EMF32T2R
EMF32T2R,电源管理（双晶体管）,品牌:Rohm,封装:EMT-6,参数:分类:Power Management (Dual Transistors); 引脚数目:6; 工作温度:N/A to 150 ℃; 所属系列:EMF32; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-838975...
PZT3906
PZT3906,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:SOT-223-4,参数:类型:PNP; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:0.2 A; 最小DC直流电流增益:60@0.1mA@1V|80@1mA@1V|100@10mA@1V|60@50mA@1V|30@100mA@...
BFR93AW,115
BFR93AW,115,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SC-70-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:12 V; 最大DC直流集电极电流:0.035 A; 最小DC直流电流增益:40@30mA@5V; 最大工作频率:5000(Typ) MHz; 最大集电极基极电压:15 V; 工作温度:-...
ZTX757
ZTX757,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:E-Line-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:300 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:50@100mA@5V|40@10mA@5V; 最大工作频率:30(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0...
HN1C01FU-YTE85LF
HN1C01FU-YTE85LF,功率晶体管,品牌:Toshiba,封装:SSOP-6,参数:类型:NPN; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:0.15 A; 最小DC直流电流增益:120@2mA@6V; 最大工作频率:80(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.25...
BCR192WH6327
BCR192WH6327,数字晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-323-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:70@5mA@5V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mou...
BST39,115
BST39,115,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-89-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:350 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:40@20mA@10V; 最大工作频率:70(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@4mA@50mA...
MPS2222G
MPS2222G,功率晶体管,品牌:ON,封装:TO-92-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:30 V; 最大DC直流集电极电流:0.6 A; 最小DC直流电流增益:35@0.1mA@10V|50@1mA@10V|75@10mA@10V|100@150mA@10V|50@150mA@1V|...
PBHV9560ZX
PBHV9560ZX,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SC-73-4,参数:类型:PNP; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:70@50mA@10V|50@100mA@10V; 最大集电极发射极饱和电压:0.25@5mA@50mA|0.25@...
2SB1181TLR
2SB1181TLR,功率晶体管,品牌:Rohm,封装:CPT-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:80 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:180@0.1A@3V; 最大工作频率:100(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.4@50mA@500mA ...
IMB11AT110
IMB11AT110,数字晶体管,品牌:Rohm,封装:SMT-6,参数:配置:Dual; 类型:PNP; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:30@5mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562
MMBT4403-7-F
MMBT4403-7-F,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-23-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:0.6 A; 最小DC直流电流增益:30@100uA@1V|60@1mA@1V|100@10mA@1V|100@150mA@2V|20@500...
ZTX458
ZTX458,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:E-Line-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:400 V; 最大DC直流集电极电流:0.3 A; 最小DC直流电流增益:100@1mA@10V|100@50mA@10V|15@100mA@10V; 最大工作频率:50(Min) MHz;...
BC859B,215
BC859B,215,功率晶体管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:30 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:220@2mA@5V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.3@0.5mA@...
FMMT415TD
FMMT415TD,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-23-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:100 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:25@10mA@10V; 最大工作频率:40(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@1mA@1...
3DA5200B
3DA5200B,晶体管,三极管,TO-3P封装,参数为:Pcm=3000mW,Ic=15000mA,BVcbo=160V,BVceo=160V,BVebo=5V,hfe(Min)=55,hfe(Max)=160,Vce(sat)=3V,fr=30+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
DDTD114GU-7-F
DDTD114GU-7-F,数字晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-323-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 峰值DC直流集电极电流:500 mA; 最小DC直流电流增益:56@5mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755...
IMB5AT108
IMB5AT108,数字晶体管,品牌:Rohm,封装:SMT-6,参数:配置:Dual; 类型:PNP; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:56@5mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562
ZXTN649FTA
ZXTN649FTA,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-23-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:25 V; 最大DC直流集电极电流:3 A; 最小DC直流电流增益:200@100mA@2V|175@1A@2V|155@2A@2V|50@6A@2V; 最大集电极发射极饱和电压:0...
DMB54D0UDW-7
DMB54D0UDW-7,N沟道增强型MOSFETPNP晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-363-6,参数:分类:N-Channel Enhancement Mode MOSFET Plus PNP Transistor; 引脚数目:6; 工作温度:-55 to 150 ℃; 所属系列:DMB54D0UDW; ...