NSVMBT3904DW1T3G
NSVMBT3904DW1T3G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SOT-363-6,参数:类型:NPN; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:0.2 A; 最小DC直流电流增益:40@0.1mA@1V|70@1mA@1V|100@10mA@1V|60@50mA@1V|30@0.1A...
MJD44H11T4
MJD44H11T4,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:DPAK-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:80 V; 最大DC直流集电极电流:8 A; 最小DC直流电流增益:60@2A@1V|40@4A@1V; 最大集电极发射极饱和电压:1@0.4A@8A V; 工作...
FZT751TC
FZT751TC,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-223-4,参数:类型:PNP; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:3 A; 最小DC直流电流增益:70@50mA@2V|100@500mA@2V|80@1A@2V|40@2A@2V; 最大工作频率:140(Typ)...
DDA142TH-7
DDA142TH-7,数字晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-563-6,参数:配置:Dual; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:40 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:100@1mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询...
DRA9114E0L
DRA9114E0L,数字晶体管,品牌:Panasonic,封装:SSMini3-F3-B-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:35@5mA@10V; 工作温度:-40 to 85 ℃; 安装方式:Surface...
MP4504
MP4504,三极管,达林顿管,品牌:Toshiba,封装:SIP-12,参数:配置:Quad; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:100 V; 峰值DC直流集电极电流:5 A; 最小DC直流电流增益:2000@3A@5V|1000@5A@5V; 最大集电极发射极饱和电压:1.5@6mA@3A V; 最大集电极基极...
BDW24C-S
BDW24C-S,三极管,达林顿管,品牌:Bourns,封装:TO-220-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:100 V; 峰值DC直流集电极电流:6 A; 最小DC直流电流增益:1000@1A@3V|750@2A@3V|100@6A@3V; 最大集电极发射极饱和电压:2@8mA@2...
FZT560TC
FZT560TC,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-223-4,参数:类型:PNP; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:500 V; 最大DC直流集电极电流:0.15 A; 最小DC直流电流增益:100@1mA@10V|80@50mA@10V; 最大工作频率:60(Min) MHz; 最大集电极发射极饱...
DMMT5401-7-F
DMMT5401-7-F,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-26-6,参数:类型:PNP; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:150 V; 最大DC直流集电极电流:0.2 A; 最小DC直流电流增益:50@1mA@5V|60@10mA@5V|50@50mA@5V; 最大工作频率:300 MHz; 最大集...
KSA539
KSA539,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=400mW,Ic=200mA,BVcbo=60V,BVceo=45V,BVebo=5V,hfe(Min)=40,hfe(Max)=240,Vce(sat)=0.5V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BC32716BU
BC32716BU,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-92-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.8 A; 最小DC直流电流增益:100@100mA@1V|60@300mA@1V; 最大工作频率:100(Typ) MHz; 最大集电极发射...
BC847BS-7-F
BC847BS-7-F,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-363-6,参数:类型:NPN; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:200@2mA@5V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.1@0.5...
2SB1216T-H
2SB1216T-H,功率晶体管,品牌:ON,封装:TP-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:100 V; 最大DC直流集电极电流:4 A; 最小DC直流电流增益:200@0.5A@5V; 最大工作频率:180(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@0.2A@2A V; 最大...
PBHV8215Z,115
PBHV8215Z,115,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-223-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:150 V; 最大DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:100@100mA@10V|100@1A@10V|90@1.5A@10V|55@2A@10V; 最大工作频率:...
BC368
BC368,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=625mW,Ic=1000mA,BVcbo=25V,BVceo=20V,BVebo=5V,hfe(Min)=85,hfe(Max)=375,Vce(sat)=0.5V,fr=65MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MAT14ARZ-R7
MAT14ARZ-R7,功率晶体管,品牌:ADI,封装:SOIC-14,参数:类型:NPN; 引脚数量:14; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:0.03 A; 最小DC直流电流增益:300@1mA|200@1mA; 最大工作频率:300(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.06@...
PBSS5260PAP,115
PBSS5260PAP,115,功率晶体管,品牌:NXP,封装:DFN-6,参数:类型:PNP; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:170@100mA@2V|140@500mA@2V|110@1A@2V|50@2A@2V; 最大集电极发射极饱和电压...
BCP55-10,115
BCP55-10,115,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-223-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:63@150mA@2V; 最大工作频率:180(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@50mA@5...
DTA114YM3T5G
DTA114YM3T5G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SOT-723-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:80@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询...
ULN2804APG,N
ULN2804APG,N,三极管,达林顿管,品牌:Toshiba,封装:DIP-18,参数:配置:Octal Common Emitter; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:1000@350mA@2V; 最大集电极发射极饱和电压:1.6@50...