MUN5131T1G
MUN5131T1G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SC-70-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:8@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买...
MUN2136T1G
MUN2136T1G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SC-59-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:80@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买...
BCM857BV,315
BCM857BV,315,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-666-6,参数:类型:PNP; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:200@2mA@5V; 最大工作频率:175(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.2@0.5mA...
BC857W
BC857W,贴片晶体管,三极管,SOT-323封装,参数为:Pcm=150mW,Ic=100mA,BVcbo=50V,BVceo=45V,BVebo=5V,hfe(Min)=125,hfe(Max)=800,Vce(sat)=0.65V,fr=100MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SD2012
2SD2012,晶体管,三极管,TO-220-3L封装,参数为:Pcm=2000mW,Ic=3000mA,BVcbo=60V,BVceo=60V,BVebo=7V,hfe(Min)=100,hfe(Max)=320,Vce(sat)=1V,fr=3+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SC4116
2SC4116,贴片晶体管,三极管,SOT-323封装,参数为:Pcm=100mW,Ic=150mA,BVcbo=60V,BVceo=50V,BVebo=5V,hfe(Min)=70,hfe(Max)=700,Vce(sat)=0.25V,fr=80MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BC639-16ZL1G
BC639-16ZL1G,功率晶体管,品牌:ON,封装:TO-92-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:80 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:25@5mA@2V|100@150mA@2V|25@500mA@2V; 最大工作频率:200(Typ) MHz; 最大集...
MJD45H11T4
MJD45H11T4,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:DPAK-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:80 V; 最大DC直流集电极电流:8 A; 最小DC直流电流增益:60@2A@1V|40@4A@1V; 最大集电极发射极饱和电压:1@0.4A@8A V; 最大...
ZTX855
ZTX855,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:E-Line-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:150 V; 最大DC直流集电极电流:4 A; 最小DC直流电流增益:100@10mA@5V|100@1A@5V|35@4A@5V; 最大工作频率:90(Typ) MHz; 最大集电极发射极...
MJD32T4G
MJD32T4G,功率晶体管,品牌:ON,封装:DPAK-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:3 A; 最小DC直流电流增益:25@1A@4V|10@3A@4V; 最大工作频率:3(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:1.2@375mA@3A V...
ZTX696B
ZTX696B,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:E-Line-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:180 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:500@100mA@5V|150@200mA@5V; 最大工作频率:70(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和...
FML10T148
FML10T148,功率晶体管,品牌:Rohm,封装:SMT-5,参数:类型:NPN; 引脚数量:5; 最大集电极发射极电压:12 V; 最大DC直流集电极电流:1.5 A; 最小DC直流电流增益:270@200mA@2V; 最大工作频率:400(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.2@25mA@500m...
NJVMJD112G
NJVMJD112G,三极管,达林顿管,品牌:ON,封装:DPAK-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:100 V; 峰值DC直流集电极电流:4 A; 最小DC直流电流增益:500@0.5A@3V|1000@2A@3V|200@4A@3V; 最大集电极发射极饱和电压:2@8mA@2A|...
NSV20201LT1G
NSV20201LT1G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SOT-23-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:20 V; 最大DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:200@10mA@2V|200@500mA@2V|200@1A@2V|200@2A@2V; 最大集电极发射极饱和电压:...
KST2222AMTF
KST2222AMTF,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:SOT-23-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:0.6 A; 最小DC直流电流增益:35@0.1mA@10V|50@1mA@10V|75@10mA@10V|100@150mA@10V|4...
2SB1182TLR
2SB1182TLR,功率晶体管,品牌:Rohm,封装:CPT-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:32 V; 最大DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:180@0.5A@3V; 最大工作频率:100(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.8@0.2A@2A V; ...
CJ201NL
CJ201NL,贴片晶体管,三极管,SOT-23封装,参数为:Pcm=300mW,Ic=1000mA,BVcbo=30V,BVceo=20V,BVebo=5V,hfe(Min)=300,Vce(sat)=0.25V,fr=100MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SD1816T-E
2SD1816T-E,功率晶体管,品牌:ON,封装:TP-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:100 V; 最大DC直流集电极电流:4 A; 最小DC直流电流增益:200@0.5A@5V; 最大工作频率:180(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.4@0.2A@2A V; 最大...
UMG11NTR
UMG11NTR,数字晶体管,品牌:Rohm,封装:UMT-5,参数:配置:Dual Common Emitter; 类型:NPN; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:80@10mA@5V; 工作温度:-50 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0...
BC856,215
BC856,215,功率晶体管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:65 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:125@2mA@5V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.3@0.5mA@1...