MCH4009-TL-H,功率晶体管,品牌:ON,封装:MCPH-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:3.5 V; 最大DC直流集电极电流:0.04 A; 最小DC直流电流增益:50@5mA@1V; 最大工作频率:25000(Typ) MHz; 最大集电极基极电压:10 V; 工作温度:-5...
BFG424F,115,功率晶体管,品牌:NXP,封装:DFP-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:4.5 V; 最大DC直流集电极电流:0.03 A; 最小DC直流电流增益:50@25mA@2V; 最大工作频率:25000(Typ) MHz; 最大集电极基极电压:10 V; 工作温度:-6...
BCW72T116,功率晶体管,品牌:Rohm,封装:SST-3,参数:引脚数量:3; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562
BFR193WH6327XTSA1,功率晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-323-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:12 V; 最大DC直流集电极电流:0.08 A; 最小DC直流电流增益:70@30mA@8V; 最大工作频率:8000(Typ) MHz; 最大集电极基极电压:...
TIP147,三极管,达林顿管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:100 V; 峰值DC直流集电极电流:10 A; 最小DC直流电流增益:1000@5A@4V|500@10A@4V; 最大集电极发射极饱和电压:2@10m...
UPA801T-A,功率晶体管,品牌:NEC,封装:SOT-363-6,参数:类型:NPN; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:12 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:70@7mA@3V; 最大集电极基极电压:20 V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 最大功率耗散:200 m...
NJVNJD35N04T4G,三极管,达林顿管,品牌:ON,封装:DPAK-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:350 V; 峰值DC直流集电极电流:4 A; 最小DC直流电流增益:2000@2A@2V|300@4A@2V; 最大集电极发射极饱和电压:1.5@20mA@2A V; 最大...
NSVMMUN2132LT1G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:15@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount....
STC04IE170HP,发射极开关双极晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-247-4,参数:分类:Emitter Switched Bipolar Transistor; 引脚数目:4; 工作温度:-40 to 150 ℃; 所属系列:STC04IE170HP; 安装方式:Through ...
BCP55-16F,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-223-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:100@0.15A@2V; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@0.05A@0.5A V; 最大集电极基极电压:60 V;...
DP0150ALP4-7,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:DFN-H4-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:120@2mA@6V; 最大工作频率:80(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.3@10mA...
2SD1119,贴片晶体管,三极管,SOT-89-3L封装,参数为:Pcm=500mW,Ic=3000mA,BVcbo=40V,BVceo=25V,BVebo=7V,hfe(Min)=230,hfe(Max)=600,Vce(sat)=1V,fr=150+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
RN1101TE85LF,数字晶体管,品牌:Toshiba,封装:SSM-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:30@10mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. ...
2SA821,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=250mW,Ic=30mA,BVcbo=210V,BVceo=210V,BVebo=5V,hfe(Min)=56,hfe(Max)=270,Vce(sat)=0.6V,fr=50+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
DTA114EE,PNP贴片数字晶体管,由ROHM原厂生产,SOT-523封装,参数为:Pd=150mW,Io=100mA,Vcc=50V,Gi=30,Vo(on)=0.3V,R1=10K+欧姆,R2=10K+欧姆,fr=250+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
KSA1142OSTU,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-126-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:180 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:100@500mA@2V; 最大工作频率:180(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:1@...
DTA144EETL,数字晶体管,品牌:Rohm,封装:EMT-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:68@5mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 库存实时更新,询报价及购买请致电:0755-8...
BFU580QX,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-89-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:12 V; 最大DC直流集电极电流:0.06 A; 最小DC直流电流增益:60@30mA@8V; 最大集电极基极电压:24 V; 工作温度:-40 to 150 ℃; 最大功率耗散:1000 ...
STLD128DNT4,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:DPAK-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:400 V; 最大DC直流集电极电流:3 A; 最小DC直流电流增益:10@10mA@5V|8@2A@5V; 最大集电极发射极饱和电压:1@0.2A@1A|1....
2PD602ASL,235,功率晶体管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:40@0.5A@10V|170@0.15A@10V; 最大工作频率:180(Min) MHz; 最大集电极...
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