; 最小DC直流电流增益:40@500mA@4V|15@5A@4V|5@10A@4V; 最大工作频率:3(Min) MHz;...