LXES1TBBB2-013,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:Murata,封装:QFN-6,参数:类型:Diode Arrays; 配置:Dual; 引脚数量:6; 方向类型:Uni-Directional; 每芯片单元数目:2; ESD保护电压:±15@Air Gap|±12@Contact Disc kV; ...
TGL41-91A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 77.8V 400W,品牌:Vishay,封装:DO-213AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 3.2 A; 最大反向漏...
SMBJ22A-13-F, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 22V 600W,品牌:Diodes,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 16.9 A; 最大反向漏电流: 5 ...
SMCJ6072AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 185V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 4.6 A; 最大反向...
LC03-6.TBT,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:Semtech,封装:SOIC-8,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:8; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:20 V; 每芯片单元数目:2; ESD保护电压:±15@Air Gap/±8@Contact Disc kV;...
SMCG58CA-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 58V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:SMCG,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 16 A; 最大反向漏电流: 1 uA...
CG0402MLU-05G,ESD静电抑制器,品牌:Bourns,封装:2-Pin Case 0402,参数:引脚数量:2; 最大钳位电压:25(Typ) V; 每芯片单元数目:1; ESD保护电压:±15(Min)@Air Gap/±8(Min)@Contact Disc kV; 最大工作电压:5(Typ) V; 最...
SMBJ130E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 130V 600W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 2.6 A; 最大反向漏电...
SMA5J6.0CA-M3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 6V 500W,品牌:Vishay,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 48.5 A; 最大反向漏电流: 1600...
SMBG18AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 18V 600W,品牌:Vishay,封装:SMBG,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 20.5 A; 最大反向漏电流: 1 u...
SMBJ58CA-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 58V 600W,品牌:Vishay,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 6.4 A; 最大反向漏电流: 1 uA; ...
TPSMB13AHE3T, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 11.1V 600W,品牌:Vishay,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 33 A; 最大反向漏电流: 2 ...
P6SMB56A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 47.8V 600W,品牌:Vishay,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 7.8 A; 最大反向漏电流: 1 ...
SMB10J36A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 36V 1KW,品牌:Vishay,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1000 W; 最大峰值脉冲电流: 17.2 A; 最大反向漏电流: 1 ...
SMBG100CAHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 100V 600W,品牌:Vishay,封装:SMBG,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 3.7 A; 最大反向漏电流: 1 u...
SMBJ13AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 13V 600W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 27.9 A; 最大反向漏电...
SZP6SMB20AT3G, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 17.1V 600W,品牌:ON,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 22 A; 最大反向漏电流: 5 uA;...
SMAJ9.0E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 9V 500W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 29.5 A; 最大反向漏电流...
EPS28, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 28V 1KW,品牌:Microsemi,封装:2Case A,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1000 W; 最大峰值脉冲电流: 19.2 A; 最大反向漏电流: 1 uA...
TPSMC18AHE3_A/H, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 15.3V 1500W,品牌:Vishay,封装:SMC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 59.5 A; 最大反向...
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