1.5KE20CA-T, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 17.1V 1.5KW,品牌:Diodes,封装:DO-201,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 54 A; 最大反向漏电流: ...
SMBG8.0AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 8V 600W,品牌:Vishay,封装:SMBG,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 44.1 A; 最大反向漏电流: 50 ...
SMCJ408A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 408V 1.5KW,品牌:Bourns,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500(Min) W; 最大反向漏电流: 5 uA; 最大反向关...
1N6053A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 33V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 28 A; 最大反向漏电流: 5 uA...
1N6134, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 114V 500W,品牌:Semtech,封装:2Case G-95,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 2.3 A; 最大反向漏电流: 1 ...
TPD2E001DRLR,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:TI,封装:SOT-5,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:5; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:105.5 V; 每芯片单元数目:2; ESD保护电压:±15@Air Gap/±8@Contact Disc/±15@...
P6SMB300A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 256V 600W,品牌:Vishay,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 1.45 A; 最大反向漏电流: 1...
SMCJ17CA, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 17V 1.5KW,品牌:Fairchild,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 54.3 A; 最大反向漏电流...
P6SMB130CAHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 111V 600W,品牌:Vishay,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 3.4 A; 最大反向漏电流: 1 u...
ZEN059V130A24LS,聚合物ESD静电抑制器,品牌:TE,封装:SMD-3,参数:类型:Polymer; 引脚数量:3; 最大工作电压:6 V; 安装方式:Surface Mount. 库存实时更新,询报价及购买请致电:0755-83897562
1N6121AUS, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 32.7V 500W,品牌:Microsemi,封装:E-MELF-2,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 8.5 A; 最大反向漏电流...
P4SMA130AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 111V 400W,品牌:Vishay,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 1.7 A; 最大反向漏电流: 1 ...
BZW04-342B-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 342V 400W,品牌:Vishay,封装:DO-204AL,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 0.75 A; 最大反向漏电...
TPD3E001DRYR,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:TI,封装:USON-6,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:6; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:105.5 V; 每芯片单元数目:3; ESD保护电压:±15@Air Gap/±8@Contact Disc/±15...
1N5634A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 9.4V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 96 A; 最大反向漏电流: 5...
SMBJ15CA-13-F, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 15V 600W,品牌:Diodes,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 24 A; 最大反向漏电流: 5 uA;...
SMBJ36A-13-F, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 36V 600W,品牌:Diodes,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 10.3 A; 最大反向漏电流: 5 ...
1.5SMC75A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 64.1V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:SMC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 14.6 A; 最大反向漏电流...
P6KE170CAHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 145V 600W,品牌:Vishay,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 2.6 A; 最大反向漏电流: 1 ...
EPS8, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 8V 1KW,品牌:Microsemi,封装:2Case A,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1000 W; 最大峰值脉冲电流: 62.1 A; 最大反向漏电流: 2 uA; ...
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