MPT-22, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 22V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 40 A; 最大反向漏电流: 2 u...
SMLJ58CAE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 58V 3KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 3000 W; 最大峰值脉冲电流: 32 A; 最大反向漏电流: ...
CDNBS16-T05C, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Octal Bi-Dir 5V 500W,品牌:Bourns,封装:SOIC-16 N,参数:配置: Octal; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 42 A; 最大反向漏电流: 20 ...
SMAJ8.0E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 8V 500W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 33.3 A; 最大反向漏电流...
1V5KE440CA, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 376V 1.5KW,品牌:Fairchild,封装:DO-201AE,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 2.6 A; 最大反向漏...
DF2B6.8FS(TPL4,D),ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:Toshiba,封装:fSC-2,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:2; 方向类型:Bi-Directional; 每芯片单元数目:1; ESD保护电压:±8@Contact Disc kV; 最大工作电压:5 V; 最大漏电流:0...
MMAD1103E3/TR13,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:Microsemi,封装:SOIC-14,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:14; 方向类型:Uni-Directional; 每芯片单元数目:8; ESD保护电压:15@Air Gap/8@Contact Disc kV; 最大工作电...
SMCG5.0CA-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 5V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:SMCG,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 163 A; 最大反向漏电流: 200...
SMBG30AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 30V 600W,品牌:Vishay,封装:SMBG,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 12.4 A; 最大反向漏电流: 1 u...
SMBJ100A-13, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 100V 600W,品牌:Diodes,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 3.7 A; 最大反向漏电流: 5 u...
CDNBS16-T15, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Octal Uni-Dir 15V 500W,品牌:Bourns,封装:SOIC-16 N,参数:配置: Octal; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 15 A; 最大反向漏电流: 2...
SMAJ51A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 51V 400W,品牌:Bourns,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400(Min) W; 最大峰值脉冲电流: 4.9 A; 最大反向漏电流: 5 u...
SMCJ7.5CA-M3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 7.5V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:SMC,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 116.3 A; 最大反向漏电流: ...
SMAJ58CA-TR, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 58V 400W,品牌:ST,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 19 A; 最大反向漏电流: 0.2 uA; 最大钳...
SMBJ8.0AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 8V 600W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 44.1 A; 最大反向漏电...
SA160CA-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 160V 500W,品牌:Vishay,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 1.9 A; 最大反向漏电流: 1 uA...
SMBJ188CA-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 188V 600W,品牌:Vishay,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 2 A; 最大反向漏电流: 1 uA; ...
SMAJ11CE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 11V 500W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 24.9 A; 最大反向漏电流:...
SZP6SMB150AT3G, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 128V 600W,品牌:ON,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 2.9 A; 最大反向漏电流: 5 uA...
SMA6J12A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 12V 4KW,品牌:Vishay,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 4000 W; 最大峰值脉冲电流: 157 A; 最大反向漏电流: 0.2 ...
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