2N5194G
2N5194G,功率晶体管,品牌:ON,封装:TO-225-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:4 A; 最小DC直流电流增益:25@1.5A@2V|10@4A@2V; 最大工作频率:2(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.6@0.15A@1...
RN2911,LF
RN2911,LF,功率晶体管,品牌:Toshiba,封装:US-6,参数:类型:PNP; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:120@1mA@5V; 最大集电极发射极饱和电压:0.3@0.25mA@5mA V; 最大集电极基极电压:50 V; ...
BUV22G
BUV22G,功率晶体管,品牌:ON,封装:TO-204-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:250 V; 最大DC直流集电极电流:40 A; 最小DC直流电流增益:20@10mA@4V|10@20A@4V; 最大工作频率:8(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:1@1A@10A|...
TIP127TU
TIP127TU,三极管,达林顿管,品牌:Fairchild,封装:TO-220AB-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:100 V; 峰值DC直流集电极电流:5 A; 最小DC直流电流增益:1000@3A@3V|1000@500mA@3V; 最大集电极发射极饱和电压:2@12mA@3...
MJ4502G
MJ4502G,功率晶体管,品牌:ON,封装:TO-204-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:90 V; 最大DC直流集电极电流:30 A; 最小DC直流电流增益:25@7.5A@2V; 最大工作频率:2(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.8@0.75A@7.5A V; 最...
MMBTA64LT3G
MMBTA64LT3G,三极管,达林顿管,品牌:ON,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:30 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:10000@10mA@5V|20000@100mA@5V; 最大集电极发射极饱和电压:1.5@0.1mA...
2N2907A
2N2907A,功率晶体管,品牌:Microsemi,封装:TO-18-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:0.6 A; 最小DC直流电流增益:75@0.1mA@10V|100@1mA@10V|100@10mA@10V|100@150mA@10V|50@5...
NSS12100XV6T1G
NSS12100XV6T1G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SOT-563-6,参数:类型:PNP; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:12 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:200@10mA@2V|100@500mA@2V|90@1A@2V; 最大集电极发射极饱和电压:0.04@0.0...
FJA13009TU
FJA13009TU,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-3P(N)-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:400 V; 最大DC直流集电极电流:12 A; 最小DC直流电流增益:8@5A@5V|6@8A@5V; 最大工作频率:4(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:1...
BCX71K,215
BCX71K,215,功率晶体管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:100@10uA@5V|380@2mA@5V|110@50mA@1V; 最大工作频率:100(Min) MHz;...
PMBTA44/HV,215
PMBTA44/HV,215,功率晶体管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:400 V; 最大DC直流集电极电流:0.3 A; 最小DC直流电流增益:50@10mA@10V|45@50mA@10V|40@100mA@10V; 最大工作频率:20(Min...
PMST3904,115
PMST3904,115,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SC-70-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:0.2 A; 最小DC直流电流增益:60@0.1mA@1V|80@1mA@1V|100@10mA@1V|60@50mA@1V|30@100mA@1V;...
BD438
BD438,功率晶体管,品牌:ST Micro,封装:SOT-32-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:4 A; 最小DC直流电流增益:85@500mA@1V|30@10mA@5V|40@2A@1V; 最大工作频率:3(Min) MHz; 最大集电极发射极...
MUN5111DW1T1G
MUN5111DW1T1G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SC-88-6,参数:配置:Dual; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:35@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及...
S9015
S9015,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=450mW,Ic=100mA,BVcbo=50V,BVceo=45V,BVebo=5V,hfe(Min)=60,hfe(Max)=1000,Vce(sat)=0.3V,fr=100MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SC5659T2LN
2SC5659T2LN,功率晶体管,品牌:Rohm,封装:VMT-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:25 V; 最大DC直流集电极电流:0.05 A; 最小DC直流电流增益:56@1mA@6V; 最大工作频率:300(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.3@1mA@10mA ...
MUN5233DW1T1G
MUN5233DW1T1G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SOT-363-6,参数:配置:Dual; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:80@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 库存...
UPA812T-A
UPA812T-A,功率晶体管,品牌:NEC,封装:SOT-363-6,参数:类型:NPN; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:10 V; 最大DC直流集电极电流:0.065 A; 最小DC直流电流增益:70@7mA@3V; 最大集电极基极电压:20 V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 最大功率耗散:200...
BUL138
BUL138,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-220-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:400 V; 最大DC直流集电极电流:5 A; 最小DC直流电流增益:8@2A@5V|10@10mA@5V; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@0.2A@1A|0.7...
MMSTA28T146
MMSTA28T146,三极管,达林顿管,品牌:Rohm,封装:SMT-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:80 V; 峰值DC直流集电极电流:0.3 A; 最小DC直流电流增益:10000@10mA@5V|10000@100mA@5V; 最大集电极发射极饱和电压:1.2@10uA@1...