BCV63B,215
BCV63B,215,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-143B-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:30@TR 1|6@TR 2 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:200@2mA@5V@TR 1|200@2mA@700mV@TR 2; 最大工作频率:1...
ZXT12N20DXTA
ZXT12N20DXTA,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:MSOP-8,参数:类型:NPN; 引脚数量:8; 最大集电极发射极电压:20 V; 最大DC直流集电极电流:3.5 A; 最小DC直流电流增益:250@10mA@2V|300@1A@2V|200@3.5A@2V|40@10A@2V; 最大工作频率:112...
NSVEMX1DXV6T1G
NSVEMX1DXV6T1G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SOT-563-6,参数:类型:NPN; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:120@1mA@6V; 最大工作频率:180(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.4@5mA@...
PMBT2907A,215
PMBT2907A,215,功率晶体管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:0.6 A; 最小DC直流电流增益:75@0.1mA@10V|100@1mA@10V|100@10mA@10V|100@150mA@10V|5...
ZXTD618MCTA
ZXTD618MCTA,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:DFN-8 EP,参数:类型:NPN; 引脚数量:8; 最大集电极发射极电压:20 V; 最大DC直流集电极电流:5 A; 最小DC直流电流增益:200@10mA@2V|300@200mA@2V|200@2A@2V|100@6A@2V; 最大工作频率:140...
2SA812
2SA812,贴片晶体管,三极管,SOT-23封装,参数为:Pcm=200mW,Ic=100mA,BVcbo=60V,BVceo=50V,BVebo=5V,hfe(Min)=90,hfe(Max)=600,Vce(sat)=0.3V,fr=180+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BCW67CE6327
BCW67CE6327,功率晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-23-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:32 V; 最大DC直流集电极电流:0.8 A; 最小DC直流电流增益:80@100uA@10V|180@10mA@1V|250@100mA@1V|100@500mA@2V; ...
BCX5416H6327XTSA1
BCX5416H6327XTSA1,功率晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-89-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:25@5mA@2V|100@150mA@2V|25@500mA@2V; 最大集电极发射极饱和电压...
DN0150ALP4-7
DN0150ALP4-7,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:DFN-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:120@2mA@6V; 最大工作频率:60(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.25@10mA@1...
DSS5140U-7
DSS5140U-7,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-323-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:300@1mA@5V|300@100mA@5V|250@500mA@5V|160@1A@5V; 最大工作频率:1...
NSBC124EPDXV6T5G
NSBC124EPDXV6T5G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SOT-563-6,参数:配置:Dual; 类型:NPN|PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:60@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mo...
MJD31C
MJD31C,贴片晶体管,三极管,TO-252-2L(4R)封装,参数为:Pcm=1250mW,Ic=3000mA,BVcbo=100V,BVceo=100V,BVebo=5V,hfe(Min)=15,hfe(Max)=75,Vce(sat)=1.2V,fr=3MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897...
KSH44H11ITU
KSH44H11ITU,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:IPAK-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:80 V; 最大DC直流集电极电流:8 A; 最小DC直流电流增益:60@2A@1V|40@4A@1V; 最大工作频率:50(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:1@0...
NSS20201LT1G
NSS20201LT1G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SOT-23-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:20 V; 最大DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:200@10mA@2V|200@500mA@2V|200@1A@2V|200@2A@2V; 最大工作频率:150(Mi...
2SC6096-TD-E
2SC6096-TD-E,功率晶体管,品牌:ON,封装:PCP-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:100 V; 最大DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:300@100mA@5V; 最大工作频率:300(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.15@100mA@1A...
BC846BPN-R1-00001
BC846BPN-R1-00001,功率晶体管,品牌:Panjit,封装:SOT-363-6,参数:类型:NPN|PNP; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:65 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:200@2mA@5V@NPN|220@2mA@5V@PNP; 最大集电极发射极饱和电压...
2SB764
2SB764,晶体管,三极管,TO-92MOD封装,参数为:Pcm=900mW,Ic=1000mA,BVcbo=60V,BVceo=50V,BVebo=5V,hfe(Min)=60,hfe(Max)=320,Vce(sat)=0.7V,fr=150+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SA1267
2SA1267,晶体管,三极管,TO-92S封装,参数为:Pcm=400mW,Ic=150mA,BVcbo=50V,BVceo=50V,BVebo=5V,hfe(Min)=70,hfe(Max)=700,Vce(sat)=0.25V,fr=80MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
KTD998
KTD998,晶体管,三极管,TO-3P封装,参数为:Pcm=3000mW,Ic=10000mA,BVcbo=120V,BVceo=120V,BVebo=5V,hfe(Min)=55,hfe(Max)=160,Vce(sat)=2.5V,fr=12+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BUL58D
BUL58D,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-220-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:450 V; 最大DC直流集电极电流:8 A; 最小DC直流电流增益:5@5A@5V|38(Typ)@500mA@5V; 最大集电极发射极饱和电压:1.5@0.8A@...