MMBT5087LT1G
MMBT5087LT1G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SOT-23-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:0.05 A; 最小DC直流电流增益:250@0.1mA@5V|250@1mA@5V|250@10mA@5V; 最大工作频率:40(Min) MHz;...
PMST3906,115
PMST3906,115,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SC-70-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:0.2 A; 最小DC直流电流增益:60@0.1mA@1V|80@1mA@1V|100@10mA@1V|60@50mA@1V|30@100mA@1V;...
2SC2999
2SC2999,晶体管,三极管,TO-92S封装,参数为:Pcm=400mW,Ic=30mA,BVcbo=25V,BVceo=20V,BVebo=3V,hfe(Min)=40,hfe(Max)=200,fr=450MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
DCP53-13
DCP53-13,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-223-4,参数:类型:PNP; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:80 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:40@150mA@2V|25@500mA@2V; 最大工作频率:200(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压...
PBSS8110X,135
PBSS8110X,135,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-89-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:100 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:150@1mA@10V|150@250mA@10V|100@500mA@10V|80@1A@10V; 最大工作频...
PDTB143XUF
PDTB143XUF,数字晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-323-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:500 mA; 最小DC直流电流增益:70@50mA@5V; 工作温度:-55 to 175 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报...
2N6341G
2N6341G,功率晶体管,品牌:ON,封装:TO-204-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:150 V; 最大DC直流集电极电流:25 A; 最小DC直流电流增益:50@0.5A@2V|30@10A@2V|12@25A@2V; 最大工作频率:40(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和...
ZXT13N20DE6TA
ZXT13N20DE6TA,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-23-6,参数:类型:NPN; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:20 V; 最大DC直流集电极电流:4.5 A; 最小DC直流电流增益:250@10mA@2V|300@1A@2V|200@5A@2V|15@15A@2V; 最大工作频率:96...
MPS2222A
MPS2222A,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=625mW,Ic=600mA,BVcbo=75V,BVceo=40V,BVebo=6V,hfe(Min)=100,hfe(Max)=300,Vce(sat)=0.6V,fr=300MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
DTA144EE
DTA144EE,PNP贴片数字晶体管,由ROHM原厂生产,SOT-523封装,参数为:Pd=150mW,Io=100mA,Vcc=50V,Gi=68,Vo(on)=0.3V,R1=47K+欧姆,R2=47K+欧姆,fr=250+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SD1803S-E
2SD1803S-E,功率晶体管,品牌:ON,封装:TP-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:5 A; 最小DC直流电流增益:140@0.5A@2V; 最大工作频率:180(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.4@0.15A@3A V; 最大...
RN2410(TE85L,F)
RN2410(TE85L,F),数字晶体管,品牌:Toshiba,封装:S-Mini-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:120@1mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface M...
2SA1162-GR(TE85L,F)
2SA1162-GR(TE85L,F),功率晶体管,品牌:Toshiba,封装:S-Mini-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:0.15 A; 最小DC直流电流增益:200@2mA@6V; 最大工作频率:80(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压...
MJD117-1G
MJD117-1G,三极管,达林顿管,品牌:ON,封装:DPAK-3-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:100 V; 峰值DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:500@0.5A@3V|1000@2A@3V|200@4A@3V; 最大集电极发射极饱和电压:2@8mA@2A...
TIP147T
TIP147T,三极管,达林顿管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-220-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:100 V; 峰值DC直流集电极电流:10 A; 最小DC直流电流增益:1000@5A@4V|500@10A@4V; 最大集电极发射极饱和电压:2@10...
BSP19,115
BSP19,115,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-223-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:350 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:40@20mA@10V; 最大工作频率:70(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@4mA@50m...
SBCP56T1G
SBCP56T1G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SOT-223-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:80 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:25@5mA@2V|40@150mA@2V|25@500mA@2V; 最大工作频率:130(Typ) MHz; 最大集电极...
2SA2071T100Q
2SA2071T100Q,功率晶体管,品牌:Rohm,封装:MPT-4,参数:类型:PNP; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:3 A; 最小DC直流电流增益:120@100mA@2V; 最大工作频率:180(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@0.2A@2A ...
MJE172
MJE172,晶体管,三极管,TO-126封装,参数为:Pcm=1500mW,Ic=3000mA,BVcbo=100V,BVceo=80V,BVebo=7V,hfe(Min)=50,hfe(Max)=250,Vce(sat)=1.7V,fr=50MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SC2873-Y(TE12L,CF)
2SC2873-Y(TE12L,CF),功率晶体管,品牌:Toshiba,封装:PW-Mini-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:120@0.5A@2V; 最大工作频率:120(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压...