MMBTH10
MMBTH10,贴片晶体管,三极管,SOT-23封装,参数为:Pcm=225mW,Ic=50mA,BVcbo=30V,BVceo=25V,BVebo=3V,hfe(Min)=60,hfe(Max)=-,Vce(sat)=0.5V,fr=650MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
LMN400B01-7
LMN400B01-7,PNP晶体管和N-MOSFET，带有栅极下拉电阻,品牌:Diodes,封装:SOT-26-6,参数:分类:PNP Transistor and N-MOSFET with Gate Pull Down Resistor; 引脚数目:6; 工作温度:-55 to 150 ℃; 所属系列:LMN40...
PMBT2222,215
PMBT2222,215,功率晶体管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:30 V; 最大DC直流集电极电流:0.6 A; 最小DC直流电流增益:35@0.1mA@10V|50@1mA@10V|75@10mA@10V|100@150mA@10V|50@1...
PBLS6001D,115
PBLS6001D,115,数字晶体管,品牌:NXP,封装:TSOP-6,参数:配置:Dual; 类型:NPN|PNP; 最大集电极发射极电压:50@NPN|60@PNP V; 峰值DC直流集电极电流:100@NPN|1000@PNP mA; 最小DC直流电流增益:30@20mA@5V@NPN|200@1mA@5V@P...
BC69-25PA,115
BC69-25PA,115,功率晶体管,品牌:NXP,封装:HUSON-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:20 V; 最大DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:160@500mA@1V; 最大工作频率:140(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@100mA@...
DTA144TET1G
DTA144TET1G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SC-75-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:120@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及...
DDTA143FCA-7-F
DDTA143FCA-7-F,数字晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:68@10mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:075...
STU13005N
STU13005N,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:IPAK-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:700 V; 最大DC直流集电极电流:3 A; 最小DC直流电流增益:15@0.5mA@2V|24@425mA@2V|10@1A@5V|8@2A@5V; 最大集电极...
2SD794
2SD794,晶体管,三极管,TO-126C封装,参数为:Pcm=1000mW,Ic=3000mA,BVcbo=70V,BVceo=45V,BVebo=5V,hfe(Min)=60,hfe(Max)=320,Vce(sat)=2V,fr=60+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SA1162-Y,LF(T)
2SA1162-Y,LF(T),功率晶体管,品牌:Toshiba,封装:S-Mini-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:0.15 A; 最小DC直流电流增益:70@2mA@6V; 最大集电极发射极饱和电压:0.3@10mA@100mA V; 最大集电极基...
KSE45H8TU
KSE45H8TU,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-220AB-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:10 A; 最小DC直流电流增益:60@2A@1V; 最大工作频率:40(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:1@0.4A@8A...
BD244B
BD244B,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-220AB-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:80 V; 最大DC直流集电极电流:6 A; 最小DC直流电流增益:30@300mA@4V|15@3A@4V; 最大集电极发射极饱和电压:1.5@1A@6A V; 最大集电极基极电...
MJD340G
MJD340G,功率晶体管,品牌:ON,封装:DPAK-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:300 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:30@50mA@10V; 最大集电极发射极饱和电压:1@10mA@100mA V; 最大集电极基极电压:300 V; 工作温度...
ULQ2002A
ULQ2002A,三极管,达林顿管,品牌:STMicroelectronics,封装:PDIP-16,参数:配置:Array 7; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最大集电极发射极饱和电压:1.6@500uA@350mA|1.3@350uA@200mA|1.1@2...
KTC4374
KTC4374,贴片晶体管,三极管,SOT-89-3L封装,参数为:Pcm=500mW,Ic=400mA,BVcbo=80V,BVceo=80V,BVebo=5V,hfe(Min)=70,hfe(Max)=240,Vce(sat)=0.4V,fr=100+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
DTA115EEBTL
DTA115EEBTL,数字晶体管,品牌:Rohm,封装:EMT3F-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:82@5mA; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562...
2SD1724
2SD1724,晶体管,三极管,TO-126封装,参数为:Pcm=1250mW,Ic=3000mA,BVcbo=120V,BVceo=100V,BVebo=6V,hfe(Min)=70,hfe(Max)=280,Vce(sat)=0.4V,fr=180MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
ULN2003AIDG4
ULN2003AIDG4,三极管,达林顿管,品牌:TI,封装:SOIC-16,参数:配置:Array 7; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最大集电极发射极饱和电压:1.1@100mA|1.3@200mA|1.6@350mA V; 安装方式:Surface Mou...
STN790A
STN790A,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:SOT-223-4,参数:类型:PNP; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:30 V; 最大DC直流集电极电流:3 A; 最小DC直流电流增益:100@10mA@2V|100@500mA@2V|100@1A@2V|100@2A@1V|90...
FZT649
FZT649,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:SOT-223-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:25 V; 最大DC直流集电极电流:3 A; 最小DC直流电流增益:70@50mA@2V|100@1A@2V|75@2A@2V|15@6A@2V; 最大工作频率:150(Min) M...