5KP36CE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 36V 5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case 5A,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 最大峰值脉冲电流: 78 A; 最大反向漏电流: 10...
TVS524E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 24V 500W,品牌:Microsemi,封装:2Case B-(WT),参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 11.9 A; 最大反...
SMBJ75AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 75V 600W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 4.9 A; 最大反向漏电流...
LC130A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 130V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 7.2 A; 最大反向漏电流: 1...
SM5S18AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 18V 3.6KW,品牌:Vishay,封装:DO-218AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 3600 W; 最大峰值脉冲电流: 123 A; 最大反向漏电流...
DF2B6.8FS(TPL4,D),ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:Toshiba,封装:fSC-2,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:2; 方向类型:Bi-Directional; 每芯片单元数目:1; ESD保护电压:±8@Contact Disc kV; 最大工作电压:5 V; 最大漏电流:0...
1SMA9.0AT3G, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 9V 400W,品牌:ON,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 26 A; 最大反向漏电流: 2.5 uA; 最大...
SMA5J26CA-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 26V 500W,品牌:Vishay,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 11.9 A; 最大反向漏电流: 1 uA...
5KP110CE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 110V 5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case 5A,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 最大峰值脉冲电流: 26 A; 最大反向漏电流: ...
SMCJ33CA-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 33V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:SMC,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 28.1 A; 最大反向漏电流: 1 u...
SA6.5A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 6.5V 500W,品牌:Vishay,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 44.7 A; 最大反向漏电流: 400 u...
SMLJ75CE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 75V 3KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 3000 W; 最大峰值脉冲电流: 22.4 A; 最大反向漏电流:...
P6KE33AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 28.2V 600W,品牌:Microsemi,封装:2Case T-18,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 13.2 A; 最大...
1N6281AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 23.1V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 40 A; 最大反向漏电流: ...
SMCJ8.5CAHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 8.5V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:SMC,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 104.2 A; 最大反向漏电流: ...
MLVB04V09C005,多层压敏电阻ESD抑制器,品牌:Cooper Bussmann,封装:CSMD-2,参数:类型:Multilayer Varistor; 引脚数量:2; 最大钳位电压:35 V; 最大工作电压:9 V; 最大漏电流:10 uA; 电容值:5 pF; 最低工作温度:-40 ℃; 最大工作温度:...
TPSMP9.1AHM3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 7.78V 400W,品牌:Vishay,封装:DO-220AA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 22.4 A; 最大反向...
BZW04-28B-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 28.2V 400W,品牌:Vishay,封装:DO-204AL,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 8.8 A; 最大反向漏电流...
SMCJ6068, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 137V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 5.8 A; 最大反向漏电流...
SA36A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 36V 500W,品牌:Vishay,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 8.6 A; 最大反向漏电流: 1 uA;...
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