SMB10J26AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 26V 1KW,品牌:Vishay,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1000 W; 最大峰值脉冲电流: 23.8 A; 最大反向漏电流: 1 ...
SMAJ188A-M3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 188V 400W,品牌:Vishay,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 0.91 A; 最大反向漏电流: 1 ...
SM15T24CA-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 20.5V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:SMC,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 234 A; 最大反向漏电流: 1...
5KP12E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 12V 5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case 5A,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 最大峰值脉冲电流: 227 A; 最大反向漏电流: ...
SMCG10CAHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 10V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:SMCG,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 88.2 A; 最大反向漏电流: 10...
SMBJ7.0CE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 7V 600W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 45.1 A; 最大反向漏电流:...
SMAJ150AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 150V 400W,品牌:Vishay,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 1.2 A; 最大反向漏电流: 1 u...
PTVS7V5P1UTP,115, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 7.5V 600W,品牌:NXP,封装:SOD-128,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 46.5 A; 最大反向漏...
TPD2E007DCKR,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:TI,封装:SC-70-3,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:3; 方向类型:Uni-Directional; 每芯片单元数目:2; ESD保护电压:±15@Air Gap/±8@Contact Disc/±15@HBM kV; 最大漏电流:...
ICTE5HE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 5V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 160 A; 最大反向漏电流: 300 ...
SMBJ58E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 58V 600W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 5.8 A; 最大反向漏电流:...
SMBJ22CA-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 22V 600W,品牌:Vishay,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 16.9 A; 最大反向漏电流: 1 uA;...
SMCJ6067E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 121V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 6.7 A; 最大反向漏...
SMCJ8.5CE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 8.5V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 94.3 A; 最大反向...
1.5KE13CA-B, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 11.1V 1.5KW,品牌:Diodes,封装:DO-201,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 82 A; 最大反向漏电流: ...
PTVS58VP1UTP,115, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 58V 600W,品牌:NXP,封装:SOD-128,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 6.4 A; 最大反向漏电流...
SMAJ33A-TR, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 33V 400W,品牌:ST,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 33 A; 最大反向漏电流: 0.2 uA; 最大...
P4SMA8.2CA-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 7.02V 400W,品牌:Vishay,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 33.1 A; 最大反向漏电流: 4...
RSB12WTL,ESD静电抑制器,品牌:Rohm,封装:SOT-416-3,参数:引脚数量:3; 方向类型:Bi-Directional; 每芯片单元数目:1; 最大漏电流:0.1 uA; 电容值:1(Typ) pF; 最低工作温度:-55 ℃; 最大工作温度:150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询...
CD214A-T10CALF, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 10V 400W,品牌:Bourns,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400(Min) W; 最大峰值脉冲电流: 23.5 A; 最大反向漏电...
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