DZT2907A-13
DZT2907A-13,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-223-4,参数:类型:PNP; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:0.6 A; 最小DC直流电流增益:75@100uA@10V|100@1mA@10V|100@10mA@10V|100@150mA@10V|5...
BCX55-16,115
BCX55-16,115,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-89-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:100@150mA@2V; 最大工作频率:180(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@50mA@5...
DDTA125TCA-7-F
DDTA125TCA-7-F,数字晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:100@1mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mou...
2N4401BU
2N4401BU,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-92-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:0.6 A; 最小DC直流电流增益:20@0.1mA@1V|40@1mA@1V|80@10mA@1V|100@150mA@1V|40@500mA@...
CPH5901F-TL-E
CPH5901F-TL-E,NPN外延硅晶体管和N沟道硅结场效应晶体管,品牌:ON,封装:CPH-5,参数:分类:NPN Epitaxial Silicon Transistor and N-Channel Silicon Junction Field Effect Transistor; 引脚数目:5; 工作温度:-...
UMF21NTR
UMF21NTR,数字晶体管,品牌:Rohm,封装:UMT-6,参数:配置:Dual; 类型:NPN|PNP; 最大集电极发射极电压:12@PNP V; 峰值DC直流集电极电流:100@NPN|500@PNP mA; 最小DC直流电流增益:30@5mA@5V@NPN|270@10mA@2V@PNP; 工作温度:-55 ...
RN1425TE85LF
RN1425TE85LF,数字晶体管,品牌:Toshiba,封装:S-Mini-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:800 mA; 最小DC直流电流增益:90@100mA@1V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mou...
BST60,115
BST60,115,三极管,达林顿管,品牌:NXP,封装:SOT-89-4,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:45 V; 峰值DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:1000@150mA@10V|2000@500mA@10V; 最大集电极发射极饱和电压:1.3@0.5mA@5...
SMUN5215T1G
SMUN5215T1G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SOT-323-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:160@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报...
MUN5212T1G
MUN5212T1G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SC-70-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:60@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购...
BUB323ZT4G
BUB323ZT4G,三极管,达林顿管,品牌:ON,封装:D2PAK-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:350 V; 峰值DC直流集电极电流:10 A; 最小DC直流电流增益:500@5A@4.6V; 最大集电极发射极饱和电压:1.6@70mA@7A|1.8@0.1A@8A|1.7@...
BFG35,115
BFG35,115,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-223-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:18 V; 最大DC直流集电极电流:0.15 A; 最小DC直流电流增益:25@100mA@10V; 最大工作频率:4000(Typ) MHz; 最大集电极基极电压:25 V; 工作温度:...
MMDT4401-7-F
MMDT4401-7-F,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-363-6,参数:类型:NPN; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:0.6 A; 最小DC直流电流增益:20@100uA@1V|40@1mA@1V|80@10mA@1V|100@150mA@1V|40@500...
RN2114MFV,L3F
RN2114MFV,L3F,数字晶体管,品牌:Toshiba,封装:VESM-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:50@10mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount....
2N2222AHR
2N2222AHR,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-18-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:0.8 A; 最小DC直流电流增益:30@0.1A@10V|75@1mA@10V|100@10mA@10V|100@150mA...
2PC4081S,135
2PC4081S,135,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SC-70-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:0.15 A; 最小DC直流电流增益:270@1mA@6V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.4@5mA@50...
BD241BFP
BD241BFP,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-220FP-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:80 V; 最大DC直流集电极电流:3 A; 最小DC直流电流增益:25@1A@4V|10@3A@4V; 最大集电极发射极饱和电压:1.2@0.6A@3A V...
MMBT2907AM3T5G
MMBT2907AM3T5G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SOT-723-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:0.6 A; 最小DC直流电流增益:75@0.1mA@10V|100@1mA@10V|100@10mA@10V|100@150mA@10V|50...
BCX41E6327HTSA1
BCX41E6327HTSA1,功率晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-23-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:125 V; 最大DC直流集电极电流:0.8 A; 最小DC直流电流增益:25@100uA@1V|63@100mA@1V|40@200mA@1V; 最大工作频率:100...
SBC847CWT3G
SBC847CWT3G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SC-70-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:270(Typ)@10uA@5V|420@2mA@5V; 最大集电极发射极饱和电压:0.25@0.5mA@10mA|0...