MJD44H11TM
MJD44H11TM,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:DPAK-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:80 V; 最大DC直流集电极电流:8 A; 最小DC直流电流增益:60@2A@1V|40@4A@1V; 最大工作频率:50(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:1@0....
QST8TR
QST8TR,功率晶体管,品牌:Rohm,封装:SMT-6,参数:类型:PNP; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:12 V; 最大DC直流集电极电流:1.5 A; 最小DC直流电流增益:270@200mA@2V; 最大工作频率:400(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.2@25mA@500mA V...
DTC114TM
DTC114TM,NPN贴片数字晶体管,由ROHM原厂生产,SOT-723封装,参数为:Pd=100mW,Io=100mA,Vcc=50V,Gi=100,Vo(on)=0.3V,R1=10K+欧姆,fr=250+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MJL4302AG
MJL4302AG,功率晶体管,品牌:ON,封装:TO-3BPL-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:350 V; 最大DC直流集电极电流:15 A; 最小DC直流电流增益:80@100mA@5V|80@1A@5V|80@3A@5V|80@5A@5V|50@8A@5V|10@15A@5V; ...
MJD117
MJD117,贴片达林顿晶体管,由ON原厂生产,TO-252-2L(4R)封装,参数为:Pcm=1750mW,Ic=2000mA,BVcbo=100V,BVceo=100V,BVebo=5V,hfe(Min)=100012000,Vce(sat)=3V,fr=25MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-8389...
PBSS306PX,115
PBSS306PX,115,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-89-4,参数:类型:PNP; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:100 V; 最大DC直流集电极电流:3.7 A; 最小DC直流电流增益:200@0.5A@2V|150@1A@2V|100@2A@2V|25@4A@2V; 最大工作频率:100(T...
SSM2220SZ-REEL
SSM2220SZ-REEL,功率晶体管,品牌:ADI,封装:SOIC-8 N,参数:类型:PNP; 引脚数量:8; 最大集电极发射极电压:36 V; 最大DC直流集电极电流:0.02 A; 最小DC直流电流增益:80@1mA@36V|70@100uA@36V|60@10uA@36V; 最大集电极发射极饱和电压:0.1...
ULN2003ANSR
ULN2003ANSR,三极管,达林顿管,品牌:TI,封装:SOP-16,参数:配置:Array 7; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最大集电极发射极饱和电压:1.1@100mA|1.3@200mA|1.6@350mA V; 安装方式:Surface Mount...
BD442G
BD442G,功率晶体管,品牌:ON,封装:TO-225-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:80 V; 最大DC直流集电极电流:4 A; 最小DC直流电流增益:15@10mA@5V|40@500mA@1V|15@2A@1V; 最大工作频率:3(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:...
RN1407(T5L,M)
RN1407(T5L,M),数字晶体管,品牌:Toshiba,封装:S-Mini-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:80@10mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mou...
ZTX558STZ
ZTX558STZ,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:E-Line-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:400 V; 最大DC直流集电极电流:0.2 A; 最小DC直流电流增益:100@1mA@10V|100@50mA@10V|15@100mA@10V; 最大工作频率:50(Min) M...
UMF4NTR
UMF4NTR,数字晶体管,品牌:Rohm,封装:UMT-6,参数:配置:Single; 类型:NPN|PNP; 最大集电极发射极电压:50@NPN|12@PNP V; 峰值DC直流集电极电流:100@NPN|500@PNP mA; 最小DC直流电流增益:20@20mA@5V@NPN|270@10mA@2V@PNP; ...
2SD1803S-E
2SD1803S-E,功率晶体管,品牌:ON,封装:TP-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:5 A; 最小DC直流电流增益:140@0.5A@2V; 最大工作频率:180(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.4@0.15A@3A V; 最大...
2SC2983
2SC2983,晶体管,三极管,TO-251-3L封装,参数为:Pcm=1000mW,Ic=1500mA,BVcbo=160V,BVceo=160V,BVebo=5V,hfe(Min)=70,hfe(Max)=240,Vce(sat)=1.5V,fr=100+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-838975...
2SD1760
2SD1760,贴片晶体管,三极管,TO-252-2L(4R)封装,参数为:Pcm=1500mW,Ic=3000mA,BVcbo=60V,BVceo=50V,BVebo=5V,hfe(Min)=82,hfe(Max)=390,Vce(sat)=1V,fr=90+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897...
DVRN6056-7-F
DVRN6056-7-F,参考电压阵列,品牌:Diodes,封装:SOT-26-6,参数:分类:Voltage Reference Array; 引脚数目:6; 工作温度:-55 to 150 ℃; 所属系列:DVRN6056; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562
BFU630F,115
BFU630F,115,功率晶体管,品牌:NXP,封装:DFP-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:5.5 V; 最大DC直流集电极电流:0.03 A; 最小DC直流电流增益:90@5mA@2V; 最大工作频率:21000(Typ) MHz; 最大集电极基极电压:16 V; 工作温度:-65...
2SD874
2SD874,贴片晶体管,三极管,SOT-89-3L封装,参数为:Pcm=500mW,Ic=1000mA,BVcbo=30V,BVceo=25V,BVebo=5V,hfe(Min)=85,hfe(Max)=340,Vce(sat)=0.4V,fr=200+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BCP5516TA
BCP5516TA,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-223-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:25@5mA@2V|40@150mA@2V|25@500mA@2V|100@150mA@2V; 最大工作频率:15...
2SD1802S-E
2SD1802S-E,功率晶体管,品牌:ON,封装:TP-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:5 A; 最小DC直流电流增益:140@100mA@2V; 最大工作频率:150(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.0005@100mA@2A V...