SMUN2216T1G
SMUN2216T1G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SC-59-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:160@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价...
NSBC114EF3T5G
NSBC114EF3T5G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SOT-1123-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:35@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount....
PMST2222A,115
PMST2222A,115,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SC-70-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:0.6 A; 最小DC直流电流增益:35@0.1mA@10V|50@1mA@10V|75@10mA@10V|50@150mA@1V|100@150m...
ZXTN2020FTA
ZXTN2020FTA,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-23-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:100 V; 最大DC直流集电极电流:4 A; 最小DC直流电流增益:100@10mA@2V|100@1A@2V|35@4A@2V; 最大工作频率:130(Typ) MHz; 最大...
DTA114EM
DTA114EM,PNP贴片数字晶体管,由ROHM原厂生产,SOT-723封装,参数为:Pd=100mW,Io=100mA,Vcc=50V,Gi=30,Vo(on)=0.3V,R1=10K+欧姆,R2=10K+欧姆,fr=250+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
DDTA114WE-7-F
DDTA114WE-7-F,数字晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-523-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:24@10mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:075...
A733
A733,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=250mW,Ic=100mA,BVcbo=60V,BVceo=50V,BVebo=5V,hfe(Min)=90,hfe(Max)=600,Vce(sat)=0.3V,fr=100MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BD535
BD535,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-220-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:8 A; 最小DC直流电流增益:20@10mA@5V|25@2A@2V; 最大集电极发射极饱和电压:0.8@0.2A@2A V; 最...
2SC2688
2SC2688,晶体管,三极管,TO-126封装,参数为:Pcm=1250mW,Ic=200mA,BVcbo=300V,BVceo=300V,BVebo=5V,hfe(Min)=40,hfe(Max)=250,Vce(sat)=0.5V,fr=50MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
DTC123YE
DTC123YE,NPN贴片数字晶体管,由ROHM原厂生产,SOT-523封装,参数为:Pd=150mW,Io=100mA,Vcc=50V,Gi=33,Vo(on)=0.3V,R1=2.2K+欧姆,R2=10K+欧姆,fr=250+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
PEMD30,315
PEMD30,315,数字晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-666-6,参数:配置:Dual; 类型:NPN|PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:30@20mA@5V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. ...
KSE44H11
KSE44H11,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-220-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:80 V; 最大DC直流集电极电流:10 A; 最小DC直流电流增益:60@2A@1V; 最大工作频率:50(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:1@0.4A@8A V;...
BC846BS,135
BC846BS,135,功率晶体管,品牌:NXP,封装:TSSOP-6,参数:类型:NPN; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:65 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:200@2mA@5V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.1@0.5mA@10...
SN75469D
SN75469D,三极管,达林顿管,品牌:TI,封装:SOIC-16,参数:配置:Array 7; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:100 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最大集电极发射极饱和电压:1.1@100mA|1.3@200mA|1.6@350mA V; 安装方式:Surface Mount....
BCR10PNE6393
BCR10PNE6393,数字晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-363-6,参数:配置:Dual; 类型:NPN|PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:30@5mA@5V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface M...
DCP69-16-13
DCP69-16-13,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-223-4,参数:类型:PNP; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:20 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:50@5mA@10V|60@1A@1V|100@500mA@1V; 最大工作频率:200(Typ) MHz; ...
MUN5135DW1T1G
MUN5135DW1T1G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SC-88-6,参数:配置:Dual; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:80@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及...
NSS40600CF8T1G
NSS40600CF8T1G,功率晶体管,品牌:ON,封装:Chip FET-8,参数:类型:PNP; 引脚数量:8; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:6 A; 最小DC直流电流增益:250@10mA@2V|250@500mA@2V|220@1A@2V|180@2A@2V|150@3A@2V;...
RN2302,LF
RN2302,LF,数字晶体管,品牌:Toshiba,封装:USM-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:50@10mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价...
BD809G
BD809G,功率晶体管,品牌:ON,封装:TO-220AB-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:80 V; 最大DC直流集电极电流:10 A; 最小DC直流电流增益:30@2mA@2V|15@4A@2V; 最大工作频率:1.5(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:1.1@0.3A...