1.5KE9V1A-B, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 7.78V 1.5KW,品牌:Diodes,封装:DO-201,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 112 A; 最大反向漏电...
LC54A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 54V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 17.2 A; 最大反向漏电流: 10...
SMCJ28AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 28V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:SMC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 33 A; 最大反向漏电流: 1 uA...
SMAJ30E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 30V 500W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 9.3 A; 最大反向漏电流:...
P4KE100CA-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 85.5V 400W,品牌:Vishay,封装:DO-204AL,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 2.9 A; 最大反向漏电流...
SMCJ6056AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 43V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 21.4 A; 最大反向...
PJSOT03C-05_R1_00001, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Dual Common Anode Uni-Dir/Bi-Dir 3V 500W,品牌:Panjit,封装:3SOT-23,参数:配置: Dual Common Anode; 方向类型: Uni-Directional|Bi-Dire...
SMBJ13AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 13V 600W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 27.9 A; 最大反向漏电...
SMAJ26A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 26V 400W,品牌:Bourns,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400(Min) W; 最大峰值脉冲电流: 9.5 A; 最大反向漏电流: 5 u...
P4KE33AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 28.2V 400W,品牌:Vishay,封装:DO-204AL,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 8.8 A; 最大反向漏电流...
P6KE9.1CAHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 7.78V 600W,品牌:Vishay,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 44.8 A; 最大反向漏电流: ...
SM15T7V5A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 6.4V 1.5KW,品牌:ST,封装:SMC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 690 A; 最大反向漏电流: 250 uA;...
USB6B1RL,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:STMicroelectronics,封装:SO-8 N,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:8; 方向类型:Uni-Directional; 每芯片单元数目:2; ESD保护电压:15@Air Gap/8@Contact Disc kV; 最大漏电流...
LC58, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 58V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 14.6 A; 最大反向漏电流: 10 ...
1V5KE170CA, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 145V 1.5KW,品牌:Fairchild,封装:DO-201AE,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 6.4 A; 最大反向漏...
SMBG6.0CAHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 6V 600W,品牌:Vishay,封装:SMBG,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 58.3 A; 最大反向漏电流: 1600...
1.5SMC30AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 25.6V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:SMC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 36.2 A; 最大反向漏电流...
SMDA12C-8/TR7, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Array 8 Bi-Dir 12V 300W,品牌:Microsemi,封装:SOIC-14,参数:配置: Array 8; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 300 W; 最大峰值脉冲电流: 5 A; 最大反向漏电...
1.5KE62CA-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 53V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 17.6 A; 最大反向漏电流: ...
1SMB8.5AT3G, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 8.5V 600W,品牌:ON,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 41.7 A; 最大反向漏电流: 10 uA;...
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